-
公开(公告)号：CN107527885A
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710416609.0
申请日：2017-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/78
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在封装衬底上堆叠第一半导体芯片。第一半导体芯片中的每一个包括第一粘合膜。所述方法包括在第一半导体芯片上分别堆叠第二半导体芯片。第二半导体芯片中的每一个包括第二粘合膜。所述方法包括挤压第一粘合膜及第二粘合膜以形成粘合结构。粘合结构包括设置在第一半导体芯片的侧壁上及第二半导体芯片的侧壁上的延伸部。所述方法包括移除延伸部。所述方法包括形成实质上覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的第一模制层。所述方法包括对第一半导体芯片之间与第二半导体芯片之间的封装衬底执行切割工艺，以形成多个半导体封装。所述制造半导体装置的方法可有效地移除覆盖半导体芯片的粘合结构的延伸部。
-
公开(公告)号：CN1590251A
公开(公告)日：2005-03-09
申请号：CN200410074215.4
申请日：2004-09-03
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: B65G49/05
CPC classification number: B65G49/065 , B65G2207/06 , B65G2249/02 , B65G2249/04 , H01L21/67784
Abstract: 本发明提供了一种能够安全传送和高效处理基片的并行传送系统和方法，如玻璃基片或半导体装置。其包括含有多个空气喷嘴的旋转式传送器，多个空气喷嘴无须接触基片即可注入空气使空气喷嘴上面的基片移动。旋转式传送器上至少需要两个单独的处理单元可操作地结合在一起。其优越性在于，由于可以同时处理多个基片，效率更高，适应性更强。因为在空气喷嘴结构和基片之间无须物理接触即可移动基片，所以传送安全、干净、且有效。
-
公开(公告)号：CN107527885B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201710416609.0
申请日：2017-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/488 , H01L21/60 , H01L21/78
Abstract: 一种制造半导体装置的方法包括：在封装衬底上堆叠第一半导体芯片。第一半导体芯片中的每一个包括第一粘合膜。所述方法包括在第一半导体芯片上分别堆叠第二半导体芯片。第二半导体芯片中的每一个包括第二粘合膜。所述方法包括挤压第一粘合膜及第二粘合膜以形成粘合结构。粘合结构包括设置在第一半导体芯片的侧壁上及第二半导体芯片的侧壁上的延伸部。所述方法包括移除延伸部。所述方法包括形成实质上覆盖第一半导体芯片及第二半导体芯片的第一模制层。所述方法包括对第一半导体芯片之间与第二半导体芯片之间的封装衬底执行切割工艺，以形成多个半导体封装。所述制造半导体装置的方法可有效地移除覆盖半导体芯片的粘合结构的延伸部。
-
公开(公告)号：CN107492505A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710416629.8
申请日：2017-06-06
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/67121 , H01L21/568 , H01L21/673 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/3511 , H01L21/67132
Abstract: 本发明涉及一种制造半导体封装的方法以及所使用的载带膜。所述方法可包含在封装衬底中形成空腔以及在载带膜上提供封装衬底和管芯。此处，载带膜可包含胶带衬底和在胶带衬底上的绝缘层，且可将管芯提供于封装衬底的空腔中。所述方法可进一步包含随后形成包封层以覆盖绝缘层和空腔中的管芯以及覆盖绝缘层上的封装衬底，以及从绝缘层去除胶带衬底。
-
公开(公告)号：CN112397455A
公开(公告)日：2021-02-23
申请号：CN202010371907.4
申请日：2020-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/055 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件可以包括封装基底、位于封装基底上并在其中具有腔的支撑结构以及在腔中位于封装基底上的至少一个第一半导体芯片。支撑结构可以具有面向腔的第一内侧壁、第一顶表面以及连接第一内侧壁和第一顶表面的第一倾斜表面。第一倾斜表面可以相对于所述至少一个第一半导体芯片的顶表面倾斜。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107492529A
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710443703.5
申请日：2017-06-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/31 , H01L23/538
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/563 , H01L21/568 , H01L23/13 , H01L23/3114 , H01L23/49816 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L23/3185
Abstract: 提供了一种半导体封装件。所述半导体封装件包括：再分布基底；互连基底，位于再分布基底上，并且包括穿透其的孔和在其下部分中的凹进区域；半导体芯片，位于再分布基底上并且设置在互连基底的孔中；成型层，覆盖半导体芯片和互连基底。凹进区域连接到孔。成型层填充凹进区域和位于半导体芯片与互连基底之间的间隙。
-
公开(公告)号：CN102376670A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110234077.1
申请日：2011-08-12
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/495 , H01L25/00
CPC classification number: H01L23/49503 , H01L23/13 , H01L23/49541 , H01L23/49816 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48245 , H01L2224/48247 , H01L2224/73253 , H01L2224/73257 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2225/06562 , H01L2225/1029 , H01L2924/00014 , H01L2924/01087 , H01L2924/09701 , H01L2924/15151 , H01L2924/15311 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
Abstract: 本发明公开了一种半导体封装件，所述半导体封装件可包括封装基底，所述封装基底具有第一表面和可由封装基底的边缘限定的边界。封装件还包括具有前表面和后表面的第一半导体芯片。第一半导体芯片的第一部分的后表面可设置在封装基底的第一表面上，第一半导体芯片的第二部分的后表面延伸超过封装基底的限定的边界。半导体封装件还可包括第二半导体芯片，第二半导体芯片设置在第一半导体芯片的延伸超过封装基底的限定的边界的第二部分的后表面上。
-
公开(公告)号：CN101106142A
公开(公告)日：2008-01-16
申请号：CN200710146458.8
申请日：2007-06-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/12 , H01L21/84 , G02F1/1362 , G02F1/133
Abstract: 一种显示基板，包括TFT层、钝化层、有机层、无机绝缘层和像素电极。该TFT层包括栅极线和数据线、薄膜晶体管和存储电极。该数据线与该栅极线相交叉，并通过栅绝缘层与该栅极线电绝缘。该TFT电连接至该栅极线和数据线。该钝化层覆盖住该TFT层。该有机层在该钝化层上。该低温沉积的无机绝缘层在该有机层上，并且该低温为约100℃至约250℃。该像素电极在该无机绝缘层上，以通过穿过该无机绝缘层、有机层和钝化层形成的接触孔电连接至该TFT。该无机绝缘层有助于阻挡来自该有机层的杂质泄漏到该无机绝缘层上方的层中。本发明还涉及一种显示基板的制造方法和一种具有该显示基板的显示装置。
-
公开(公告)号：CN112397455B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN202010371907.4
申请日：2020-05-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L23/055 , H01L23/31 , H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/56
Abstract: 提供了一种半导体封装件及其制造方法，所述半导体封装件可以包括封装基底、位于封装基底上并在其中具有腔的支撑结构以及在腔中位于封装基底上的至少一个第一半导体芯片。支撑结构可以具有面向腔的第一内侧壁、第一顶表面以及连接第一内侧壁和第一顶表面的第一倾斜表面。第一倾斜表面可以相对于所述至少一个第一半导体芯片的顶表面倾斜。
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
17
records
(took 0.021 seconds)
