公开(公告)号：CN107799500B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201710668355.1

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 确利和 ,  深谷和秀 ,  小清水亮

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及制造该半导体装置的方法。层间绝缘膜具有通孔。侧壁导电层沿着一个通孔的侧壁表面布置，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。第二金属布线层嵌入在一个通孔中，并且包含铝。插塞层嵌入在另一个通孔中，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。

公开(公告)号：CN107799500A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710668355.1

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 确利和 ,  深谷和秀 ,  小清水亮

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L24/27 ,  H01L24/43

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及制造该半导体装置的方法。层间绝缘膜具有通孔。侧壁导电层沿着一个通孔的侧壁表面布置，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。第二金属布线层嵌入在一个通孔中，并且包含铝。插塞层嵌入在另一个通孔中，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。

公开(公告)号：CN105931984A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201610109515.4

申请日：2016-02-26

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 塙利和 ,  深谷和秀

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/3105

CPC classification number: H01L21/76826 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/76801 ,  H01L21/76819 ,  H01L21/76822 ,  H01L21/3105

Abstract: 提供一种制造半导体器件的方法，以提供具有改善的可靠性的半导体器件。在通过旋涂形成层间绝缘膜的第一绝缘膜之后，使第一绝缘膜的表面受到亲水性改善处理。然后通过旋涂，在第一绝缘膜上形成层间绝缘膜的第二绝缘膜。该层间绝缘膜由包括第一绝缘膜和其上的第二绝缘膜的堆叠的绝缘膜组成。因此，该层间绝缘膜可具有改善的表面平整度。