公开(公告)号：CN107799652A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710785299.X

申请日：2017-09-04

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 植木诚 ,  长谷卓

IPC: H01L45/00

CPC classification number: H01L27/249 ,  H01L27/101 ,  H01L27/2436 ,  H01L43/12 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1266 ,  H01L45/1273 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1633 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/16

Abstract: 一种半导体器件及其制造方法。具体涉及电阻变化元件，其包括彼此间隔开的第一和第二电极，与第一电极相邻的金属材料层，与金属材料层和第一电极相邻的氧化物层，和连续布置在第二和第一电极之间和在第二电极和氧化物层之间的电阻变化层。电阻变化层由金属氧化物制成。金属材料层由金属或金属化合物制成。氧化物层由形成金属材料层的材料的氧化物制成。第一电极由钌、氧化钌、铱、氧化铱、铂、金或铜制成。形成氧化物层的氧化物的氧化物形成自由能高于形成电阻变化层的氧化物的氧化物形成自由能。

公开(公告)号：CN104952835A

公开(公告)日：2015-09-30

申请号：CN201510134983.2

申请日：2015-03-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 植木诚 ,  竹内洁 ,  长谷卓

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L27/24

CPC classification number: H01L28/65 ,  H01L23/5223 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53242 ,  H01L23/53257 ,  H01L23/53266 ,  H01L27/0629 ,  H01L27/2463 ,  H01L28/60 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1616 ,  H01L45/1625 ,  H01L45/1675 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体器件，其具有较小的特性变化。该半导体器件配备有形成在层间绝缘膜中的插塞，设置在插塞上并耦合至插塞的下电极，设置在下电极上并由金属氧化物制成的中间层，以及设置在中间层上的上电极。中间层具有邻接下电极和上电极的层叠区。层叠区的至少一部分不与插塞重叠。插塞的至少一部分不与层叠区重叠。