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    Device and method for forming Fins in integrated circuitry
    1.
    发明授权
    Device and method for forming Fins in integrated circuitry 有权
    用于在集成电路中形成Fins的装置和方法

    公开(公告)号：US08525267B2

    公开(公告)日：2013-09-03

    申请号：US12953148

    申请日：2010-11-23

    申请人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin ,  Ming-Feng Shieh

    发明人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin ,  Ming-Feng Shieh

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L21/823431 ,  H01L21/845 ,  H01L27/1211

    摘要： A semiconductor FinFET device includes a plurality of gate lines formed in a first direction, and two types of fin structures. A first type of fin structures is formed in a second direction, and a second type of fin structures formed perpendicular to the first type of fin structures. A contact hole couples to one or more of the second type of fin structures.

    摘要翻译： 半导体FinFET器件包括沿第一方向形成的多个栅极线和两种类型的鳍结构。 在第二方向上形成第一类型的翅片结构，以及垂直于第一类型翅片结构形成的第二类型的翅片结构。 接触孔耦合到第二类型的翅片结构中的一个或多个。

    Method and device for increasing fin device density for unaligned fins
    3.
    发明授权
    Method and device for increasing fin device density for unaligned fins 有权
    用于增加未对准翅片翅片装置密度的方法和装置

    公开(公告)号：US08769446B2

    公开(公告)日：2014-07-01

    申请号：US13227809

    申请日：2011-09-08

    申请人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin ,  Ming-Feng Shieh

    发明人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin ,  Ming-Feng Shieh

    IPC分类号： G06F17/50

    CPC分类号： G06F17/5072 ,  G03F1/00 ,  G06F17/5068 ,  H01L29/66795

    摘要： A method for generating a layout for a device having FinFETs from a first layout for a device having planar transistors is disclosed. A plurality of elongate mandrels is defined in a plurality of active regions. Where adjacent active regions are partially-parallel and within a specified minimum spacing, connective elements are added to a portion of the space between the adjacent active regions to connect the mandrel ends from one active region to another active region.

    摘要翻译： 公开了一种用于从具有平面晶体管的器件的第一布局生成具有FinFET的器件的布局的方法。 多个细长心轴被限定在多个有源区域中。 在相邻有源区域部分平行并且在规定的最小间隔内，连接元件被添加到相邻有源区域之间的空间的一部分，以将心轴端部从一个有源区域连接到另一个有源区域。

    METHOD FOR ADJUSTING FIN WIDTH IN INTEGRATED CIRCUITRY
    4.
    发明申请
    METHOD FOR ADJUSTING FIN WIDTH IN INTEGRATED CIRCUITRY 有权
    用于调整集成电路中的宽度的方法

    公开(公告)号：US20120126325A1

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：US12952376

    申请日：2010-11-23

    申请人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin

    发明人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin

    IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845

    摘要： A method includes growing a plurality of parallel mandrels on a surface of a semiconductor substrate, each mandrel having at least two laterally opposite sidewalls and a predetermined width. The method further includes forming a first type of spacers on the sidewalls of the mandrels, wherein the first type of spacers between two adjacent mandrels are separated by a gap. The predetermined mandrel width is adjusted to close the gap between the adjacent first type of spacers to form a second type of spacers. The mandrels are removed to form a first type of fins from the first type of spacers, and to form a second type of fins from spacers between two adjacent mandrels. The second type of fins are wider than the first type of fins.

    摘要翻译： 一种方法包括在半导体衬底的表面上生长多个平行心轴，每个心轴具有至少两个横向相对的侧壁和预定宽度。 该方法还包括在心轴的侧壁上形成第一类型的间隔物，其中两个相邻心轴之间的第一类型的间隔物被间隙分开。 调整预定的心轴宽度以封闭相邻的第一类型间隔件之间的间隙，以形成第二类型的间隔件。 去除心轴以形成第一类型的间隔件的第一类型的翅片，并且在两个相邻的心轴之间从间隔件形成第二类型的翅片。 翅片的第二种类型比第一种翅片宽。

    Method for adjusting fin width in integrated circuitry
    5.
    发明授权
    Method for adjusting fin width in integrated circuitry 有权
    在集成电路中调整散热片宽度的方法

    公开(公告)号：US08633076B2

    公开(公告)日：2014-01-21

    申请号：US12952376

    申请日：2010-11-23

    申请人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin

    发明人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Yi-Tang Lin

    IPC分类号： H01L21/336

    CPC分类号： H01L27/1211 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/845

    摘要： A method includes growing a plurality of parallel mandrels on a surface of a semiconductor substrate, each mandrel having at least two laterally opposite sidewalls and a predetermined width. The method further includes forming a first type of spacers on the sidewalls of the mandrels, wherein the first type of spacers between two adjacent mandrels are separated by a gap. The predetermined mandrel width is adjusted to close the gap between the adjacent first type of spacers to form a second type of spacers. The mandrels are removed to form a first type of fins from the first type of spacers, and to form a second type of fins from spacers between two adjacent mandrels. The second type of fins are wider than the first type of fins.

