公开(公告)号：CN113659972A

公开(公告)日：2021-11-16

申请号：CN202111069578.9

申请日：2021-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  金健 ,  孙梦园 ,  张卫

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种驱动电路以及电子设备，包括：第一开关与第二开关，第一控制模块、第二控制模块；第一控制模块接入第一控制信号，第一控制模块连接第一开关的控制极；第二控制模块接入第二控制信号，第二控制模块连接第二开关的控制极；第一电源向第一开关的第一极供电，第一开关的第二极连接第二开关的第一极，第二开关的第二极连接地。本发明不仅通过第一控制信号和第二控制信号进行控制，还将第一开关的控制极的信号作为驱动第二开关通断的条件，将第二开关的控制极的信号作为驱动第一开关通断的条件，对于第一开关和第二开关的控制准确度高、损耗低。

公开(公告)号：CN112953481A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202110114019.9

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  金健 ,  孙梦园 ,  王彬 ,  张卫

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/081

Abstract: 本发明提供了一种GaN晶体管的驱动模块、开关电路与电子设备，包括：第一下拉晶体管与反向过冲抑制单元，所述第一下拉晶体管的第一端直接或间接连接至所述GaN晶体管的栅极，所述反向过冲抑制单元连接于所述第一下拉晶体管的第二端与地之间，所述反向过冲抑制单元还直接或间接连接至所述GaN晶体管的栅极；所述反向过冲抑制单元用于：在所述GaN晶体管的栅极电压下降时，若所述栅极电压高于指定阈值时，以第一阻抗控制所述GaN晶体管栅极电荷的释放；若所述栅极电压低于所述指定阈值时，以第二阻抗控制所述GaN晶体管栅极电荷的释放；所述第一阻抗小于所述第二阻抗。

公开(公告)号：CN113659972B

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202111069578.9

申请日：2021-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  金健 ,  孙梦园 ,  张卫

IPC: H03K17/687

Abstract: 本发明提供了一种驱动电路以及电子设备，包括：第一开关与第二开关，第一控制模块、第二控制模块；第一控制模块接入第一控制信号，第一控制模块连接第一开关的控制极；第二控制模块接入第二控制信号，第二控制模块连接第二开关的控制极；第一电源向第一开关的第一极供电，第一开关的第二极连接第二开关的第一极，第二开关的第二极连接地。本发明不仅通过第一控制信号和第二控制信号进行控制，还将第一开关的控制极的信号作为驱动第二开关通断的条件，将第二开关的控制极的信号作为驱动第一开关通断的条件，对于第一开关和第二开关的控制准确度高、损耗低。

公开(公告)号：CN112953481B

公开(公告)日：2022-09-27

申请号：CN202110114019.9

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  金健 ,  孙梦园 ,  王彬 ,  张卫

IPC: H03K17/567 ,  H03K17/081

Abstract: 本发明提供了一种GaN晶体管的驱动模块、开关电路与电子设备，包括：第一下拉晶体管与反向过冲抑制单元，所述第一下拉晶体管的第一端直接或间接连接至所述GaN晶体管的栅极，所述反向过冲抑制单元连接于所述第一下拉晶体管的第二端与地之间，所述反向过冲抑制单元还直接或间接连接至所述GaN晶体管的栅极；所述反向过冲抑制单元用于：在所述GaN晶体管的栅极电压下降时，若所述栅极电压高于指定阈值时，以第一阻抗控制所述GaN晶体管栅极电荷的释放；若所述栅极电压低于所述指定阈值时，以第二阻抗控制所述GaN晶体管栅极电荷的释放；所述第一阻抗小于所述第二阻抗。

公开(公告)号：CN216162694U

公开(公告)日：2022-04-01

申请号：CN202122214732.9

申请日：2021-09-13

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  金健 ,  孙梦园 ,  张卫

IPC: H03K17/687 ,  H03K19/0175

Abstract: 本实用新型提供了一种驱动电路以及电子设备，包括：第一开关与第二开关，第一控制模块、第二控制模块；第一控制模块接入第一控制信号，第一控制模块连接第一开关的控制极；第二控制模块接入第二控制信号，第二控制模块连接第二开关的控制极；第一电源向第一开关的第一极供电，第一开关的第二极连接第二开关的第一极，第二开关的第二极连接地。本实用新型不仅通过第一控制信号和第二控制信号进行控制，还将第一开关的控制极的信号作为驱动第二开关通断的条件，将第二开关的控制极的信号作为驱动第一开关通断的条件，对于第一开关和第二开关的控制准确度高、损耗低。

公开(公告)号：CN214069897U

公开(公告)日：2021-08-27

申请号：CN202120237595.8

申请日：2021-01-27

Applicant: 复旦大学

Inventor： 徐敏 ,  金健 ,  孙梦园 ,  王彬 ,  张卫

IPC: H03K17/082

Abstract: 本实用新型提供了一种GaN晶体管的驱动模块、开关电路与电子设备，包括：第一下拉晶体管与反向过冲抑制单元，所述第一下拉晶体管的第一端直接或间接连接至所述GaN晶体管的栅极，所述反向过冲抑制单元连接于所述第一下拉晶体管的第二端与地之间，所述反向过冲抑制单元还直接或间接连接至所述GaN晶体管的栅极；所述GaN晶体管连接于第一电压源与地之间；所述反向过冲抑制单元用于：在所述GaN晶体管的栅极电压下降时，若所述栅极电压高于指定阈值时，以第一阻抗控制所述GaN晶体管栅极电荷的释放；若所述栅极电压低于所述指定阈值时，以第二阻抗控制所述GaN晶体管栅极电荷的释放；所述第一阻抗小于所述第二阻抗。