公开(公告)号：CN110880181B

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN201910492972.X

申请日：2019-06-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱

IPC: G06T7/11

Abstract: 在用于半导体器件中的版图图案的分割方法中，将设计版图划分为多个区块。基于目标版图图案和相邻版图图案的顶点，设置用于目标区块中的目标版图图案和相邻区块中的相邻版图图案的多个第一分割点。设置用于至少一个例外版图图案的至少一个第二分割点。所述至少一个例外版图图案是其中未设置第一分割点并且延伸穿过一个区块的边界的版图图案。基于第一分割点和第二分割点设置用于目标版图图案和相邻版图图案的多个第三分割点。基于第一分割点、第二分割点和第三分割点将目标版图图案划分为多个目标区段。

公开(公告)号：CN114566466A

公开(公告)日：2022-05-31

申请号：CN202111402444.4

申请日：2021-11-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金尚昱 ,  南胜杰 ,  文泰欢 ,  李光熙 ,  许镇盛 ,  裵鹤烈 ,  李润姓

IPC: H01L21/8238

Abstract: 提供了一种半导体器件，包括具有半导体沟道层和金属氧化物半导体沟道层的第一半导体晶体管，并且具有其中第二半导体晶体管堆叠在第一半导体晶体管的顶部上的结构。第二半导体晶体管的栅极堆叠和第一半导体晶体管的栅极堆叠的顶部可以重叠大于或等于90％。第一半导体晶体管和第二半导体晶体管可以具有相似水平的操作特性。

公开(公告)号：CN112684659A

公开(公告)日：2021-04-20

申请号：CN202011072242.3

申请日：2020-10-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 韩奎斌 ,  金尚昱

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及一种设计图案的布局的方法、使用其形成图案的方法、和制造半导体器件的方法。在一旋转方向上旋转原始图案的布局以形成旋转图案的布局。将旋转图案的布局的顶点和分割点与参考点中离其最近的参考点匹配，并连接匹配的参考点，以形成第一修改图案的布局。放大第一修改图案的布局的区域，以形成第二修改图案的布局。形成具有与旋转图案的布局相同的方向的参考图案的布局。基于参考图案和第二修改图案的布局重叠的区域，形成目标图案的布局。对目标图案的布局执行光学邻近校正，以形成第三修改图案的布局，将第三修改图案的布局在相反的旋转方向上旋转以形成最终图案的布局。

公开(公告)号：CN112531029A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010200986.2

申请日：2020-03-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  金尚昱 ,  李润姓 ,  赵常玹 ,  李香淑

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/34 ,  H01L51/05 ,  H01L51/40

Abstract: 提供了一种电子器件和制造该电子器件的方法。该电子器件包括在衬底和栅电极之间的铁电晶化层以及在衬底和铁电晶化层之间的防晶化层。铁电晶化层至少部分地晶化并包括具有铁电性或反铁电性的电介质材料。此外，防晶化层防止铁电晶化层中的晶化朝向衬底扩散。

公开(公告)号：CN118859624A

公开(公告)日：2024-10-29

申请号：CN202410515142.5

申请日：2024-04-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许洋宇 ,  拜拉姆·耶尼卡亚 ,  李欣 ,  金尚昱

IPC: G03F1/36 ,  G03F7/20

Abstract: 提供了用于半导体器件的布局校正方法以及使用该布局校正方法的掩模制造方法。布局校正方法包括：接收至少包括目标层和参考层的设计布局；检测目标层中构成目标图案的目标边缘，并检测参考层中构成参考图案的参考边缘；在与三个或更多个参考边缘相交的目标边缘上的与参考图案之间的空间交叉的区段中确定分割点；生成分段，其中，生成分段包括基于分割点来分割与三个或更多个参考边缘相交的目标边缘；在分段当中的与参考图案相交的分段上的与该参考图案交叉的区段的中间点处设置评估点；通过将在评估点处测量的特征输入到布局校正模型来确定其上设置有评估点的分段的移动量；以及通过基于移动量移动其上设置有评估点的分段来生成经校正的布局。

公开(公告)号：CN113345795A

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202011319958.9

申请日：2020-11-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李润姓 ,  许镇盛 ,  金尚昱 ,  文泰欢 ,  赵常玹

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/51 ,  H01L29/78 ,  H01L27/088

Abstract: 提供一种铁电薄膜结构以及包括该铁电薄膜结构的电子器件，该铁电薄膜结构包括半导体基板、在半导体基板上的第一铁电层和在半导体基板上的第二铁电层。第二铁电层与第一铁电层间隔开并具有与第一铁电层不同的介电常数。第一铁电层和第二铁电层可以在其中包含的掺杂剂的量方面彼此不同，并可以在应用于晶体管时表现出不同的阈值电压。

公开(公告)号：CN112635561A

公开(公告)日：2021-04-09

申请号：CN202011013829.7

申请日：2020-09-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 许镇盛 ,  金尚昱 ,  李润姓 ,  赵常玹

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明涉及畴切换器件、制造其的方法及系统及制造电子装置的方法。该畴切换器件包括：沟道区、连接到沟道区的源极和漏极、与沟道区不接触的栅电极、在沟道区和栅电极之间的反铁电层、在栅电极和反铁电层之间以接触反铁电层的导电层以及在反铁电层和沟道区之间的阻挡层。

公开(公告)号：CN103187966A

公开(公告)日：2013-07-03

申请号：CN201210596242.2

申请日：2012-12-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹*俊 ,  金尚昱 ,  朴晟准 ,  D·赛欧 ,  李荣姬 ,  李昌承

IPC: H03K19/20

CPC classification number: H03K19/20

Abstract: 公开了一种反相器器件。反相器器件包括可调二极管器件和二极管器件。二极管器件包括：控制端子，连接到反相器器件的输入端子；阳极端子，连接到高电平电压端子；以及阴极端子，连接到反相器器件的输出端子，其中，二极管器件被配置为根据施加到控制端子的电压导通或截止。

公开(公告)号：CN101681925B

公开(公告)日：2011-11-30

申请号：CN200880021283.0

申请日：2008-06-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昌桢 ,  金尚昱 ,  金善日

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/80

CPC classification number: H01L29/7869 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02573 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/78609

Abstract: 本发明提供了一种氧化物半导体和包括该氧化物半导体的薄膜晶体管(TFT)。氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。薄膜晶体管(TFT)包括含有这样的氧化物半导体的沟道，所述氧化物半导体包括Zn原子及添加到其中的Ta原子和Y原子中的至少一种原子。

公开(公告)号：CN101630692A

公开(公告)日：2010-01-20

申请号：CN200910140008.7

申请日：2009-07-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金善日 ,  宋利宪 ,  金昌桢 ,  朴宰彻 ,  金尚昱

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/12 ,  H01L29/267

Abstract: 本发明公开了一种沟道层和一种包括该沟道层的晶体管。所述沟道层可以包括多层结构。形成所述沟道层的层可以具有不同的迁移率和/或载流子密度。所述沟道层可以具有包括可以由不同的氧化物形成的上层和下层的双层结构。所述晶体管的特性可以根据用于形成下层和上层的材料及其厚度而变化。