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公开(公告)号:CN111537856A
公开(公告)日:2020-08-14
申请号:CN202010078774.1
申请日:2020-02-03
Applicant: 三菱电机株式会社
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明的目的在于提供能够准确地预测寿命的半导体模块以及该半导体模块的寿命预测系统。本发明涉及的半导体模块具有:IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b);测定电路(5a、5b),它们对IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的特性进行测定;以及存储器(6),其对IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的预先确定的特性的初始值、测定电路(5a、5b)所测定出的IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的特性的测定值、IGBT(2a、2b)以及二极管(3a、3b)的预先确定的特性劣化的判定值进行存储。
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