公开(公告)号：CN109904140B

公开(公告)日：2024-03-29

申请号：CN201811255948.6

申请日：2018-10-26

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  郑德泳 ,  姜尚范 ,  朴斗焕 ,  白宗玟 ,  安商燻 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: H01L23/522

Abstract: 提供了半导体装置。半导体装置可以包括基底、位于基底上的第一绝缘膜、位于第一绝缘膜中的下金属层和位于第一绝缘膜上的第二绝缘膜。下金属层的一部分可以位于第二绝缘膜中，第二绝缘膜可以包括面对基底的下表面和与下表面相对的上表面，并且第二绝缘膜的上表面可以是向上凸出的。半导体装置还可以包括位于第二绝缘膜上的限定凹部的一部分的阻挡介电膜和位于凹部的由阻挡介电膜限定的所述一部分中并与下金属层电连接的过孔金属层。第一绝缘膜和第二绝缘膜可以在竖直方向上顺序地堆叠在基底上，并且下金属层的上表面与基底之间的最长竖直距离可以小于第二绝缘膜的上表面与基底之间的最长竖直距离。

公开(公告)号：CN114649263A

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN202111536264.5

申请日：2021-12-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  柳东坤 ,  金完敦

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 可以提供一种半导体器件，包括：在基板上的晶体管；在晶体管上的第一层间绝缘层；在第一层间绝缘层的上部中的第一下互连线和第二下互连线；电介质层，选择性地在除了第一下互连线和第二下互连线的顶表面之外的第一层间绝缘层的顶表面上；在第一下互连线和第二下互连线以及电介质层上的蚀刻停止层；在蚀刻停止层上的第二层间绝缘层；以及在第二层间绝缘层中的上互连线。

公开(公告)号：CN119789518A

公开(公告)日：2025-04-08

申请号：CN202410553408.5

申请日：2024-05-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  金洛焕

IPC: H10D84/85 ,  H10D30/60

Abstract: 一种半导体装置，包括：彼此间隔开的第一导线；以及与第一导线的上表面接触的导电结构，其中，导电结构包括导电结构的下部和导电结构的上部，其中，导电结构的下部与第一导线的上表面接触，其中，导电结构的上部在导电结构的下部上，其中，导电结构的下部的宽度随着导电结构的下部与第一导线的上表面之间的距离减小而减小，并且其中，导电结构的上部的宽度随着导电结构的上部与第一导线的上表面之间的距离减小而增大。

公开(公告)号：CN114388432B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202110978915.X

申请日：2021-08-25

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  徐训硕 ,  裵泰龙

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了包括自对准超级过孔的过孔结构及其制造方法。一种半导体装置结构包括：至少一个金属间层，在竖直方向上堆叠；以及第一过孔结构，穿透所述至少一个金属间层，其中，在所述至少一个金属间层中，所述第一过孔结构的第一竖直侧不接触阻挡金属图案，而第一过孔结构的与第一过孔结构的第一竖直侧相对的第二竖直侧接触阻挡金属图案。

公开(公告)号：CN109976097B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN201811612414.4

申请日：2018-12-27

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 张相信 ,  白宗玟 ,  徐训硕 ,  李义福 ,  姜成进 ,  V.阮 ,  郑德泳 ,  安商熏 ,  吴赫祥 ,  刘禹炅

IPC: G03F7/09 ,  G03F7/004

Abstract: 这里提供了一种形成微图案的方法，其包括：在基板上形成蚀刻目标膜；在蚀刻目标膜上形成光敏辅助层，光敏辅助层用亲水基团封端；在光敏辅助层上形成粘合层，粘合层与亲水基团形成共价键；在粘合层上形成疏水的光致抗蚀剂膜；以及图案化光致抗蚀剂膜。

公开(公告)号：CN115346955A

公开(公告)日：2022-11-15

申请号：CN202210486652.5

申请日：2022-05-06

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  金完敦

IPC: H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 一种集成电路(IC)器件及其制造方法，该集成电路器件包括在基板上且在限定局部区域的封闭曲线中的第一导电线。第一导电线具有第一端部和第二端部。第二导电线在局部区域之外。第二导电线具有沿着该封闭曲线的直线部分和沿着该封闭曲线的凸出端部。凸出端部在第二横向方向上从直线部分朝向第一导电线的第一端部突出，并比第一端部进一步向局部区域的外部突出。一种制造IC器件的方法包括形成具有心轴孔的第一参考图案。在心轴孔内形成参考间隔物。形成第二参考图案。第二参考图案具有偏移孔。

公开(公告)号：CN109390273B

公开(公告)日：2023-09-22

申请号：CN201810869383.4

申请日：2018-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  李义福 ,  白宗玟 ,  朴水贤 ,  李长镐 ,  安商熏 ,  吴赫祥

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；蚀刻停止层，在衬底上；层间绝缘层，在蚀刻停止层上；上布线，设置在层间绝缘层中并与下布线分开；以及通路，形成在层间绝缘层和蚀刻停止层中并将下布线与上布线连接，其中通路包括在蚀刻停止层中的第一部分和在层间绝缘层中的第二部分，以及其中通路的第一部分的侧壁包括阶梯构造。

公开(公告)号：CN114678346A

公开(公告)日：2022-06-28

申请号：CN202111375811.6

申请日：2021-11-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  金洛焕 ,  金完敦 ,  南瑞祐 ,  卢宣颖 ,  朴基澈 ,  辛宗灿 ,  李民主 ,  李贤培 ,  河承锡

IPC: H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L27/092

Abstract: 公开一种半导体器件，该半导体器件包括：基板；在基板上的第一层间电介质层；在第一层间电介质层中的多个第一通路；在第一层间电介质层上的第二层间电介质层；以及在第二层间电介质层中的第一电源线和第一下部线，电连接到第一通路中的相应的第一通路。第一电源线的在第一方向上的第一宽度大于第一下部线的在第一方向上的第二宽度。第一电源线包括第一金属材料。第一下部线包括第二金属材料。第一通路包括第三金属材料。第一金属材料、第二金属材料和第三金属材料彼此不同。

公开(公告)号：CN110120381A

公开(公告)日：2019-08-13

申请号：CN201810895555.5

申请日：2018-08-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李义福 ,  白宗玟 ,  安商熏 ,  吴赫祥

IPC: H01L23/522 ,  H01L21/768

Abstract: 一种半导体器件包括设置在衬底上的下绝缘层。导电图案形成在下绝缘层中。中间绝缘层设置在下绝缘层和导电图案上。通路控制区域形成在中间绝缘层中。上绝缘层设置在中间绝缘层和通路控制区域上。通路插塞形成为穿过通路控制区域并连接到导电图案。通路控制区域具有比中间绝缘层低的蚀刻速率。

公开(公告)号：CN109390273A

公开(公告)日：2019-02-26

申请号：CN201810869383.4

申请日：2018-08-02

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 刘禹炅 ,  李义福 ,  白宗玟 ,  朴水贤 ,  李长镐 ,  安商熏 ,  吴赫祥

IPC: H01L21/768

Abstract: 提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括下布线；蚀刻停止层，在衬底上；层间绝缘层，在蚀刻停止层上；上布线，设置在层间绝缘层中并与下布线分开；以及通路，形成在层间绝缘层和蚀刻停止层中并将下布线与上布线连接，其中通路包括在蚀刻停止层中的第一部分和在层间绝缘层中的第二部分，以及其中通路的第一部分的侧壁包括阶梯构造。