半导体装置
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN113678246B

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202080024830.1

    申请日:2020-02-20

    Inventor: 加藤信之

    Abstract: 半导体装置(20)具备:散热部件(40);多个开关元件(50),分别具有主电极和焊盘(51p、52p),与散热部件连接且相互被并联连接;以及信号端子(80)。开关元件包括形成于Si基板的第1开关元件(51)和形成于SiC基板的第2开关元件(52)。第1开关元件及第2开关元件在制冷剂流动的方向上交替地配置。开关元件具有用来检测基板温度的温度感测焊盘(51pa、51pc、52pa、52pc)。在基板种类与位于制冷剂的最下游的开关元件相同的多个开关元件中,对于最下游设有与温度感测焊盘对应的信号端子,对于上游侧没有设置与温度感测焊盘对应的信号端子。

    半导体装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN107710407A

    公开(公告)日:2018-02-16

    申请号:CN201680032997.6

    申请日:2016-05-24

    Inventor: 加藤信之

    Abstract: 半导体装置,具备第1端子(T1)及第2端子(T2)、控制在第1端子与第2端子之间流动的输出电流的第1开关元件(10)、与第1开关元件并联连接的第2开关元件(20)、以及向第1开关元件和第2开关元件输出控制信号、分别独立地进行驱动的驱动电路部(50)。驱动电路部使第1开关元件和第2开关元件并联地驱动。第2开关元件配置在除了第1控制信号路径(LS1)及第1输出电流路径(LC1)以外的部分、且与第1开关元件相比距第1端子及第2端子的距离更远的位置,上述第1控制信号路径(LS1)将驱动电路部与第1开关元件相互连结而流通控制信号,上述第1输出电流路径(LC1)从第1端子经由第1开关元件到达第2端子而流通输出电流;从第1端子经由第2开关元件到达第2端子而流通输出电流的第2输出电流路径(LC2)比第1输出电流路径长。

    半导体装置
    4.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119816945A

    公开(公告)日:2025-04-11

    申请号:CN202380062937.9

    申请日:2023-08-22

    Abstract: 构成一相的上下臂电路的半导体装置具备经由焊料(104)连接的接头部(80、81)。与半导体元件的主电极电连接的多个焊料分别含有Cu及Sn。各焊料的连接对象分别具有Ni层。焊料(104)含有Cu及Sn,接头部(80、81)具有Ni层(801、811)。焊料(104)的粒径比以集电极电极为连接对象的焊料的粒径小。

    半导体器件和制造半导体器件的方法

    公开(公告)号:CN113675167A

    公开(公告)日:2021-11-19

    申请号:CN202110522671.4

    申请日:2021-05-13

    Inventor: 加藤信之

    Abstract: 在半导体器件中,半导体元件(40)包括半导体衬底(41)、表面电极(42)和保护膜(46)。半导体衬底(41)具有有源区域(410)和外周区域(411)。表面电极(42)包括设置在半导体衬底(41)的前表面(41a)上的基底电极(420)和设置在基底电极(420)上的连接电极。保护膜(46)覆盖基底电极(420)的周边端部(420a)和连接电极(421)的外周边缘(421b)。保护膜(46)具有使连接电极(421)露出的开口(46a),从而能够进行焊料连接。连接电极(421)的外周边缘(421b)和保护膜(46)之间的边界在平面图中位于与外周区域(411)相对应的位置。

    半导体装置
    7.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN119605325A

    公开(公告)日:2025-03-11

    申请号:CN202380050351.0

    申请日:2023-06-15

    Inventor: 加藤信之

    Abstract: 半导体元件(40)的发射极电极具有Al电极(422)和配置在Al电极(422)上的Ni电极(423)。将发射极电极与导电间隔件(70)接合的焊料(91)含有Cu及Sn。介于发射极电极与焊料(91)之间的合金层(100)含有Ni、Cu及Sn。对于焊料(91)而言,在Z方向的平面观察中,至少在与二极管区域(411d)重叠的部分中,半导体元件(40)侧的粒径比导电间隔件(70)侧的粒径小。

    半导体装置
    8.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107710407B

    公开(公告)日:2020-09-22

    申请号:CN201680032997.6

    申请日:2016-05-24

    Inventor: 加藤信之

    Abstract: 半导体装置,具备第1端子(T1)及第2端子(T2)、控制在第1端子与第2端子之间流动的输出电流的第1开关元件(10)、与第1开关元件并联连接的第2开关元件(20)、以及向第1开关元件和第2开关元件输出控制信号、分别独立地进行驱动的驱动电路部(50)。驱动电路部使第1开关元件和第2开关元件并联地驱动。第2开关元件配置在除了第1控制信号路径(LS1)及第1输出电流路径(LC1)以外的部分、且与第1开关元件相比距第1端子及第2端子的距离更远的位置,上述第1控制信号路径(LS1)将驱动电路部与第1开关元件相互连结而流通控制信号,上述第1输出电流路径(LC1)从第1端子经由第1开关元件到达第2端子而流通输出电流;从第1端子经由第2开关元件到达第2端子而流通输出电流的第2输出电流路径(LC2)比第1输出电流路径长。

    半导体装置
    10.
    发明公开
    半导体装置 审中-实审

    公开(公告)号:CN117916892A

    公开(公告)日:2024-04-19

    申请号:CN202280059482.0

    申请日:2022-08-31

    Abstract: 在将半导体芯片(10)密封于模塑树脂(60)的半导体装置中,半导体芯片(10)具有形成有半导体元件的单元区域(11)以及将单元区域(11)包围的外周区域(12),在半导体衬底(100)的一面(100a)侧,在外周区域(12)形成保护膜(140)。并且,关于保护膜(140),与半导体衬底(100)侧相反的一侧的表面(141)的表面粗糙度为5nm以上,并且在表面(141)形成有凹凸构造(150)。

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