公开(公告)号：US20170294608A1

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：US15485016

申请日：2017-04-11

申请人： THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK

发明人： Simon Alexander Vecchioni ,  Samuel (Shalom) Jonas Wind

IPC分类号： H01L51/00 ,  B82Y40/00 ,  B82Y10/00 ,  C12N15/10 ,  C12N15/11

CPC分类号： H01L51/0093 ,  B82Y10/00 ,  B82Y40/00 ,  C12N15/102 ,  C12N15/11 ,  C12N2310/3535 ,  Y10S977/704 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/746 ,  Y10S977/796 ,  Y10S977/848 ,  Y10S977/941

摘要： Methods and systems for engineering a nanostructure are provided. An exemplary method includes creating at least one cytosine-cytosine and/or thymine-thymine mismatch in at least one oligonucleotide sequence, placing a metal ion into the mismatch of the oligonucleotide sequence to form an electronically functionalized nanostructure, and inducing self-assembly of the oligonucleotide sequence into a defined structure.

公开(公告)号：US09102518B2

公开(公告)日：2015-08-11

申请号：US12470540

申请日：2009-05-22

申请人： Olivier Marty ,  Volodymyr Lysenko

发明人： Olivier Marty ,  Volodymyr Lysenko

IPC分类号： H01L29/02 ,  B81C1/00 ,  H01L21/02 ,  C30B25/02 ,  H01L39/24 ,  H01L41/332

CPC分类号： B81C1/0038 ,  B81C1/00714 ,  C30B25/02 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02381 ,  H01L21/02439 ,  H01L21/02463 ,  H01L21/02513 ,  H01L21/02521 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0259 ,  H01L21/02658 ,  H01L39/2454 ,  H01L41/332 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/811 ,  Y10S977/825 ,  Y10S977/832 ,  Y10T428/24802

摘要： The invention relates to a process for modifying the properties of a thin layer (1) formed on the surface of a support (2) forming a substrate (3) utilized in the field of microelectronics, nanoelectronics or microtechnology, nanotechnology, characterized in that it consists of: forming at least one thin layer (1) on a nanostructured support with high specific surface (2), and treating the nanostructured support with high specific surface (2) to generate internal strains in the support causing its deformation at least in the plane of the thin layer so as to ensure corresponding deformation of the thin layer to modify its properties.

摘要翻译： 本发明涉及一种用于改变在微电子学，纳米电子学或微技术领域中使用的形成衬底（3）的支撑体（2）的表面上形成的薄层（1）的性质的方法，其特征在于它 包括：在具有高比表面积（2）的纳米结构化载体上形成至少一个薄层（1），以及用高比表面积（2）处理纳米结构的载体以在载体中产生至少在 平面，以确保薄层的相应变形，以改变其性能。

公开(公告)号：US08225238B2

公开(公告)日：2012-07-17

申请号：US12911540

申请日：2010-10-25

申请人： Jeffrey Wolk ,  Haixia Dai ,  Xina Quan ,  Michael A. Spaid

发明人： Jeffrey Wolk ,  Haixia Dai ,  Xina Quan ,  Michael A. Spaid

IPC分类号： G06F17/50 ,  G06F19/00

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L51/444 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/839 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/855

摘要： Systems, devices, and methods for designing and/or manufacturing transparent conductors. A system is operable to evaluate optical and electrical manufacturing criteria for a transparent conductor. The system includes a database including stored reference transparent conductor data, and a controller subsystem configured to compare input acceptance manufacturing criteria for a transparent conductor to stored reference transparent conductor data.

摘要翻译： 用于设计和/或制造透明导体的系统，设备和方法。 系统可操作以评估透明导体的光学和电气制造标准。 该系统包括数据库，包括存储的参考透明导体数据，以及控制器子系统，被配置为将透明导体的输入接受制造标准与存储的参考透明导体数据进行比较。

公开(公告)号：US08206505B2

公开(公告)日：2012-06-26

申请号：US12095309

申请日：2005-11-29

申请人： Sergei Nikolaevich Maximovsky ,  Grigory Avramovich Radutsky

发明人： Sergei Nikolaevich Maximovsky ,  Grigory Avramovich Radutsky

IPC分类号： C30B7/14

CPC分类号： C23C18/14 ,  B82Y10/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02601 ,  H01L21/02603 ,  H01L21/02628 ,  H01L21/02675 ,  H01L29/0665 ,  Y10S977/70 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/722 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/762 ,  Y10S977/763 ,  Y10S977/764 ,  Y10S977/765 ,  Y10S977/773 ,  Y10S977/774 ,  Y10S977/775 ,  Y10S977/776 ,  Y10S977/777

摘要： The inventive method for forming nano-dimensional clusters consists in introducing a solution containing a cluster-forming material into nano-pores of natural or artificial origin contained in a substrate material and in subsequently exposing said solution to a laser radiation pulse in such a way that a low-temperature plasma producing a gaseous medium in the domain of the existence thereof, wherein a cluster material is returned to a pure material by the crystallization thereof on a liquid substrate while the plasma is cooling, occurs, thereby forming mono-crystal quantum dots spliced with the substrate material. Said method makes it possible to form two- or three-dimensional cluster lattices and clusters spliced with each other from different materials. The invention also makes it possible to produce wires from different materials in the substrate nano-cavities and the quantum dots from the solution micro-drops distributed through an organic material applied to a glass.

