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公开(公告)号：CN113667711B
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202010409362.1
申请日：2020-05-14
Applicant: 复旦大学
IPC: C12Q1/02 , G01N33/68 , C12N5/0786 , A61K45/00 , A61K31/4706 , A61K31/5377 , A61P31/16
Abstract: 本发明属生物医药领技术域，涉及调节巨噬细胞极化的方法，具体涉及一种基于自噬‑外泌通路调节巨噬细胞极化的方法及其用途，本发明方法通过抑制细胞自噬行为和细胞外泌行为的化合物对巨噬细胞极化进行调节，经试验证实，通过细胞自噬‑细胞外泌通路阻断可以调节巨噬细胞M1自噬和招募，拮抗流感病毒诱导的巨噬细胞过度M1活化及招募，达到抑制流感病毒感染的作用。进一步，本方法的抑制细胞自噬行为和细胞外泌行为的化合物可用于制备治疗流感病毒感染的药物。
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公开(公告)号：CN116314318A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211079.1
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本法发明提供了一种具有防破坏性击穿功能的GaNHEMT器件结构，包括：衬底，且所述衬底上沿远离衬底的方向上依次形成有第一成核层、GaN缓冲层；pN二极管，所述pN二极管包括分别形成于所述GaN缓冲层表层第一区域与第二区域的p+掺杂区与N+掺杂区，以及分别形成于所述p+掺杂区与N+掺杂区上的阳极与阴极；其中，所述第一区域与第二区域为沿所述GaN缓冲层表面相对的两侧区域；GaNHEMT器件，形成于所述GaN缓冲层上；其中，所述pN二极管的击穿电压低于所述GaNHEMT器件的击穿电压。解决了当在GaNHEMT器件的源极与漏极之间施加大电压或者持续高压应力时，GaNHEMT器件会发生破坏性击穿的问题，从而实现了提高GaNHEMT器件可靠性的效果。
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公开(公告)号：CN116314317A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310211066.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/207
Abstract: 本发明提供了一种GaNHEMT器件，包括：GaNHEMT结构；其中，所述GaNHEMT结构的表层包括：第一区域、第二区域以及第三区域；所述第一区域、所述第二区域以及所述第三区域沿水平方向依次排列；p‑GaN材料层，包括：第一p‑GaN层与第二p‑GaN层；所述第一p‑GaN层形成于所述第二区域；所述第二p‑GaN层分布于所述第一区域与所述第三区域；其中，所述p‑GaN材料层中掺杂有镁离子，且仅所述第一p‑GaN层中的镁离子经激光选区退火的方式进行激活。本发明提供的技术方案解，决了刻蚀损伤的问题，避免了刻蚀对漂移区带来的损伤，同时也避免了导致器件退化。
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公开(公告)号：CN116313796A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202310223423.9
申请日：2023-03-09
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L21/335 , H01L29/778 , H01L29/40 , H01L29/423 , H01L29/15
Abstract: 本发明提供了一种GaN HEMT器件及其制备方法，通过在隔离层上外延形成若干层超晶格结构，隔离层的第一部分缺失，使得若干层超晶格结构和隔离层之间形成空腔，位于空腔上方的若干层超晶格结构的部分形成超晶格纳米线，栅金属从四周包裹住超晶格纳米线，其中的每层超晶格结构均包括沿远离所述衬底方向依次形成的AlN层、GaN层；每层GaN/AlN超晶格结构对应形成一导电沟道，进而提高GaN HEMT器件的输出电流，同时，环形栅金属可以从四周完全关断若干层超晶格结构对应的所有导电沟道，提高了GaN HEMT器件的栅控能力以及开关性能，从而实现了提高GaN HEMT器件性能的效果。
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公开(公告)号：CN116247096A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310211034.4
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种抗反向导通电流的凹栅增强型GaN HEMT结构，包括：阳极、阴极及依次堆叠的衬底、分隔层、凹栅增强型GaN HEMT器件；其中：衬底为SiC，其中包含有P型掺杂区以及N型掺杂区，且P型掺杂区包裹N型掺杂区；凹栅增强型GaN HEMT器件包括在分隔层上依次形成的第一成核层、沟道层以及势垒层；势垒层上开设有第一凹槽，第一凹槽贯穿势垒层，第一凹槽内填充有栅介质层以及栅极金属以形成栅极；且栅极两侧的势垒层上分别形成有源极和漏极；其中：阳极与P型掺杂区电性连接，且阳极电性连接至源极；阴极与N型掺杂区电性连接，且阴极电性连接至漏极；其中：N型掺杂区覆盖漏极下方的区域，且延伸至栅极下方的区域；通过PN结可抑制器件的反向导通电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116247094A
