公开(公告)号：US20120223048A1

公开(公告)日：2012-09-06

申请号：US13392246

申请日：2010-08-26

申请人： Ajit Paranjpe ,  Todd A. Luse ,  Roger P. Fremgen ,  Narasimhan Srinivasan ,  Boris L. Druz ,  Katrina Rook ,  Adrian Celaru

发明人： Ajit Paranjpe ,  Todd A. Luse ,  Roger P. Fremgen ,  Narasimhan Srinivasan ,  Boris L. Druz ,  Katrina Rook ,  Adrian Celaru

IPC分类号： G11B5/84 ,  B44C1/22 ,  B05C13/02

CPC分类号： G11B5/855 ,  C23C14/042 ,  C23C14/046 ,  C23C14/505 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67709 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67718 ,  H01L21/67742 ,  H01L21/67754

摘要： An inline processing system for patterning magnetic recording layers on hard discs for use in a hard disc drive. Discs are processed on both sides simultaneously in a vertical orientation, in round plate-like holders called MDCs. A plurality (as many as 10) discs are held in a dial carrier of the MDC, and transferred from one process station to another. The dial carrier of the MDC may be rotated and/or angled at up to 70° from normal in each process station, so that one or a plurality of process sources may treat the discs simultaneously. This configuration provides time savings and a reduction in the number and size of process sources needed. A mask enhancement process for patterning of magnetic media, and a filling and planarizing process used therewith, are also disclosed.

摘要翻译： 一种用于在用于硬盘驱动器的硬盘上图案化磁记录层的在线处理系统。 光盘在垂直方向同时处理，在称为MDC的圆盘状支架中。 多个（多达10个）盘被保存在MDC的拨号载体中，并从一个处理站传送到另一个处理站。 MDC的拨号盘可以在每个处理站中与正常旋转和/或成角度高达70°，使得一个或多个处理源可以同时处理盘。 此配置可节省时间并减少所需的进程源的数量和大小。 还公开了用于磁性介质图案化的掩模增强工艺，以及与其一起使用的填充和平坦化工艺。

公开(公告)号：US07557362B2

公开(公告)日：2009-07-07

申请号：US11678979

申请日：2007-02-26

申请人： Rustam Yevtukhov ,  Alan V. Hayes ,  Viktor Kanarov ,  Boris L. Druz

发明人： Rustam Yevtukhov ,  Alan V. Hayes ,  Viktor Kanarov ,  Boris L. Druz

IPC分类号： H01J49/10 ,  H01J1/50 ,  H01J37/08

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/18 ,  H01J37/3053 ,  H01J37/32422 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083 ,  H01L21/31105

摘要： Ion sources and methods for generating an ion beam with a controllable ion current density distribution. The ion source includes a discharge chamber and an electromagnet adapted to generate a magnetic field for changing a density distribution of the plasma inside the discharge chamber and, thereby, to change the ion current density distribution.

摘要翻译： 用于产生具有可控离子电流密度分布的离子束的离子源和方法。 离子源包括放电室和适于产生用于改变放电室内的等离子体的密度分布的磁场的电磁体，从而改变离子电流密度分布。

公开(公告)号：US08158016B2

公开(公告)日：2012-04-17

申请号：US12037598

申请日：2008-02-26

申请人： Alan V. Hayes ,  Rustam Yevtukhov ,  Viktor Kanarov ,  Boris L. Druz

发明人： Alan V. Hayes ,  Rustam Yevtukhov ,  Viktor Kanarov ,  Boris L. Druz

IPC分类号： G01L21/30 ,  B44C1/22

CPC分类号： H01J37/08 ,  H01J27/18 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542 ,  H01L21/67069

摘要： Methods of operating an electromagnet of an ion source for generating an ion beam with a controllable ion current density distribution. The methods may include generating plasma in a discharge space of the ion source, generating and shaping a magnetic field in the discharge space by applying a current to an electromagnet that is effective to define a plasma density distribution, extracting an ion beam from the plasma, measuring a distribution profile for the ion beam density, and comparing the actual distribution profile with a desired distribution profile for the ion beam density. Based upon the comparison, the current applied to the electromagnet may be adjusted either manually or automatically to modify the magnetic field in the discharge space and, thereby, alter the plasma density distribution.

