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公开(公告)号：CN111834458A
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN202010258547.7
申请日：2020-04-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/06
Abstract: 一种半导体器件包括：在衬底上沿第一方向延伸的多个有源区；位于所述多个有源区之间的器件隔离层，使得所述多个有源区的上部从所述器件隔离层突出；在所述衬底上分别在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸并且与所述多个有源区相交的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极在所述第二方向上与所述第二栅电极间隔开；位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第一栅极分隔层；以及在所述第一栅极分隔层下方并且位于所述第一栅电极与所述第二栅电极之间的第二栅极分隔层，所述第二栅极分隔层在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上延伸到所述器件隔离层中。
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