制造半导体器件的方法和图案化方法

    公开(公告)号:CN106548931B

    公开(公告)日:2021-09-14

    申请号:CN201610831395.9

    申请日:2016-09-19

    Abstract: 提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法,所述制造半导体器件的方法包括:在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案;在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构;形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案;在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区,在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。

    半导体装置及其制造方法
    7.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112447852A

    公开(公告)日:2021-03-05

    申请号:CN202010885689.6

    申请日:2020-08-28

    Inventor: 李光永 李珍旭

    Abstract: 一种半导体装置包括设置在衬底上的源极/漏极图案和连接到源极/漏极图案的源极/漏极触点。源极/漏极触点包括在第一方向上延伸的下触点结构和从下触点结构突出的上触点结构。上触点结构包括在第一方向上彼此背离的第一侧壁和第二侧壁。上触点结构的第一侧壁包括多个第一子侧壁,并且各个第一子侧壁包括凹面。

    具有多个栅结构的半导体器件

    公开(公告)号:CN106169472B

    公开(公告)日:2020-02-21

    申请号:CN201610186038.1

    申请日:2016-03-29

    Abstract: 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括:基板,具有第一区域和第二区域;多个第一栅结构,在第一区域中,所述第一栅结构彼此间隔开第一距离;多个第二栅结构,在第二区域中,所述第二栅结构彼此间隔开第二距离;第一间隔物,在第一栅结构的侧壁上;电介质层,在第一间隔物上;第二间隔物,在第二栅结构的侧壁上;以及第三间隔物,在第二间隔物上。

    具有多个栅结构的半导体器件

    公开(公告)号:CN106169472A

    公开(公告)日:2016-11-30

    申请号:CN201610186038.1

    申请日:2016-03-29

    Abstract: 本公开提供具有多个栅结构的半导体器件。一种半导体器件包括:基板,具有第一区域和第二区域;多个第一栅结构,在第一区域中,所述第一栅结构彼此间隔开第一距离;多个第二栅结构,在第二区域中,所述第二栅结构彼此间隔开第二距离;第一间隔物,在第一栅结构的侧壁上;电介质层,在第一间隔物上;第二间隔物,在第二栅结构的侧壁上;以及第三间隔物,在第二间隔物上。

    半导体器件及其制造方法
    10.
    发明授权

    公开(公告)号:CN106057872B

    公开(公告)日:2020-08-28

    申请号:CN201610239698.1

    申请日:2016-04-18

    Abstract: 本发明提供了一种包括具有相对窄的宽度和相对小的间距的栅线的半导体器件以及一种制造该半导体器件的方法,所述半导体器件包括:衬底,其具有鳍式有源区;栅极绝缘层,其覆盖鳍式有源区的上表面和侧部;以及栅线,其延伸并且与鳍式有源区交叉同时覆盖鳍式有源区的上表面和两侧,栅线位于栅极绝缘层上,其中在垂直于栅线的延伸方向的剖面中,栅线的上表面的中心部分具有凹进形状。

Patent Agency Ranking