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公开(公告)号：CN100459125C
公开(公告)日：2009-02-04
申请号：CN200510075516.3
申请日：2005-06-02
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/561 , H01L23/3114 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1147 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/351 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体器件，其特征在于：具备底部件(1)；至少一个半导体构成体(2)，设置在所述底部件(1)上，并且具有半导体衬底(4)和设置在该半导体衬底(4)的多个外部连接用电极(5、12)；设置在对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域上的绝缘层(15)；和紧贴力提高膜(14a、14b)，设置在所述半导体构成体(2)的周侧面与所述绝缘层(15)之间、对应于所述半导体构成体(2)的周围的所述底部件(1)的区域与所述绝缘层(15)之间的至少之一中。
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公开(公告)号：CN100468719C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480001704.5
申请日：2004-05-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/538 , H01L23/498 , H01L23/31 , H01L25/065 , H01L21/68
CPC classification number: H01L24/83 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L2223/6677 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/1147 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1058 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/09701 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2224/82 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体封装，包括底板、至少一个半导体结构体、绝缘层、上部互连、下部互连，该半导体结构体形成在底板的一个表面上而且具有形成在半导体衬底上的多个外部连接电极，该绝缘层形成在该底板的一个表面上，环绕半导体结构体，该上部互连形成在该绝缘层上而且每个都包括至少一个互连层，至少一些上部互连连接到半导体结构体的外部连接电极，该下部互连形成在该底板的另一个表面上而且每个都包括至少一个互连层，至少一些下部互连电连接到上部互连。
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公开(公告)号：CN100418211C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200480022204.X
申请日：2004-12-21
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L24/97 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32225 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/14 , H01L2224/82 , H01L2224/83 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件包括基板(1)，和形成在基板(1)上的半导体结构体(2)。半导体结构体具有半导体衬底(4)和形成在半导体衬底(4)上的多个外部连接电极(5、12)。绝缘层(14)围绕着半导体结构体(2)形成在基板(1)上。硬板(15)形成在绝缘层(14)上。互连(19)连接到半导体结构体(2)的外部连接电极(5、12)。
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公开(公告)号：CN1698198A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：CN200480000058.0
申请日：2004-01-16
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括至少一个半导体构件(3)，该半导体构件(3)具有形成在半导体衬底(5)上的多个外部连接电极(6)。绝缘部件(14、14A)设置在半导体构件(3)的一侧上。上部互连(17、54)具有连接焊盘部分，所述连接焊盘部分设置在对应上部互连的绝缘板件(14、41A)上并连接到半导体构件(3)的外部连接电极(6)上。
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公开(公告)号：CN100418215C
公开(公告)日：2008-09-10
申请号：CN200510071656.3
申请日：2005-03-31
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L23/50 , H01L23/552 , H01L24/19 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L2224/04105 , H01L2224/05001 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05024 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05548 , H01L2224/05569 , H01L2224/05647 , H01L2224/12105 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/29298 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/82047 , H01L2224/83191 , H01L2224/83856 , H01L2224/92 , H01L2224/92244 , H01L2924/00013 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/10253 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2224/83 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929
Abstract: 本发明涉及半导体器件及其制造方法。半导体器件，它包括：被施加接地电位的金属箔(2、2A)；设置在所述金属箔(2、2A)上的至少一个半导体构成体(3)，其具有半导体衬底(6)和设在该半导体衬底(6)上的多个外部连接用电极(9、16)；设置在所述半导体构成体(3)周围的绝缘层(21)，其实质上与所述半导体构成体(3)的厚度相同；在所述半导体构成体(3)和所述绝缘层(21)上设置与所述半导体构成体(3)的外部连接用电极(9，16)连接的至少一层上层布线(25)；和至少贯穿所述绝缘层(21)、连接所述金属箔(2、2A)和所述上层布线(25)的上下导通部分(32)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100397629C
公开(公告)日：2008-06-25
申请号：CN200480000058.0
申请日：2004-01-16
Applicant: 卡西欧计算机株式会社 , CMK株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/485
CPC classification number: H01L21/568 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/24 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/18162 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括至少一个半导体构件(3)，该半导体构件(3)具有形成在半导体衬底(5)上的多个连接焊盘(6)。绝缘部件(14、14A)设置在半导体构件(3)的一侧上。上部互连(17、54)具有连接焊盘部分，所述连接焊盘部分设置在对应上部互连的绝缘板件(14、41A)上并连接到半导体构件(3)的外部连接电极(12)上。
