公开(公告)号：CN105931984A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610109515.4

申请日：2016-02-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 塙利和 ,  深谷和秀

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/3105

Abstract: 提供一种制造半导体器件的方法，以提供具有改善的可靠性的半导体器件。在通过旋涂形成层间绝缘膜的第一绝缘膜之后，使第一绝缘膜的表面受到亲水性改善处理。然后通过旋涂，在第一绝缘膜上形成层间绝缘膜的第二绝缘膜。该层间绝缘膜由包括第一绝缘膜和其上的第二绝缘膜的堆叠的绝缘膜组成。因此，该层间绝缘膜可具有改善的表面平整度。

公开(公告)号：CN105990132A

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201610113533.X

申请日：2016-02-29

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 堀越孝太郎 ,  塙利和 ,  赤石真敏 ,  菊池裕司

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/31116 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76826 ,  H01L21/76829 ,  H01L21/31144

Abstract: 本公开涉及一种半导体器件的制造方法。为了提供具有高可靠性同时抑制制造成本的半导体器件，通过使用至少包含CF4气体和C3H2F4气体作为其成分的混合气体来执行用于绝缘膜的干法蚀刻。