公开(公告)号：CN105405747B

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201510856402.6

申请日：2011-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  斎藤隆行 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L29/49 ,  H01L29/786

Abstract: 在小型化晶体管中，需要栅极绝缘层减少其厚度；然而，在栅极绝缘层为单层氧化硅膜的情况下，由于隧道电流(即栅极泄漏电流)的增加，可能发生对栅极绝缘层的变薄的物理上的限制。通过将相对电容率高于或等于10的高k膜用于栅极绝缘层，减少了小型化晶体管的栅极泄漏电流。通过将高k膜用作相对电容率高于与氧化物半导体层接触的第二绝缘层的相对电容率的第一绝缘层，栅极绝缘层的厚度能够薄于考虑氧化硅膜的栅极绝缘层的厚度。

公开(公告)号：CN102906881B

公开(公告)日：2016-02-10

申请号：CN201180025311.8

申请日：2011-04-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  佐佐木俊成 ,  野田耕生 ,  佐藤瑞穗

IPC: H01L29/786 ,  G02F1/1368 ,  G09F9/30 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L51/50 ,  H05B33/14

CPC classification number: H01L29/78606 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/7869

Abstract: 本发明的目的是制造一种半导体装置，其中在使用氧化物半导体的晶体管中，电特性的变动小且可靠性高。作为形成沟道的氧化物半导体层的基底绝缘层，使用通过加热从其放出氧的绝缘层。从该基底绝缘层放出氧，由此可以降低该氧化物半导体层中的氧缺乏及该基底绝缘层与该氧化物半导体层之间的界面态。从而，可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体装置。

公开(公告)号：CN101490731B

公开(公告)日：2011-06-15

申请号：CN200780027257.4

申请日：2007-09-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  宇都德晃 ,  冈本知广

IPC: G08G1/017 ,  G06K17/00 ,  G08B13/00 ,  G08G1/052 ,  H04B5/02

CPC classification number: G08G1/017 ,  G06K17/0022 ,  G06K19/07749 ,  G08G1/052 ,  H04B5/0056

Abstract: 具有用于保存关于轮式车辆的信息的存储部的RFID标签被安装在轮式车辆上，并且外部询问器和RFID标签彼此交换信息。而且，具有用于保存关于轮式车辆的信息的存储部的RFID标签和用于与该RFID标签交换信息的通信装置被设置在轮式车辆上。当外部询问器和RFID标签彼此交换信息时，通信装置将状态信息保存在RFID标签的存储部中，其中的状态信息例如为：速度信息、日期与时间信息等。

公开(公告)号：CN111937161A

公开(公告)日：2020-11-13

申请号：CN201980024040.0

申请日：2019-03-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 掛端哲弥 ,  远藤佑太

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/768 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L23/522 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L27/1156 ,  H01L29/417 ,  H01L29/423 ,  H01L29/49 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种微型化及高集成化的半导体装置。本发明的一个方式的半导体装置包括第一绝缘体、第二绝缘体、第一导电体、第二导电体及半导体层。第一绝缘体包括露出半导体层的开口部。第一导电体以在开口部的底面与半导体层接触的方式配置。第二绝缘体以接触于第一导电体的上表面及开口部内的侧面的方式配置。第二导电体与第一导电体的上表面接触并隔着第二绝缘体配置在开口部内。第二绝缘体对氧具有阻挡性。

公开(公告)号：CN110709998A

公开(公告)日：2020-01-17

申请号：CN201880011285.5

申请日：2018-01-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太 ,  笹川慎也 ,  长塚修平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/07 ,  H01L27/12 ,  H01L27/06 ,  H01L27/1156 ,  H01L21/8258 ,  H01L21/822 ,  H01L21/82 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/108 ,  H01L21/34 ,  H03K19/177 ,  H03K3/356

Abstract: 提供一种适合于微型化及高集成化的半导体装置。本发明的一个实施方式包括：含有相邻的第一区域和第二区域、其间设置有第一区域及第二区域的第三区域和第四区域的第一氧化物；第一区域上的第二氧化物；第二氧化物上的第一绝缘体；第一绝缘体上的第一导电体；在第二氧化物上并在第一绝缘体及第一导电体的侧面的第二绝缘体；在第二区域上并在第二绝缘体的侧面的第三绝缘体；以及隔着第三绝缘体在第二区域上的第二导电体。第三绝缘体的一部分位于第二导电体和第二绝缘体的侧面之间。

