公开(公告)号：CN108091653B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN201711171980.1

申请日：2017-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承秀 ,  李正允 ,  成金重 ,  郑铉澔 ,  郭玟灿 ,  闵庚石 ,  吴怜默 ,  禹宰勋 ,  林青美

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。

公开(公告)号：CN108091653A

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201711171980.1

申请日：2017-11-22

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承秀 ,  李正允 ,  成金重 ,  郑铉澔 ,  郭玟灿 ,  闵庚石 ,  吴怜默 ,  禹宰勋 ,  林青美

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238

CPC classification number: H01L27/1108 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/785 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823878

Abstract: 本公开提供了半导体器件。一种半导体器件包括：在基板上的第一有源图案和第二有源图案；第一栅电极和第二栅电极，分别跨过第一有源图案和第二有源图案；第一绝缘图案，在第一栅电极和第二栅电极之间并使第一栅电极和第二栅电极分隔开；栅间隔物，在第一栅电极的侧壁上、在第二栅电极的侧壁上以及在第一绝缘图案的侧壁上；以及第二绝缘图案，在栅间隔物与第一绝缘图案的侧壁之间，其中第一栅电极、第一绝缘图案和第二栅电极沿第一方向布置，并且其中栅间隔物在第一方向上延伸。

公开(公告)号：CN109427903A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810844288.9

申请日：2018-07-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 闵庚石 ,  金东权 ,  金哲 ,  吴怜默 ,  李正允 ,  郑铉澔

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L21/76232 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823878 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/785 ,  H01L29/4232 ,  H01L29/78

Abstract: 本公开的半导体器件包括：衬底，具有有源图案，所述有源图案在第一方向上延伸；第一栅极结构及第二栅极结构，在与所述第一方向相交的第二方向上延伸以横越所述有源图案，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构在彼此在所述第二方向上面对的同时彼此隔离开；栅极隔离图案，设置在所述第一栅极结构与所述第二栅极结构之间，所述栅极隔离图案具有空隙；以及填充绝缘部分，在所述栅极隔离图案内定位在比所述第一栅极结构的上表面及所述第二栅极结构的上表面低的位置，所述填充绝缘部分连接到至少所述空隙的上端。本公开的半导体器件具有改善的集成度。

公开(公告)号：CN108461494A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810087764.7

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉澔 ,  李正允 ,  权台纯 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  池雅凜 ,  洪承秀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/4236 ,  H01L27/0924 ,  H01L27/10 ,  H01L29/0653 ,  H01L27/092 ,  H01L21/823828 ,  H01L21/823878

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。

公开(公告)号：CN108461494B

公开(公告)日：2023-01-10

申请号：CN201810087764.7

申请日：2018-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑铉澔 ,  李正允 ,  权台纯 ,  闵庚石 ,  成金重 ,  林青美 ,  池雅凜 ,  洪承秀

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L29/423

Abstract: 半导体器件可以包括衬底上的第一有源图案，第一有源图案包括从衬底突出的多个第一有源区。第二有源图案可以在衬底上，包括从衬底突出的多个第二有源区。第一栅电极可以包括以第一高度在第一有源图案上延伸的上部，并且包括以比第一栅电极的第一高度低的第二高度在第一有源图案上延伸的凹入部分。第二栅电极可以包括以第一高度在第二有源图案上延伸的上部，并且包括以比第二栅电极的第一高度低的第二高度在第二有源图案上延伸的凹入部分。绝缘图案可以位于第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分之间，并且与第一栅电极的凹入部分和第二栅电极的凹入部分直接相邻，绝缘图案使第一栅电极和第二栅电极彼此电隔离。

公开(公告)号：CN111834458A

公开(公告)日：2020-10-27

申请号：CN202010258547.7

申请日：2020-04-03

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 洪承秀 ,  李正允 ,  成金重 ,  李镇远 ,  郑铉澔

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L29/06

Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的多个有源区；位于所述多个有源区之间的器件隔离层，使得所述多个有源区的上部从所述器件隔离层突出；在所述衬底上分别在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且与所述多个有源区相交的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极在所述第二方向上与所述第二栅电极间隔开；位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第一栅极分隔层；以及在所述第一栅极分隔层下方并且位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第二栅极分隔层，所述第二栅极分隔层在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸到所述器件隔离层中。