公开(公告)号：CN107799500B

公开(公告)日：2023-08-18

申请号：CN201710668355.1

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 确利和 ,  深谷和秀 ,  小清水亮

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及制造该半导体装置的方法。层间绝缘膜具有通孔。侧壁导电层沿着一个通孔的侧壁表面布置，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。第二金属布线层嵌入在一个通孔中，并且包含铝。插塞层嵌入在另一个通孔中，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。

公开(公告)号：CN107799500A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710668355.1

申请日：2017-08-08

Applicant: 瑞萨电子株式会社

Inventor： 确利和 ,  深谷和秀 ,  小清水亮

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/53223 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76844 ,  H01L21/76846 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/53266 ,  H01L23/5222 ,  H01L23/528 ,  H01L24/27 ,  H01L24/43

Abstract: 本发明涉及半导体装置以及制造该半导体装置的方法。层间绝缘膜具有通孔。侧壁导电层沿着一个通孔的侧壁表面布置，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。第二金属布线层嵌入在一个通孔中，并且包含铝。插塞层嵌入在另一个通孔中，并且包含从包括钨、钛、氮化钛、钽和钼的群组中选出的一种或多种。