公开(公告)日：2023-06-09
申请号：CN202310211017.0
申请日：2023-03-07
Applicant: 复旦大学
IPC: H01L29/778 , H01L21/335 , H01L29/06
Abstract: 本发明提供了一种具有抑制衬底漏电结构的GaNHEMT器件，包括：衬底，以及形成于衬底上的缓冲层；第一P+型掺杂区与第一N+型掺杂区；其中，第一P+型掺杂区形成于缓冲层中；第一N+型掺杂区形成于部分第一P+型掺杂区的表层，且第一P+型掺杂区包裹第一N+型掺杂区；GaNHEMT结构；形成于缓冲层的顶端；其中，GaNHEMT结构包括栅极金属层与漏极金属层；栅极金属层与漏极金属层沿水平方向排列；其中，第一N+型掺杂区覆盖漏极金属层的下方区域，且延伸到第一掺杂区域；第一掺杂区域表征了栅极金属层与漏极金属层之间的下方区域。该方案解决了缓冲层产生漏电通道导致的器件的漏电流的加剧的问题，进而避免出现器件提前击穿现象，实现了器件性能的提高。
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公开(公告)号：CN106860471A
公开(公告)日：2017-06-20
申请号：CN201510922255.8
申请日：2015-12-13
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/7048 , A61K31/352 , A61P31/12 , A61P31/14 , A61P31/16 , A61P31/22 , A61P31/20
CPC classification number: A61K31/7048 , A61K31/352
Abstract: 本发明属生物医药技术领域，涉及抗病毒药物,具体涉及一种宿主AhR受体蛋白抑制剂黄芩苷类化合物或与其它抗病毒药物的组合物，在用于制备临床治疗多种病毒感染疾病药物中的用途。本发明中黄芩类化合物具有干扰宿主AhR受体蛋白信号通路，阻断病毒复制，进而拮抗多种病毒的活性；可与其它抗病毒药物制成药物组合物，用于治疗乙肝病毒，流感病毒，疱疹病毒或合胞病毒等疾病。
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公开(公告)号：CN106692168A
公开(公告)日：2017-05-24
申请号：CN201510452175.0
申请日：2015-07-28
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/704 , A61P19/10
Abstract: 本发明属于生物医药技术领域，提供了稀有人参皂苷compound K在制备预防和治疗骨质疏松及其他与Wnt/β-catenin信号通路相关的疾病的药物中的新用途。本发明经体外，体内实验，表明所述C-K对MC3T3-E1的增殖无显著性作用；具有诱导成骨细胞分化的作用，以及对Wnt10b和Wnt11的mRNA水平有明显的上调作用；对Wnt通路中下游信号基因均具有显著上调作用，动物实验结果显示，经C-K干预后，对炎症引起的骨质破坏具有逆转及促进骨滑膜细胞增殖的作用；本发明的人参皂苷compound K进一步可用于制备预防和治疗骨质疏松的药物，及其他与Wnt/β-catenin信号通路相关的疾病的药物。
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公开(公告)号：CN105434454A
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201410521522.6
申请日：2014-09-30
Applicant: 复旦大学
IPC: A61K31/7072 , A61K31/7048 , A61K31/522 , A61K31/513 , A61P31/20 , A61P35/00 , A61P1/16 , A61K31/352
Abstract: 本发明属生物医药技术领域，涉及一种治疗HBV耐药株感染的药物组合物，具体涉及由黄芩类化合物与核苷类药物组成的药物组合物，本发明的药物组合物中，包括黄芩类化合物一种或几种，以及一种或多种核苷类似物；所述黄芩类化合物特异性抑制HBV病毒耐药株胞内复制所必须的肝核因子，所述黄芩类化合物可单独使用，用以特异性抑制宿主细胞肝核因子，控制乙肝病毒耐药突变株的复制，或与核苷类似物联合配伍使用，能有效增强乙肝病毒耐药突变株的治疗效果，减少核苷类药物的毒副作用。本发明的药物组合物适用于临床治疗乙肝病毒耐药突变株感染或者预防乙肝病毒感染引发的肝癌等疾病。
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公开(公告)号：CN103463633B
公开(公告)日：2016-03-30
申请号：CN201210185406.2
申请日：2012-06-07
Applicant: 复旦大学
Abstract: 本发明属于生物医药领域，涉及一种靶向表皮生长因子受体突变体3的嵌合乙肝核心抗原治疗型疫苗及其用途，本发明的治疗型疫苗由表皮生长因子受体突变体3表位抗原和乙肝核心抗原病毒样颗粒制备成嵌合抗原，该治疗型疫苗中EGFRvIII表位和乙肝核心抗原HBc能同时诱导抗EGFRvIII和HBc的抗体及相应的细胞免疫，对病毒性乙肝病人及肝癌具有协同治疗作用，可用于临床治疗肝癌及乙肝携带者肝癌病人。对预防和减低我国原发性肝癌的发生率具有显著地临床意义。
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