摘要翻译： 用于形成纳米尺寸簇的本发明的方法在于将含有簇形成材料的溶液引入包含在基底材料中的天然或人造原子的纳米孔中，并随后将所述溶液暴露于激光辐射脉冲，使得 在其存在的领域中产生气体介质的低温等离子体，其中通过在等离子体冷却时在液体基板上通过其结晶返回纯物质，由此形成单晶量子点 与基板材料接合。 所述方法使得可以从不同的材料形成彼此拼接的二维或三维聚类晶格和簇。 本发明还使得可以从衬底纳米腔中的不同材料制造导线，并且通过施加到玻璃上的有机材料分布的溶液微滴产生量子点。

公开(公告)号：US08193455B2

公开(公告)日：2012-06-05

申请号：US12345760

申请日：2008-12-30

申请人： Ernesto E. Marinero

发明人： Ernesto E. Marinero

IPC分类号： E21B10/64 ,  E21B10/66

CPC分类号： H05K1/09 ,  H01L23/53276 ,  H01L2924/0002 ,  H05K3/107 ,  H05K2201/0323 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/721 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T29/49156 ,  H01L2924/00

摘要： An electrical circuit structure employing graphene as a charge carrier transport layer. The structure includes a plurality of graphene layers. Electrical contact is made with one of the layer of the plurality of graphene layers, so that charge carriers travel only through that one layer. By constructing the active graphene layer within or on a plurality of graphene layers, the active graphene layer maintains the necessary planarity and crystalline integrity to ensure that the high charge carrier mobility properties of the active graphene layer remain intact.

摘要翻译： 使用石墨烯作为电荷载流子传输层的电路结构。 该结构包括多个石墨烯层。 电接触由多个石墨烯层中的一个层制成，使得电荷载流子仅行进该层。 通过在多个石墨烯层之内或之上构建活性石墨烯层，活性石墨烯层保持必要的平面性和晶体完整性，以确保活性石墨烯层的高电荷载流子迁移率性质保持不变。

公开(公告)号：US20120119178A1

公开(公告)日：2012-05-17

申请号：US13351468

申请日：2012-01-17

申请人： Roy E. Scheuerlein ,  Alper Ilkbahar ,  April D. Schricker

发明人： Roy E. Scheuerlein ,  Alper Ilkbahar ,  April D. Schricker

IPC分类号： H01L45/00 ,  H01L21/8239

CPC分类号： H01L27/101 ,  B82Y10/00 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0009 ,  G11C13/025 ,  G11C2213/35 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/72 ,  H01L27/1021 ,  H01L27/285 ,  H01L51/0048 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/723 ,  Y10S977/734 ,  Y10S977/788 ,  Y10S977/789 ,  Y10S977/79 ,  Y10S977/855 ,  Y10S977/943

摘要： In accordance with aspects of the invention, a method of forming a metal-insulator-metal stack is provided. The method includes forming a first conducting layer, forming a resistivity-switching carbon-based material above the first conducting layer, and forming a second conducting layer above the carbon-based material, wherein the carbon-based material has a thickness of not more than ten atomic layers. Other aspects are also described.

摘要翻译： 根据本发明的方面，提供了形成金属 - 绝缘体 - 金属叠层的方法。 该方法包括形成第一导电层，在第一导电层上形成电阻率切换碳基材料，并在碳基材料上形成第二导电层，其中碳基材料的厚度不大于 十个原子层。 还描述了其他方面。

公开(公告)号：US08158880B1

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12016172

申请日：2008-01-17

申请人： Erol Girt ,  Mariana Rodica Munteanu

发明人： Erol Girt ,  Mariana Rodica Munteanu

IPC分类号： H01L31/00 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L31/032 ,  B82Y20/00 ,  B82Y30/00 ,  H01L31/0352 ,  H01L31/0384 ,  H01L31/072 ,  H01L31/075 ,  H01L31/18 ,  H01L51/0037 ,  H01L51/426 ,  H01L51/4293 ,  Y02E10/548 ,  Y10S977/712 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/778 ,  Y10S977/948 ,  Y10S977/954

摘要： Photovoltaic structures for the conversion of solar irradiance into electrical free energy. In a particular implementation, a photovoltaic cell includes a granular semiconductor and oxide layer with nanometer-size absorber semiconductor grains surrounded by a matrix of oxide. The semiconductor and oxide layer may be disposed between electron and hole conducting layers. In some implementations, multiple semiconductor and oxide layers can be deposited.

