公开(公告)号：CN105990126A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610159264.0

申请日：2016-03-18

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堀越孝太郎

IPC: H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

CPC classification number: H01L21/76802 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31138 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 本申请涉及用于制造半导体器件的方法。制造半导体器件同时保持其互连之间的短路裕度。其方法包括以下步骤：当使用多层抗蚀剂在层间介电质中制作互连沟槽时，使用至少包括CF4气体、C2H2F4气体和O2气体作为其组成的混合气体来执行干法蚀刻以形成该多层抗蚀剂。

公开(公告)号：CN107546091A

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201710412838.5

申请日：2017-06-05

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堀越孝太郎

IPC: H01J37/02 ,  H01J37/32

CPC classification number: H01J37/32697 ,  H01J37/32715 ,  H01J37/32788 ,  H01J2237/0206 ,  H01J2237/18 ,  H01J2237/334 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67069 ,  H01L21/6831 ,  H01L21/68707 ,  H01L21/68742

Abstract: 一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：(a)将半导体晶片放置在设置于室中的载台之上，所述室内部的压力通过真空抽取而减小；和(b)在步骤(a)之后，在半导体晶片被所述载台吸附且保持的状态下在所述室中形成等离子体，从而对所述半导体晶片执行期望的处理。这里，在步骤(a)之前，将具有高于氮气的电负性的负气体、氧气O2引入所述真空容器中以在所述室中形成O2等离子体，由此允许消除保留在所述载台之上的电荷。

公开(公告)号：CN105990132A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610113533.X

申请日：2016-02-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堀越孝太郎 ,  塙利和 ,  赤石真敏 ,  菊池裕司

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/31144

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件的制造方法。为了提供具有高可靠性同时抑制制造成本的半导体器件，通过使用至少包含CF4气体和C3H2F4气体作为其成分的混合气体来执行用于绝缘膜的干法蚀刻。

公开(公告)号：CN106252274B

公开(公告)日：2022-01-11

申请号：CN201610384198.7

申请日：2016-06-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前岛洁志 ,  堀越孝太郎 ,  堀田胜彦 ,  高桥敏幸 ,  越智启典 ,  庄司健一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/677

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备在背表面上具有氮化硅膜的半导体衬底；在半导体衬底的主表面上形成具有通路孔的层间绝缘膜；以及在通路孔中选择性地形成通路填充物。该方法还包括以下步骤：执行晶圆背表面清洗以暴露半导体衬底的背表面上形成的氮化硅膜的表面；且随后，在半导体衬底的主表面之上的层间绝缘膜以及通路填充物上形成由化学增强型抗蚀剂制成的光致抗蚀剂膜，其中半导体衬底存储在具有1000μg/m3或以下的铵离子浓度的气氛中。

公开(公告)号：CN106252274A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201610384198.7

申请日：2016-06-02

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 前岛洁志 ,  堀越孝太郎 ,  堀田胜彦 ,  高桥敏幸 ,  越智启典 ,  庄司健一

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/336 ,  H01L21/677

CPC classification number: H01L21/76879 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02074 ,  H01L21/0209 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76832 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/485 ,  H01L23/53223 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/53252 ,  H01L23/53295 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/6659 ,  H01L21/768 ,  H01L21/677 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877

Abstract: 提供一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：制备在背表面上具有氮化硅膜的半导体衬底；在半导体衬底的主表面上形成具有通路孔的层间绝缘膜；以及在通路孔中选择性地形成通路填充物。该方法还包括以下步骤：执行晶圆背表面清洗以暴露半导体衬底的背表面上形成的氮化硅膜的表面；且随后，在半导体衬底的主表面之上的层间绝缘膜以及通路填充物上形成由化学增强型抗蚀剂制成的光致抗蚀剂膜，其中半导体衬底存储在具有1000μg/m3或以下的铵离子浓度的气氛中。