公开(公告)号：CN101533769B

公开(公告)日：2012-10-03

申请号：CN200810189735.8

申请日：2008-12-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L21/76254

Abstract: 本发明的要旨为如下：准备单晶半导体衬底和由绝缘体构成的基底衬底，在单晶半导体衬底上形成Si类的第一绝缘膜，通过在距单晶半导体衬底表面有预定深度的位置中引入离子来形成剥离层，通过对基底衬底施加偏压进行等离子体处理来使基底衬底表面平坦化，采用溅射法在被平坦化的基底衬底上形成包含铝的第二绝缘膜，使单晶半导体衬底的表面和基底衬底的表面相对，粘合第一绝缘膜的表面和第二绝缘膜的表面，通过以剥离层为境界进行分离来在基底衬底上隔着第二绝缘膜及第一绝缘膜设置单晶半导体膜。

公开(公告)号：CN109791950A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201780060901.1

申请日：2017-10-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  泽井宽美 ,  木村肇

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8239 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/417 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

Abstract: 提供一种性能高且可靠性高的半导体装置。该半导体装置包括：第一氧化物；源电极；漏电极；第一氧化物、源电极及漏电极上的第二氧化物；第二氧化物上的栅极绝缘膜；以及栅极绝缘膜上的栅电极。源电极与第一氧化物电连接。漏电极与第一氧化物电连接。第一氧化物及第二氧化物都包含In、元素M(M是Al、Ga、Y或Sn)、Zn。第一氧化物及第二氧化物包含比元素M原子多的In原子。第一氧化物的In、Zn及元素M的原子个数比和第二氧化物的In、Zn及元素M的原子个数比相等或近似。

公开(公告)号：CN102709187B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201210093069.4

申请日：2012-03-23

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 井本裕己 ,  丸山哲纪 ,  远藤佑太

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/30 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L27/3274 ,  H01L51/0545

Abstract: 提供具有优秀电特性的半导体器件以及制造该半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括以下步骤：形成栅电极；形成栅绝缘膜以覆盖栅电极；在栅绝缘膜上形成氧化物半导体膜；在氧化物半导体膜上形成氢渗透膜；在氢渗透膜上形成氢捕获膜；执行热处理以从氧化物半导体膜释放氢；形成与一部分氧化物半导体膜接触的源电极和漏电极；以及去除氢捕获膜的暴露部分以形成由氢渗透膜形成的沟道保护膜。还提供由上述方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN102939659B

公开(公告)日：2016-08-17

申请号：CN201180028560.2

申请日：2011-06-01

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  远藤佑太

IPC: H01L29/786

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L22/10 ,  H01L23/564 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78606 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明的一个实施方式的目的是制造一种电特性的变动小且可靠性高的半导体器件，其中包括使用氧化物半导体的晶体管。在包括氧化物半导体层的晶体管中，在顶栅结构的情况下使用氧过剩的氧化硅（SiOx（X>2））作为基底绝缘层。通过使用氧过剩的氧化硅，氧从绝缘层放出，并且可以降低氧化物半导体层中的氧缺陷以及基底绝缘层或保护绝缘层与氧化物半导体层之间的界面态密度，从而可以制造电特性的变动小且可靠性高的半导体器件。

公开(公告)号：CN102725851B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201180008324.4

申请日：2011-01-12

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 远藤佑太 ,  斎藤隆行 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/108 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788 ,  H01L29/792

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/495 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517

Abstract: 在小型化晶体管中，需要栅极绝缘层减少其厚度；然而，在栅极绝缘层为单层氧化硅膜的情况下，由于隧道电流（即栅极泄漏电流）的增加，可能发生对栅极绝缘层的变薄的物理上的限制。通过将相对电容率高于或等于10的高k膜用于栅极绝缘层，减少了小型化晶体管的栅极泄漏电流。通过将高k膜用作相对电容率高于与氧化物半导体层接触的第二绝缘层的相对电容率的第一绝缘层，栅极绝缘层的厚度能够薄于考虑氧化硅膜的栅极绝缘层的厚度。