摘要翻译： 操作离子源的电磁体的方法，用于产生具有可控离子电流密度分布的离子束。 所述方法可以包括在离子源的放电空间中产生等离子体，通过向有效限定等离子体密度分布的电磁体施加电流来产生和放电放电空间中的磁场，从等离子体提取离子束， 测量离子束密度的分布曲线，并将实际分布分布与用于离子束密度的期望分布分布进行比较。 基于比较，可以手动或自动地调节施加到电磁体的电流，以改变放电空间中的磁场，从而改变等离子体密度分布。

公开(公告)号：US09347127B2

公开(公告)日：2016-05-24

申请号：US13550270

申请日：2012-07-16

申请人： Boris L. Druz ,  Vincent Ip ,  Adrian Devasahavam

发明人： Boris L. Druz ,  Vincent Ip ,  Adrian Devasahavam

IPC分类号： C23C14/22 ,  C23C14/08 ,  C23C14/16 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/3442 ,  C23C14/081 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/225 ,  C23C14/35 ,  C23C14/354 ,  H01J37/3053

摘要： An ion etch assisted deposition apparatus deposits a thin film upon a substrate having a three dimensional feature, using an ion etching source and deposition source arranged at similar angles relative to the substrate and at an angle α relative to each other. The angle α is selected to be substantially equal the supplement of the angle α′ formed between the three dimensional feature on the substrate and the substrate surface. In this configuration the relative flux of energetic etch ions and deposition atoms is adjusted to prevent the growth of poor quality deposited material.

摘要翻译： 离子蚀刻辅助沉积设备使用离子蚀刻源和沉积源以相对于衬底相似的角度相对于彼此成角度α将薄膜沉积在具有三维特征的衬底上。 角度α选择为基本上等于在基板上的三维特征与基板表面之间形成的角度α'的补充。 在该配置中，调节能量蚀刻离子和沉积原子的相对通量以防止劣质沉积材料的生长。

公开(公告)号：US20160071708A1

公开(公告)日：2016-03-10

申请号：US14941897

申请日：2015-11-16

申请人： Boris L. Druz ,  Piero Sferlazzo ,  Roger P. Fremgen ,  Alan V. Hayes ,  Viktor Kanarov ,  Robert Krause ,  Ira Reiss

发明人： Boris L. Druz ,  Piero Sferlazzo ,  Roger P. Fremgen ,  Alan V. Hayes ,  Viktor Kanarov ,  Robert Krause ,  Ira Reiss

IPC分类号： H01J37/34 ,  H01J37/32 ,  C23C14/46

CPC分类号： H01J37/3488 ,  C23C14/044 ,  C23C14/221 ,  C23C14/46 ,  H01J37/20 ,  H01J37/302 ,  H01J37/317 ,  H01J37/32752 ,  H01J37/3441 ,  H01J37/3476 ,  H01J2237/0245 ,  H01J2237/045 ,  H01J2237/20207 ,  H01J2237/20214 ,  H01J2237/20221 ,  H01J2237/30472 ,  H01J2237/3146

摘要： Method and apparatus for processing a substrate with an energetic particle beam. Features on the substrate are oriented relative to the energetic particle beam and the substrate is scanned through the energetic particle beam. The substrate is periodically indexed about its azimuthal axis of symmetry, while shielded from exposure to the energetic particle beam, to reorient the features relative to the major dimension of the beam.

摘要翻译： 用能量粒子束处理衬底的方法和设备。 衬底上的特征相对于能量粒子束定向，并且通过能量粒子束扫描衬底。 衬底围绕其方位角对称轴周期性地被索引，同时被屏蔽以防止暴露于能量粒子束，以相对于束的主要尺寸重新定向特征。

公开(公告)号：US08835869B2

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：US13448282

申请日：2012-04-16

申请人： Rustam Yevtukhov ,  Boris L. Druz ,  Viktor Kanarov ,  Alan V. Hayes

发明人： Rustam Yevtukhov ,  Boris L. Druz ,  Viktor Kanarov ,  Alan V. Hayes

IPC分类号： H01J49/10 ,  H01J1/50 ,  H01J37/08 ,  H01J37/305 ,  H01L21/311 ,  H01J27/18

CPC分类号： H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542 ,  H01L21/31105

摘要： Ion sources and methods for generating an ion bean with a controllable ion current density distribution. The ion source includes a discharge chamber having an optical grid position proximate at a first end and a re-entrant vessel positioned proximate a second end that opposes the first end. A plasma shaper extends from the re-entrant vessel and into the plasma discharge chamber. A position of the plasma shaper is adjustable relative to the grid-based ion optic such that the plasma shaper may operably change a plasma density distribution within the discharge chamber.

摘要翻译： 用于产生具有可控离子电流密度分布的离子束的离子源和方法。 离子源包括具有靠近第一端的光栅位置的放电室和靠近与第一端相对的第二端的重入容器。 等离子体成形器从入口容器延伸到等离子体放电室中。 等离子体成形器的位置相对于基于栅格的离子光学器件是可调节的，使得等离子体成形器可以可操作地改变放电室内的等离子体密度分布。

公开(公告)号：US20140014497A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US13550270

申请日：2012-07-16

申请人： Boris L. Druz ,  Vincent Ip ,  Adrian Devasahayam

发明人： Boris L. Druz ,  Vincent Ip ,  Adrian Devasahayam

IPC分类号： C23C14/34 ,  C23C14/35

CPC分类号： C23C14/3442 ,  C23C14/081 ,  C23C14/083 ,  C23C14/10 ,  C23C14/14 ,  C23C14/16 ,  C23C14/225 ,  C23C14/35 ,  C23C14/354 ,  H01J37/3053

摘要： An ion etch assisted deposition apparatus deposits a thin film upon a substrate having a three dimensional feature, using an ion etching source and deposition source arranged at similar angles relative to the substrate and at an angle α relative to each other. The angle α is selected to be substantially equal the supplement of the angle α′ formed between the three dimensional feature on the substrate and the substrate surface. In this configuration the relative flux of energetic etch ions and deposition atoms is adjusted to prevent the growth of poor quality deposited material.

