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公开(公告)号：CN112157672B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202011064876.4
申请日：2020-10-01
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于真空技术领域，具体为一种环形槽真空吸盘。本发明真空吸盘包括橡胶吸附部件、真空通路部件、真空发生器部件；前者材料为为异戊橡胶，后两者材料为不锈钢，真空通路部件上方开有沿直径方向、通过圆心的一排通气孔，通气孔与真空通路部件内部的腔体相连；橡胶吸附部件上方有环形槽，环形槽下方有与真空通路部件上通气孔对应的吸附孔；真空通路部件下方有通孔连接真空发生器部件；真空发生器部件利用压缩气体经过拉法尔喷管产生的卷吸效应产生吸附力。本发明三个部分成一体式结构，安装方便；不锈钢材料不易变形，异戊橡胶材料弹性大，抗撕裂性强，可控制被吸附对象变形量，并保证被吸附对象与真空吸盘吸附面充分的贴合，吸附效果优异。
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公开(公告)号：CN114092551B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202111178550.9
申请日：2021-10-10
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于智能驾驶技术领域，具体为一种基于全景视觉与激光雷达融合SLAM系统的智能车。本发明智能车搭载有全景相机和激光雷达等模块；全景相机能够采集智能车周围的场景的图像信息，并传输至计算机使用全景视觉与激光雷达融合SLAM系统进行处理，生成智能车的位姿和稀疏场景地图；激光雷达对前方的场景进行实时的扫描，然后将点云信息传输到计算机中。所述基于全景视觉与激光雷达融合SLAM智能车通过融合相机和激光雷达的数据，能进行更精确定位和建图。使用全景相机能实现反向闭环检测，当智能车快速拐弯时，也能稳定地进行跟踪。同时实现测距和避障等功能，保障了智能车在行驶过程中的安全性。
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公开(公告)号：CN114242594B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202111524853.1
申请日：2021-12-14
Applicant: 复旦大学 , 上海集成电路制造创新中心有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78
Abstract: 本发明提供了一种环栅器件上后栅单扩散隔断工艺方法，其用于形成单扩散隔断空腔的虚设伪栅极的刻蚀是在GAA器件的有源金属栅极制备完成后才进行，由于源/漏区会向两侧的鳍结构施加应力；而在沟道释放后，有源伪栅极对应的鳍结构中只剩下了沟道层，因而源/漏区的应力会集中到沟道层上，使得沟道层的应力得到增强。并且由于此时虚设伪栅极及其对应的鳍结构还未进行处理，其也会向GAA器件的沟道层传递应力，使得GAA器件的沟道层的应力达到最大；同时，由于在进行虚设伪栅极的刻蚀前，GAA器件的沟道层已经被有源金属栅极包裹，其对沟道层的应力产生禁锢作用，使得在后续虚设伪栅极刻蚀后，GAA器件的沟道层的应力因弛豫带来的影响降到最低。
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公开(公告)号：CN110103074B
公开(公告)日：2024-04-23
申请号：CN201910390938.1
申请日：2019-05-11
Applicant: 复旦大学
IPC: B23Q17/00
Abstract: 本发明属于超精密检测测量加工技术领域，具体为一种基于铰链结构的中空型调心调平机构。调心调平机构包括：调平装置底座、上下转轴座及其转轴、铰链中继环、调平装置上板、调心精密调节螺纹副、调平螺钉和调心载物台；其中调心结构与调平机构通过铰链中继环连接，通过精密调节螺纹副实现机构的调心功能和锁死，通过调平螺钉实现机构调平的功能并锁死；本发明通过巧妙设计，实现了一种中空型的调节机构，缩短了各个调节平面的间距（即厚度缩小），也避免了柔性铰链方式的刚度不足以及小量程的缺点，在减小系统复杂度的同时，降低了成本，同时还能保证足够的调节精度，对于大型工件的测量和加工提供了很好的解决方案。
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公开(公告)号：CN117766397A
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311791459.3
申请日：2023-12-25
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L21/308
Abstract: 本发明提供了F‑FET器件的沟道刻蚀方法，包括：在衬底上形成的若干堆叠结构，且通过隔离结构隔离；隔离结构包括隔离槽以及填充于隔离槽内的隔离保护层；每个堆叠结构均包括沿远离衬底的方向上堆叠的第一半导体层与第二半导体层；以隔离保护层为掩膜，刻蚀第一堆叠结构中的第二半导体，以形成第一刻蚀空腔，并仅保留第一半导体层；形成第一图形化的掩膜层；以第一图形化掩膜层为掩膜，刻蚀暴露出来的第二堆叠结构直至衬底的表层，以在第二堆叠结构中形成开槽；以剩余的第一图形化的掩膜层为掩膜，选择性刻蚀开槽两侧的第一半导体层，以形成第二刻蚀空腔，仅保留剩余的第二半导体层，在第一隔离结构沿第一方向的两侧分别形成第一半导体沟道结构。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113659972B
