包括沟道结构的半导体器件

    公开(公告)号:CN108074935B

    公开(公告)日:2022-02-01

    申请号:CN201711076689.6

    申请日:2017-11-06

    Abstract: 本公开提供了包括沟道结构的半导体器件。一种半导体器件包括设置在半导体衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。多个分隔图案设置为穿透堆叠结构。沟道结构设置在所述多个分隔图案中的两个相邻的分隔图案之间。沟道结构包括插置在堆叠结构与半导体衬底之间同时与半导体衬底接触的水平部分,并且包括在垂直方向上从水平部分延伸并穿透堆叠结构的垂直部分。下部结构插置在水平部分与分隔图案之间。电介质结构插置在垂直部分与堆叠结构之间并在水平部分与堆叠结构之间延伸。

    包括沟道结构的半导体器件

    公开(公告)号:CN108074935A

    公开(公告)日:2018-05-25

    申请号:CN201711076689.6

    申请日:2017-11-06

    CPC classification number: H01L27/11582 H01L27/11565

    Abstract: 本公开提供了包括沟道结构的半导体器件。一种半导体器件包括设置在半导体衬底上的堆叠结构。堆叠结构包括交替堆叠的层间绝缘层和栅电极。多个分隔图案设置为穿透堆叠结构。沟道结构设置在所述多个分隔图案中的两个相邻的分隔图案之间。沟道结构包括插置在堆叠结构与半导体衬底之间同时与半导体衬底接触的水平部分,并且包括在垂直方向上从水平部分延伸并穿透堆叠结构的垂直部分。下部结构插置在水平部分与分隔图案之间。电介质结构插置在垂直部分与堆叠结构之间并在水平部分与堆叠结构之间延伸。

    半导体器件
    5.
    发明授权

    公开(公告)号:CN108574003B

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN201810170688.6

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。

    电子装置和使用电子装置估计生物信息的方法

    公开(公告)号:CN116098579A

    公开(公告)日:2023-05-12

    申请号:CN202210311993.9

    申请日:2022-03-28

    Abstract: 提供了一种电子装置和使用电子装置估计生物信息的方法。所述电子装置可包括:光学传感器,被配置为在校准期间向参考对象发射参考光并且检测从参考对象反射的参考光,并且在测量期间向目标对象发射测量光并且检测从目标对象反射的测量光;显示器;和处理器,被配置为:当所述电子装置被放置在充电器上并且处于充电状态时,基于从参考对象反射的参考光来执行光学传感器的校准;在所述电子装置的充电之后,控制显示器根据测量的进展阶段输出用于估计生物信息的引导信息;并且基于从目标对象反射的测量光的光量和从参考对象反射的参考光的光量来估计生物信息。

    半导体器件
    9.
    发明授权

    公开(公告)号:CN107452797B

    公开(公告)日:2022-08-09

    申请号:CN201710286361.0

    申请日:2017-04-27

    Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括具有有源图案的衬底、交叉有源图案的导电图案、在导电图案的至少一个侧表面上的间隔物结构、以及在导电图案上的封盖结构。封盖结构包括第一封盖图案和第二封盖图案。第二封盖图案设置在第一封盖图案的顶表面和间隔物结构的顶表面上。

    半导体器件
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108574003A

    公开(公告)日:2018-09-25

    申请号:CN201810170688.6

    申请日:2018-03-01

    Abstract: 本公开涉及半导体器件。一种半导体器件包括从衬底凸出并在第一方向上延伸的鳍式有源区域、覆盖鳍式有源区域的上表面和侧壁并在交叉第一方向的第二方向上延伸的栅电极、在栅电极的彼此相反的侧壁上的栅极间隔物结构、在栅电极上并在第二方向上延伸的绝缘封盖层、在栅电极的彼此相反的侧壁上且在栅极间隔物结构的上表面上的绝缘衬垫、以及在栅电极的侧面的自对准接触。绝缘衬垫可以具有小于栅极间隔物结构的第一厚度的第二厚度。自对准接触的侧壁可以与栅极间隔物结构和绝缘衬垫接触。

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