-
公开(公告)号：CN105990132A
公开(公告)日：2016-10-05
申请号：CN201610113533.X
申请日：2016-02-29
Applicant: 瑞萨电子株式会社
IPC: H01L21/311
CPC classification number: H01L21/31116 , H01L21/76802 , H01L21/76825 , H01L21/76826 , H01L21/76829 , H01L21/31144
Abstract: 本公开涉及一种半导体器件的制造方法。为了提供具有高可靠性同时抑制制造成本的半导体器件，通过使用至少包含CF4气体和C3H2F4气体作为其成分的混合气体来执行用于绝缘膜的干法蚀刻。
Search Results
1
records
(took 0.026 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