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202111069578.9
申请日：2021-09-13
Applicant: 复旦大学
IPC: H03K17/687
Abstract: 本发明提供了一种驱动电路以及电子设备，包括：第一开关与第二开关，第一控制模块、第二控制模块；第一控制模块接入第一控制信号，第一控制模块连接第一开关的控制极；第二控制模块接入第二控制信号，第二控制模块连接第二开关的控制极；第一电源向第一开关的第一极供电，第一开关的第二极连接第二开关的第一极，第二开关的第二极连接地。本发明不仅通过第一控制信号和第二控制信号进行控制，还将第一开关的控制极的信号作为驱动第二开关通断的条件，将第二开关的控制极的信号作为驱动第一开关通断的条件，对于第一开关和第二开关的控制准确度高、损耗低。
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公开(公告)号：CN116613061A
公开(公告)日：2023-08-18
申请号：CN202310440155.6
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/51 , H01L29/778 , H01L21/335
Abstract: 本发明提供了一种栅介质层的制作方法，栅介质层形成于MIS‑HEMT器件中，包括：提供一MIS‑HEMT器件结构；MIS‑HEMT器件结构的表面包括一栅介质区域；提供第一前驱体与第二前驱体，并在栅介质区域吸附第一前驱体与第二前驱体，以形成第一栅介质层；利用氧气等离子体轰击第一栅介质层，以形成第二栅介质层；第二栅介质层表征了去除第一栅介质层中的第一杂质之后的栅介质层；第一杂质表征了形成第一栅介质层的表面缺陷的杂质；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第一厚度的第二栅介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的第二栅介质层均形成于前一次生长的第一栅介质层的表面；N为大于等于1的正整数。以解决如何减小AlGaN/GaNHEMTs中栅介质层的界面陷阱的问题。
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公开(公告)号：CN116504617A
公开(公告)日：2023-07-28
申请号：CN202310440157.5
申请日：2023-04-23
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/285 , H01L29/51 , H01L21/335 , H01L29/778
Abstract: 本发明提供了一种介质层的制备方法，介质层形成于GaNHEMT功率器件中，包括：提供一待处理样品；待处理样品的表面包括介质生长区域；在介质生长区域生长第一厚度的介质层；利用氩气等离子体轰击介质层的表面；氩气等离子体用于轰击介质层的表面，以破坏介质层中的第一化学键；重复前述两个步骤N‑1次，直到生长出第二厚度的介质层为止；其中，每次生长的第一厚度的介质层均形成于前一次生长的介质层的表面；N为大于等于1的正整数。该技术方案解决了如何实现介质薄膜的低缺陷生长的问题，缓解了GaNHEMT器件电流崩塌现象，一定程度上避免了动态功耗增加，使得器件的输出电流减小、输出功率密度降低等问题，提高了器件的动态性能。
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公开(公告)号：CN116314319A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310219230.6
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06 , H01L29/423
Abstract: 本发明提供了一种增强型氮化镓功率器件，在p‑GaN层与栅极金属层之间设置栅介质层。由于栅介质层和p‑GaN层所具有的导带差可以提升AlGaN/GaN异质结处的势陷位置，使其进一步远离费米能级，从而可有效提高阈值电压，同时栅介质的引入可改善增强型氮化镓功率器件的栅漏电，解决现有的增强型氮化镓功率器件的栅压摆幅较小的问题。
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公开(公告)号：CN116314316A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211027.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、缓冲层、PN结、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：PN结包括P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中；阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中，N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。
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