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公开(公告)号：CN118954421A
公开(公告)日：2024-11-15
申请号：CN202410976447.6
申请日：2024-07-20
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 一种TSV结构的制备方法，它包括以下步骤：在晶圆上制备出氧化硅薄膜，在氧化硅薄膜上键合有衬底晶圆，在晶圆上制备刻蚀盲孔，在氧化硅薄膜上表面和刻蚀盲孔内设置多晶硅，去除层氧化硅薄膜的上表面上的多晶硅层，而后去除衬底晶圆，即形成TSV结构。本发明步骤简便，操作方便通过晶圆键合实现TSV刻蚀的自停止，精准控制了TSV深度，保证了后续多晶硅填充的一致性和无孔隙，实现了全硅结构的微封装，真正实现了“晶圆级封装”，TSV技术也使得光MEMS器件、MEMS传感器以及微流器件等实现了先进的互联集成功能。
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公开(公告)号：CN114420556A
公开(公告)日：2022-04-29
申请号：CN202210069632.8
申请日：2022-01-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/308 , H01L21/768
Abstract: 本发明涉及一种晶圆V形TSV孔刻蚀结构的制备方法，包括以下步骤：S1、在衬底表面制备氧化硅掩蔽层及光刻胶；S2、刻蚀掩蔽层形成喇叭形开口；S3、刻蚀衬底形成TSV盲孔；S4、去除衬底光刻胶用SF6气体对掩蔽层进行刻蚀，确保TSV盲孔的侧掏尖角裸露出来；S5、取消刻蚀偏置功率，用SF6气体进行刻蚀掉侧掏尖角形成交界面平滑的TSV盲孔孔壁；S6、去除掩蔽层减薄多余硅衬底形成TSV通孔，在通孔内沉积氧化硅绝缘层、电镀金形成导电通孔，实现晶圆正反面电气信号的连接。本发明的有益效果是：1.避免后续CVD工艺导致介质层缩口的问题；2.避免电镀过程中TSV通孔孔口提前封口造成孔内出现空洞的问题。
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公开(公告)号：CN112271135A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN110690142A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910816121.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种芯片减薄保护方法及其装置，它包括芯片减薄保护装置，在芯片减薄保护装置内放置腐蚀液，而后将需要减薄的芯片浸入腐蚀液中进行减薄。本发明具有芯片减薄步骤简单，操作方便、芯片减薄时对芯片保护效果好等优点。
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公开(公告)号：CN110702332B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112271135B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN114300356A
公开(公告)日：2022-04-08
申请号：CN202111479946.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。
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公开(公告)号：CN110702332A
公开(公告)日：2020-01-17
申请号：CN201910793433.X
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种评价MEMS真空封装性能的方法，包括以下步骤：S1、在真空探针台中对未封装时的MEMS产品测量在目标封装真空度P1下的Q值，记为Q11；S2、计算MEMS产品在目标气体泄漏速率下放置10年后真空腔室的真空度P2，测量在真空度P2下的Q值，记为Q21；S3、将MEMS产品真空封装，测量MEMS产品的Q值，记为Q12；S4、对比Q11与Q12，若Q12小于80%的Q11，则MEMS真空封装未达到目标真空度；S5、将真空封装的MEMS产品进行氩气加压实验，然后测量MEMS产品的Q值，记为Q22；S6、对比Q21与Q22，若Q22小于80%的Q21，则真空封装气体泄漏速率不合格。
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公开(公告)号：CN114300356B
公开(公告)日：2024-03-19
申请号：CN202111479946.7
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/329 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供一种用于雪崩二极管的微结构金属引脚的制备方法，其特征在于它包括以下步骤：1）基片选择，2）基片清洗，3）蒸发，4）光刻，5）第一次湿法腐蚀，6）电镀，7）去胶，8）第二次湿法腐蚀，9）金属引脚的释放。本发明操作简单，使用方便，实施成本较低提高了引脚制备工艺后的线条控制精度，提高微结构制备的合格率及器件的产能，提高了企业经济效益。
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公开(公告)号：CN117185248A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311105916.9
申请日：2023-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: B81C1/00
Abstract: 本发明提供一种凹腔内TSV晶圆盖板的制备方法，它包括以下步骤：在单晶硅晶圆上制备槽体与导电柱；在槽体内设有TSV深槽，在TSV深槽内设置贯穿单晶硅晶圆的多晶硅柱状结构，在导电柱上设置有金属球。本发明公开的步骤简便，容易实施，与传统TSV加工方法相比，即保留了TSV直接引出的特点，又为可动结构保留了运动空间。
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