摘要翻译： 用于将太阳辐射转化为电自由能的光伏结构。 在具体实施方案中，光伏电池包括具有由氧化物基体包围的纳米尺寸的吸收剂半导体晶粒的粒状半导体和氧化物层。 半导体和氧化物层可以设置在电子和空穴传导层之间。 在一些实施方案中，可以沉积多个半导体和氧化物层。

公开(公告)号：US20120007043A1

公开(公告)日：2012-01-12

申请号：US13237449

申请日：2011-09-20

申请人： Shin Yokoyama ,  Yoshiteru Amemiya

发明人： Shin Yokoyama ,  Yoshiteru Amemiya

IPC分类号： H01L33/04

CPC分类号： H01L33/26 ,  H01L33/06 ,  H01L33/08 ,  Y10S438/962 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/721 ,  Y10S977/774

摘要： A light-emitting device includes an n-type silicon thin film (2), a silicon thin film (3), and a p-type silicon thin film (4). The silicon thin film (3) is formed on the n-type silicon thin film (2) and the p-type silicon thin film (4) is formed on the silicon thin film (3). The n-type silicon thin film (2), the silicon thin film (3), and the p-type silicon thin film (4) form a pin junction. The n-type silicon thin film (2) includes a plurality of quantum dots (21) composed of n-type Si. The silicon thin film (3) includes a plurality of quantum dots (31) composed of p-type Si. The p-type silicon thin film (4) includes a plurality of quantum dots (41) composed of p-type Si. Electrons are injected from the n-type silicon thin film (2) side and holes are injected from the p-type silicon thin film (4) side, whereby light is emitted at a silicon nitride film (3).

摘要翻译： 发光装置包括n型硅薄膜（2），硅薄膜（3）和p型硅薄膜（4）。 在n型硅薄膜（2）上形成硅薄膜（3），在硅薄膜（3）上形成p型硅薄膜（4）。 n型硅薄膜（2），硅薄膜（3）和p型硅薄膜（4）形成pin结。 n型硅薄膜（2）包括由n型Si构成的多个量子点（21）。 硅薄膜（3）包括由p型Si构成的多个量子点（31）。 p型硅薄膜（4）包括由p型Si构成的多个量子点（41）。 从n型硅薄膜（2）侧注入电子，从p型硅薄膜（4）侧注入空穴，在氮化硅膜（3）发光。

公开(公告)号：US20110240480A1

公开(公告)日：2011-10-06

申请号：US13162163

申请日：2011-06-16

申请人： Reginald Conway Farrow ,  Amit Goyal ,  Zafar Iqbal ,  Sheng Liu

发明人： Reginald Conway Farrow ,  Amit Goyal ,  Zafar Iqbal ,  Sheng Liu

IPC分类号： C25D15/00 ,  B82Y99/00

CPC分类号： C25D13/04 ,  B82Y15/00 ,  B82Y30/00 ,  C25D13/20 ,  G01N27/4146 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/957 ,  Y10S977/958

摘要： A nanotube device and a method of depositing nanotubes for device fabrication are disclosed. The method relates to electrophoretic deposition of nanotubes, and allows a control of the number of deposited nanotubes and positioning within a defined region.

摘要翻译： 公开了一种用于器件制造的纳米管器件和沉积纳米管的方法。 该方法涉及纳米管的电泳沉积，并且允许控制沉积的纳米管的数量和在限定区域内的定位。

公开(公告)号：US20110230996A1

公开(公告)日：2011-09-22

申请号：US12911540

申请日：2010-10-25

申请人： Jeffrey Wolk ,  Haixia Dai ,  Xina Quan ,  Michael A. Spaid

发明人： Jeffrey Wolk ,  Haixia Dai ,  Xina Quan ,  Michael A. Spaid

IPC分类号： G06F19/00

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L51/444 ,  Y10S977/701 ,  Y10S977/72 ,  Y10S977/839 ,  Y10S977/84 ,  Y10S977/855

摘要： Systems, devices, and methods for designing and/or manufacturing transparent conductors. A system is operable to evaluate optical and electrical manufacturing criteria for a transparent conductor. The system includes a database including stored reference transparent conductor data, and a controller subsystem configured to compare input acceptance manufacturing criteria for a transparent conductor to stored reference transparent conductor data.

摘要翻译： 用于设计和/或制造透明导体的系统，设备和方法。 系统可操作以评估透明导体的光学和电气制造标准。 该系统包括数据库，包括存储的参考透明导体数据，以及控制器子系统，被配置为将透明导体的输入接受制造标准与存储的参考透明导体数据进行比较。