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公开(公告)号：CN101548378B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200880000828.X
申请日：2008-08-07
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L2221/68345 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/20 , H01L2224/211 , H01L2224/24195 , H01L2224/32225 , H01L2224/92144 , H01L2224/97 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01058 , H01L2924/01078 , H01L2924/01087 , H01L2924/07802 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2224/82 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 一种半导体器件，包括由半导体衬底(4)和多个设置于所述半导体衬底下方的外部连接电极构成的半导体结构(2)。下绝缘膜(1)设置于所述半导体结构的下方和外侧。密封膜(28)设置于所述下绝缘膜上以覆盖所述半导体结构的外围。多个下布线线路(22)设置于所述下绝缘膜下方并分别连接至所述半导体结构的所述外部连接电极。
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公开(公告)号：CN102201389A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110070548.X
申请日：2011-03-23
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/498 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/14 , H01L23/3114 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/02311 , H01L2224/02313 , H01L2224/02331 , H01L2224/02377 , H01L2224/0239 , H01L2224/03902 , H01L2224/0391 , H01L2224/0401 , H01L2224/05005 , H01L2224/05008 , H01L2224/05024 , H01L2224/05082 , H01L2224/05147 , H01L2224/05155 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/056 , H01L2224/05647 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1181 , H01L2224/11849 , H01L2224/11901 , H01L2224/13005 , H01L2224/13022 , H01L2224/13082 , H01L2224/13099 , H01L2224/13111 , H01L2224/14131 , H01L2224/16506 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , H01L2224/11 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置，在配线(7)的焊接区上方设有锡扩散抑制层(12)，在该锡扩散抑制层(12)上方设有焊球(13)。从而，即使该半导体装置为处理大电流的电源IC等，也能够通过锡扩散抑制层(12)的存在而进一步抑制焊球(13)中的锡向配线(7)扩散。
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公开(公告)号：CN101944495A
公开(公告)日：2011-01-12
申请号：CN201010220856.1
申请日：2010-07-01
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L21/58 , H01L21/56 , H01L21/60 , H01L21/3205
CPC classification number: H01L23/3128 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/525 , H01L23/5389 , H01L23/552 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L24/19 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/32225 , H01L2224/73253 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/83005 , H01L2224/83855 , H01L2224/92144 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/181 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及半导体器件的制造方法，其目的是不给半导体元件带来激光的热损伤。半导体器件的制造方法包括：在配置于第1基材且具有第1导通孔的第1绝缘膜的一个面，通过粘接剂粘接了形成有电极的半导体元件；将所述基材从所述第1绝缘膜除去；经由所述第1导通孔对所述粘接剂照射第1激光，在所述粘接剂形成第2导通孔，使所述电极从所述粘接剂露出；在所述第2导通孔中形成金属层，将所述金属层与所述电极连接。
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公开(公告)号：CN101785106A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN200880104037.1
申请日：2008-08-21
Applicant: 卡西欧计算机株式会社
Inventor： 定别当裕康
IPC: H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/6835 , H01L23/3675 , H01L25/105 , H01L2221/68345 , H01L2221/68359 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/24195 , H01L2224/24227 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/82039 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2225/1023 , H01L2225/1035 , H01L2225/1094 , H01L2924/01015 , H01L2924/01078 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/15174 , H01L2924/15311 , H01L2924/15331 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3025 , H01L2924/3511 , H01L2924/00
Abstract: 一种半导体装置包括具有半导体基片(4)和多个设置在半导体基片(4)下方的外部连接电极(13)的半导体组件(2)。下层绝缘膜(1)设置在半导体组件下方并围绕半导体组件。多个下层线路(22，22A)设置在下层绝缘膜下方并电连接到半导体组件的外部连接电极。绝缘层(31)围绕半导体组件设置并位于下层绝缘膜上。框架状绝缘基片(32)被埋在绝缘层上表面内并围绕半导体组件(2)设置。多个上层线路(34)设置在所述绝缘基片上。上面安装半导体组件和绝缘层的基板(41)被除去。
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