公开(公告)号：CN101123275A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710139981.8

申请日：2007-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金旻相 ,  金成玟 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7831

Abstract: 一种晶体管，包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。

公开(公告)号：CN1913172A

公开(公告)日：2007-02-14

申请号：CN200610106894.8

申请日：2006-08-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金成玟 ,  朴东健 ,  崔东郁

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78612

Abstract: 本发明的某些实施例提供用于操作晶体管的方法和设备，该晶体管包括在衬底中和/或衬底上的至少一个完全耗尽的沟道区。该方法包括当导通晶体管时，施加反向体偏压到衬底。该衬底可以是体晶片衬底。该反向体偏压可以允许晶体管导通，同时防止衬底内的寄生晶体管导通。

公开(公告)号：CN100479159C

公开(公告)日：2009-04-15

申请号：CN200410038585.2

申请日：2004-05-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  金成玟 ,  朴东健 ,  吕京奂

IPC: H01L27/02 ,  H01L29/772 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/33 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76289 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/802

Abstract: 一种集成电路器件包括衬底。外延图形在衬底上，且其中形成有一对杂质扩散区和布置在一对杂质扩散区和衬底之间的一对空隙区。一对杂质扩散区的各个至少部分地重叠一对空隙区的各个。栅电极在一对杂质扩散区的各个之间的外延图形上。

公开(公告)号：CN101123256A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710139012.2

申请日：2007-07-20

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金旻相 ,  金成玟

IPC: H01L27/115 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/768

CPC classification number: H01L27/115 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/025 ,  G11C23/00 ,  H01H2059/0045 ,  H01L27/108 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/792

Abstract: 本发明提供了一种存储器件及形成存储器件的方法，该器件包括：基底；第一电极，在相对于基底的垂直方向上延伸；第二电极，在相对于基底的垂直方向上延伸，第二电极通过电极间隙与第一电极分隔开。第三电极设置成在电极间隙中沿着垂直方向延伸，第三电极通过第一间隙与第一电极分隔开，第三电极通过第二间隙与第二电极分隔开，第三电极可弹性地变形，使得第三电极偏斜以穿过第一间隙在第一弯曲位置与第一电极电连接，穿过第二间隙在第二弯曲位置与第二电极电连接，并在静止位置与第一电极和第二电极隔离。

公开(公告)号：CN1855390A

公开(公告)日：2006-11-01

申请号：CN200610071765.X

申请日：2006-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  申东石

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7854 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供一种具有圆形形状的纳米线沟道的场效应晶体管(FET)及制造该FET的方法。根据该方法，在半导体衬底上形成源区和漏区。在该源区和漏区之间耦合多个初步沟道区。该初步沟道区被刻蚀，以及该刻蚀的初步沟道区被退火，以形成FET沟道区，该FET沟道区具有基本上圆形的截面形状。

公开(公告)号：CN1770470A

公开(公告)日：2006-05-10

申请号：CN200510107518.6

申请日：2005-09-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  申东石

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L29/165 ,  H01L29/78687

Abstract: 提供场效应晶体管(FET)和制造FET的方法，该FET包括半导体衬底上的结构侧壁上的沟道层，以及至少具有在从半导体衬底延伸的结构侧壁的方向上应变的部分沟道层。该晶体管可以是FinFET，半导体衬底上的结构包括鳍形结构，以及侧壁可以是鳍形结构的侧壁。沟道层可以是Si外延层和可以在包括SiGe和Si的交替层的内鳍形结构上。沟道层可以包括应变的和不应变的部分。应变的和不应变的部分可以是沟道层的侧壁。

公开(公告)号：CN101123275B

公开(公告)日：2011-02-23

申请号：CN200710139981.8

申请日：2007-08-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 尹恩贞 ,  李成泳 ,  金旻相 ,  金成玟 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247

CPC classification number: H01L29/7827 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/513 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7831

Abstract: 一种晶体管，包括衬底上的第一和第二对垂直覆盖源/漏区。各第一和第二垂直沟道区在该第一和第二对覆盖源/漏区的各对覆盖源/漏区之间延伸。各第一和第二绝缘区被设置在各第一和第二对覆盖源/漏区的覆盖源/漏区之间并相邻于第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区。在第一和第二垂直沟道区的各垂直沟道区上设置各第一和第二栅绝缘体。在该第一和第二栅绝缘体之间设置栅电极。第一和第二垂直沟道区可以被设置在覆盖源/漏区的相邻边缘附近。

公开(公告)号：CN100550418C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。

公开(公告)号：CN100477262C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN1855390B

公开(公告)日：2010-07-21

申请号：CN200610071765.X

申请日：2006-03-23

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李成泳 ,  申东石

IPC: H01L21/335 ,  H01L29/772

CPC classification number: H01L29/7854 ,  B82Y10/00 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66795

Abstract: 提供一种具有圆形形状的纳米线沟道的场效应晶体管(FET)及制造该FET的方法。根据该方法，在半导体衬底上形成源区和漏区。在该源区和漏区之间耦合多个初步沟道区。该初步沟道区被刻蚀，以及该刻蚀的初步沟道区被退火，以形成FET沟道区，该FET沟道区具有基本上圆形的截面形状。