    摘要翻译： 一种方法包括在半导体衬底的表面上生长多个平行心轴，每个心轴具有至少两个横向相对的侧壁和预定宽度。 该方法还包括在心轴的侧壁上形成第一类型的间隔物，其中两个相邻心轴之间的第一类型的间隔物被间隙分开。 调整预定的心轴宽度以封闭相邻的第一类型间隔件之间的间隙，以形成第二类型的间隔件。 去除心轴以形成第一类型的间隔件的第一类型的翅片，并且在两个相邻的心轴之间从间隔件形成第二类型的翅片。 翅片的第二种类型比第一种翅片宽。

    Method for forming metrology structures from fins in integrated circuitry
    6.
    发明授权
    Method for forming metrology structures from fins in integrated circuitry 有权
    用于在集成电路中从散热片形成计量结构的方法

    公开(公告)号：US08486769B2

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：US12949881

    申请日：2010-11-19

    申请人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Ming-Feng Shieh

    发明人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Ming-Feng Shieh

    IPC分类号： H01L29/66

    CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L21/823431

    摘要： A method for forming a plurality of fins on a semiconductor substrate includes depositing a spacer layer to fill in gaps between the plurality of fins, the fins comprising a first material and the spacer layer comprising a second material. A first area is defined where the fins need to be broadened and a second area is defined where the fins do not need to be broadened. The method also includes patterning the spacer layer to remove spacers in the first area where the fins need to be broadened and applying an epitaxy process at a predetermined rate to grow a layer of the first material on fins in the first area. The spacer layer is removed in the second area where the fins do not need broadening.

    摘要翻译： 在半导体衬底上形成多个散热片的方法包括沉积间隔层以填充多个散热片之间的间隙，散热片包括第一材料，间隔层包括第二材料。 限定翅片需要扩大的第一区域，并且限定翅片不需要扩大的第二区域。 该方法还包括图案化间隔层以去除第一区域中的间隔物，其中翅片需要变宽，并以预定的速率施加外延过程，以在第一区域的翅片上生长第一材料的层。 在翅片不需要加宽的第二区域中移除间隔层。

    METHOD FOR FORMING METROLOGY STRUCTURES FROM FINS IN INTEGRATED CIRCUITRY
    7.
    发明申请
    METHOD FOR FORMING METROLOGY STRUCTURES FROM FINS IN INTEGRATED CIRCUITRY 有权
    在集成电路中形成FINS的计量结构的方法

    公开(公告)号：US20120126375A1

    公开(公告)日：2012-05-24

    申请号：US12949881

    申请日：2010-11-19

    申请人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Ming-Feng Shieh

    发明人： Chien-Hsun Wang ,  Chih-Sheng Chang ,  Ming-Feng Shieh

    IPC分类号： H01L29/06 ,  H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/845 ,  H01L21/823431

    摘要： A method for forming a plurality of fins on a semiconductor substrate includes depositing a spacer layer to fill in gaps between the plurality of fins, the fins comprising a first material and the spacer layer comprising a second material. A first area is defined where the fins need to be broadened and a second area is defined where the fins do not need to be broadened. The method also includes patterning the spacer layer to remove spacers in the first area where the fins need to be broadened and applying an epitaxy process at a predetermined rate to grow a layer of the first material on fins in the first area. The spacer layer is removed in the second area where the fins do not need broadening.

    摘要翻译： 在半导体衬底上形成多个散热片的方法包括沉积间隔层以填充多个散热片之间的间隙，散热片包括第一材料，间隔层包括第二材料。 限定翅片需要扩大的第一区域，并且限定翅片不需要扩大的第二区域。 该方法还包括图案化间隔层以去除第一区域中的间隔物，其中翅片需要变宽，并以预定的速率施加外延过程，以在第一区域的翅片上生长第一材料的层。 在翅片不需要加宽的第二区域中移除间隔层。