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公开(公告)号：CN112513348A
公开(公告)日：2021-03-16
申请号：CN201980048251.8
申请日：2019-07-24
IPC: C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/12 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。
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公开(公告)号：CN112513348B
公开(公告)日：2023-11-14
申请号：CN201980048251.8
申请日：2019-07-24
IPC: C30B29/36 , C30B33/00 , C30B33/12 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明解决的问题是提供可以提高光学式传感器的检测率的SiC晶片和SiC晶片的制造方法。其特征在于，包括：梨皮面加工步骤(S141)，对SiC晶片(20)的至少背面(22)进行梨皮面加工；蚀刻步骤(S21)，在所述梨皮面加工步骤(S141)之后，通过在Si蒸汽压下进行加热来对所述SiC晶片(20)的至少背面(22)进行蚀刻；以及镜面加工步骤(S31)，在所述蚀刻步骤(S21)之后，对所述SiC晶片(20)的主面(21)进行镜面加工。由此，可以获得具有已镜面加工的主面(21)和已梨皮面加工的背面(22)的SiC晶片。
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公开(公告)号：CN107002288B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201580063339.9
申请日：2015-11-17
IPC: H01L21/302 , C30B33/12 , C30B29/36
Abstract: 提供一种碳化硅基板(40)的表面处理方法，其能对有无台阶束的产生或产生的台阶束的种类进行控制。于通过在Si蒸汽压下加热碳化硅基板(40)而对该碳化硅基板(40)的表面进行蚀刻的表面处理方法中，通过控制至少根据蚀刻速度而决定的蚀刻模式及蚀刻深度来进行碳化硅基板(40)的蚀刻，从而对蚀刻处理后的碳化硅基板(40)的表面形状进行控制。
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公开(公告)号：CN106460168B
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201580032799.5
申请日：2015-06-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/56 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。
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公开(公告)号：CN104854678B
公开(公告)日：2017-06-23
申请号：CN201380059730.2
申请日：2013-11-15
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: H01L21/265 , C30B29/36 , C30B33/12 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/302
CPC classification number: H01L21/673 , C23C10/02 , C23C10/22 , C30B29/36 , C30B33/12 , C30B35/002 , F27B17/0025 , H01L21/046 , H01L21/302 , H01L21/30604 , H01L21/3065 , H01L21/67069 , H01L21/6719 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种Si不会落到单晶SiC基板上，且能使其内部空间内的Si的压力分布均匀的收容容器。该收容容器收容藉由Si的蒸汽压力下的加热处理而被蚀刻的单晶SiC基板。该收容容器由钽金属构成，且在其内部空间側设置有碳化钽层，该碳化钽层的更靠内部空间側设置有硅化钽层。硅化钽层向内部空间提供Si。此外，硅化钽层不同于固着的Si，不会熔化落下。
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公开(公告)号：CN106460168A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201580032799.5
申请日：2015-06-01
Applicant: 东洋炭素株式会社
IPC: C23C16/04 , C23C16/458 , C23C16/56 , H01L21/205
Abstract: 本发明提供一种在晶片上形成薄膜时，能够抑制杂质等附着于晶片的基座及其制造方法。该基座的特征在于，具备：具有凹部(11)的基材(11b)上的碳化钽层(22)、和形成在凹部(11)以外的基材(10)的表面上的碳化硅层(20)。(10)、直接形成在凹部(11)的底面(11a)和侧面
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公开(公告)号：CN103270203B
公开(公告)日：2016-05-25
申请号：CN201180062452.7
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B19/00 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供能够提高碳化硅外延生长速度的单晶碳化硅外延生长用供料件。单晶碳化硅外延生长用供料件11具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的衍射峰和与（111）晶面对应的衍射峰以外的衍射峰。
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公开(公告)号：CN103857835A
公开(公告)日：2014-06-11
申请号：CN201280041389.3
申请日：2012-08-24
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: H01L21/02664 , C30B19/04 , C30B19/12 , C30B29/36 , H01L21/02378 , H01L21/0243 , H01L21/02447 , H01L21/02529 , H01L21/02625 , H01L21/02658 , H01L21/67109 , H01L29/1608
Abstract: 本发明提供一种半导体晶片的制造方法，包括：碳层形成工序、贯穿孔形成工序、馈源层形成工序和外延层形成工序。在碳层形成工序中，在由多晶SiC构成的基板（70）的表面形成碳层（71）。在贯穿孔形成工序中，在形成在基板（70）的碳层（71）形成贯穿孔（71c）。在馈源层形成工序中，在碳层（71）的表面形成Si层（72）和3C－SiC多晶层（73）。在外延层形成工序中，通过对基板（70）进行加热，在通过贯穿孔（71c）露出的基板（70）的表面形成由4H－SiC单晶构成的晶种，使晶种进行接近液相外延生长，形成4H－SiC单晶层。
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公开(公告)号：CN103270202A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062380.6
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/12 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶基板12具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的使激发波长为532nm的拉曼分光解析，作为源自结晶多型为3C的多晶碳化硅的衍射峰，观察到T0峰和L0峰以外的峰。
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公开(公告)号：CN103270201A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180062376.X
申请日：2011-06-29
Applicant: 东洋炭素株式会社
CPC classification number: C30B19/12 , C30B28/14 , C30B29/36 , Y10T428/26
Abstract: 本发明提供一种廉价的碳化硅液相外延生长用种晶件。单晶碳化硅液相外延生长用种晶件（12）具有含有结晶多型为3C的多晶碳化硅的表层。通过表层的X射线衍射，作为与结晶多型为3C的多晶碳化硅对应的衍射峰，观察到与（111）晶面对应的一级衍射峰，观察不到具有与（111）晶面对应的一级衍射峰的衍射强度的10%以上的衍射强度的其他的一级衍射峰。
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