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公开(公告)号：CN106981479A
公开(公告)日：2017-07-25
申请号：CN201710038848.7
申请日：2017-01-19
Applicant: 三菱电机株式会社
Abstract: 本发明涉及功率模块、3相逆变器系统以及功率模块的检查方法。功率模块具有：下桥臂用的第一MOS晶体管(Q1)及第一肖特基势垒二极管(D1)、以及上桥臂用的第二MOS晶体管(Q2)及第二肖特基势垒二极管(D2)。在一个实施方式中，正侧以及负侧的电源端子(P、N)各设置1个，与第一及第二MOS晶体管(Q1、Q2)连接的输出端子(MO)和与第一及第二肖特基势垒二极管(D1、D2)连接的输出端子(DO)分离。
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公开(公告)号：CN106340499A
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201610537376.5
申请日：2016-07-08
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/367 , H01L23/31
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2924/00014 , H01L23/367 , H01L23/3157
Abstract: 得到能够防止散热性和顾客成本变差的半导体模块。在散热器(1)之上安装有半导体元件散热器(1)的一部分、端子(4)的一部分以及半导体元件(3)封装。端子(4)从树脂(8)的侧面凸出至外侧。散热器(1)具有：第1部件(1a)，其从树脂(8)的下表面凸出至外侧；以及第2部件(1b)，其与第1部件(1a)一体地构成，在树脂(8)的外侧配置于第1部件(1a)的下方。第2部件(1b)的横宽比第1部件(1a)的横宽大。在第2部件(1b)的比第1部件(1a)横向伸出的部分的上表面与树脂(8)的下表面之间设置有空间。(3)。端子(4)与半导体元件(3)连接。树脂(8)将
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公开(公告)号：CN108133927A
公开(公告)日：2018-06-08
申请号：CN201711251027.8
申请日：2017-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/18 , H02M7/00
Abstract: 半导体装置(101)具有高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)彼此重叠的结构。还具有跨越高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)且载置高电位侧集成电路(12)及低电位侧集成电路(22)的控制侧框架(31)。高电位侧模块部分(10)的高电位侧集成电路(12)和低电位侧模块部分(20)的低电位侧集成电路(22)载置于控制侧框架(31)的一个主表面之上。控制侧框架(31)在高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)的边界(B1、B2)，以高电位侧半导体芯片(11)和低电位侧半导体芯片(21)彼此相对的方式弯折。
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公开(公告)号：CN103915425B
公开(公告)日：2018-03-09
申请号：CN201310744991.X
申请日：2013-12-30
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L25/07
CPC classification number: H03K17/567 , H01L23/3107 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/32245 , H01L2224/45015 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49175 , H01L2224/49505 , H01L2224/73265 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/12035 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H03K17/12 , H03K2217/0036 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/20751 , H01L2924/20752 , H01L2924/20753 , H01L2924/00014
Abstract: 针对使IGBT和MOSFET并联动作而作为开关设备进行使用的功率用半导体装置，将装置整体小型化。IGBT及MOSFET中的配置在栅极控制电路的附近的晶体管，将从栅极控制电路发送来的栅极控制信号，发送至配置在远离栅极控制电路的位置处的晶体管的栅极。而且，经由电阻元件，将栅极控制信号发送至配置在栅极控制电路的附近的晶体管。
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公开(公告)号：CN105097719B
公开(公告)日：2018-02-06
申请号：CN201510262835.9
申请日：2015-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/367 , H01L21/58 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/565 , H01L23/4006 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49568 , H01L24/83 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/171 , H01L2924/00
Abstract: 具有：半导体元件(1)；框架(2)，其具有第1面(2A)，在第1面(2A)上保持半导体元件(1)，并且，该框架与半导体元件(1)电连接；以及封装体(3)，其具有电绝缘性，对半导体元件(1)和框架(2)进行封装，在封装体(3)中形成有通孔(4)，通孔(4)具有孔轴，该孔轴在与第1面(2A)交叉的方向上延伸，在通孔(4)的内部露出的封装体(3)的内周端面相对于孔轴倾斜。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105097719A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510262835.9
申请日：2015-05-21
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/13 , H01L23/367 , H01L21/58 , H01L21/50
CPC classification number: H01L23/3107 , H01L21/565 , H01L23/4006 , H01L23/49541 , H01L23/49551 , H01L23/49568 , H01L24/83 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/171 , H01L2924/00
Abstract: 具有：半导体元件(1)；框架(2)，其具有第1面(2A)，在第1面(2A)上保持半导体元件(1)，并且，该框架与半导体元件(1)电连接；以及封装体(3)，其具有电绝缘性，对半导体元件(1)和框架(2)进行封装，在封装体(3)中形成有通孔(4)，通孔(4)具有孔轴，该孔轴在与第1面(2A)交叉的方向上延伸，在通孔(4)的内部露出的封装体(3)的内周端面相对于孔轴倾斜。
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公开(公告)号：CN103824844A
公开(公告)日：2014-05-28
申请号：CN201310575019.4
申请日：2013-11-15
Applicant: 三菱电机株式会社
CPC classification number: H01L21/4825 , H01L21/4842 , H01L21/50 , H01L23/3735 , H01L23/4334 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48247 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/49111 , H01L2924/00012
Abstract: 功率半导体模块（10）具有：第1框架部（5）、功率半导体元件（1）、第2框架部（6）、控制用集成电路（2）、导线（7a）和绝缘体部（4）。功率半导体元件（1）搭载在第1框架部（5）的第1表面（5a）上。控制用集成电路（2）搭载在第2框架部（6）的第3表面（6a）上，且用于控制功率半导体元件（1）。导线（7a）的一端与功率半导体元件（1）连接，且另一端与控制用集成电路（2）连接。在与第1框架部（5）的第1表面（5a）垂直的方向上，第1框架部（5）的第1表面（5a）和第2框架部（6）的第3表面（6a）位于相同的高度。由此，能够提供一种功率半导体模块（1）及其制造方法，其通过实现导线（7a）的环稳定化，能够抑制导线（7a）的断线或短路。
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公开(公告)号：CN108133927B
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN201711251027.8
申请日：2017-12-01
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/18 , H02M7/00
Abstract: 半导体装置(101)具有高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)彼此重叠的结构。还具有跨越高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)且载置高电位侧集成电路(12)及低电位侧集成电路(22)的控制侧框架(31)。高电位侧模块部分(10)的高电位侧集成电路(12)和低电位侧模块部分(20)的低电位侧集成电路(22)载置于控制侧框架(31)的一个主表面之上。控制侧框架(31)在高电位侧模块部分(10)和低电位侧模块部分(20)的边界(B1、B2)，以高电位侧半导体芯片(11)和低电位侧半导体芯片(21)彼此相对的方式弯折。
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公开(公告)号：CN111537856A
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN202010078774.1
申请日：2020-02-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的目的在于提供能够准确地预测寿命的半导体模块以及该半导体模块的寿命预测系统。本发明涉及的半导体模块具有：IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)；测定电路(5a、5b)，它们对IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的特性进行测定；以及存储器(6)，其对IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的预先确定的特性的初始值、测定电路(5a、5b)所测定出的IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的特性的测定值、IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的预先确定的特性劣化的判定值进行存储。
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