摘要翻译： 离子蚀刻辅助沉积设备使用离子蚀刻源和沉积源以相对于衬底相似的角度相对于彼此以一定角度α将薄膜沉积在具有三维特征的衬底上。 角度α选择为基本上等于在基底上的三维特征与基底表面之间形成的角度α'的补充。 在该配置中，调节能量蚀刻离子和沉积原子的相对通量以防止劣质沉积材料的生长。

公开(公告)号：US20120211166A1

公开(公告)日：2012-08-23

申请号：US13448282

申请日：2012-04-16

申请人： Rustam Yevtukhov ,  Boris L. Druz ,  Viktor Kanarov ,  Alan V. Hayes

发明人： Rustam Yevtukhov ,  Boris L. Druz ,  Viktor Kanarov ,  Alan V. Hayes

IPC分类号： B05C9/00 ,  H01J27/16

CPC分类号： H01J27/18 ,  H01J37/08 ,  H01J37/3053 ,  H01J2237/061 ,  H01J2237/083 ,  H01J2237/24542 ,  H01L21/31105

摘要： Ion sources and methods for generating an ion bean with a controllable ion current density distribution. The ion source includes a discharge chamber having an optical grid position proximate at a first end and a re-entrant vessel positioned proximate a second end that opposes the first end. A plasma shaper extends from the re-entrant vessel and into the plasma discharge chamber. A position of the plasma shaper is adjustable relative to the grid-based ion optic such that the plasma shaper may operably change a plasma density distribution within the discharge chamber.

摘要翻译： 用于产生具有可控离子电流密度分布的离子束的离子源和方法。 离子源包括具有靠近第一端的光栅位置的放电室和靠近与第一端相对的第二端的重入容器。 等离子体成形器从入口容器延伸到等离子体放电室中。 等离子体成形器的位置相对于基于栅格的离子光学器件是可调节的，使得等离子体成形器可以可操作地改变放电室内的等离子体密度分布。

公开(公告)号：US07183716B2

公开(公告)日：2007-02-27

申请号：US10772132

申请日：2004-02-04

申请人： Viktor Kanarov ,  Alan V. Hayes ,  Rustam Yevtukhov ,  Ira Reiss ,  Roger P. Fremgen, Jr. ,  Adrian Celaru ,  Kurt E. Williams ,  Carlos Fernando de Mello Borges ,  Boris L. Druz ,  Renga Rajan ,  Hari Hegde

发明人： Viktor Kanarov ,  Alan V. Hayes ,  Rustam Yevtukhov ,  Ira Reiss ,  Roger P. Fremgen, Jr. ,  Adrian Celaru ,  Kurt E. Williams ,  Carlos Fernando de Mello Borges ,  Boris L. Druz ,  Renga Rajan ,  Hari Hegde

IPC分类号： H01J7/24

CPC分类号： H01L21/67253 ,  H01J27/18 ,  H01J37/321 ,  H01J37/32458 ,  H01L21/67069

摘要： A charged particle source utilizes a novel plasma processing chamber, RF coil and ion optics, to achieve high uniformity. The plasma processing chamber has a re-entrant vessel which is movable, and which includes extensions of adjustable shape or position, to make more uniform the plasma contained within the chamber. One or more magnets, which may be static or moving, may be included within the re-entrant vessel. The ion optics include a grid with a number of apertures, and tuning features each surrounding an aperture. These tuning features either reduce the diameter of the associated aperture, or increase the length of that aperture, to create more uniform beamlets emerging from the grid. The RF coil includes a flux concentrator positioned adjacent to the winding in at least one angular region thereof to tune the magnetic field produced thereby.

摘要翻译： 带电粒子源利用新颖的等离子体处理室，RF线圈和离子光学器件，以实现高均匀性。 等离子体处理室具有可移动的并且包括可调节形状或位置的延伸部的入口容器，以使包含在室内的等离子体更均匀。 一个或多个可以是静态或移动的磁体可以包括在重入容器内。 离子光学器件包括具有多个孔的栅格，以及每个围绕孔的调谐特征。 这些调谐功能可以减小相关孔径的直径，或增加该孔径的长度，从而形成从网格出现的更均匀的子束。 RF线圈包括在其至少一个角度区域中邻近绕组定位的磁通集中器，以调谐由此产生的磁场。

公开(公告)号：US06464891B1

公开(公告)日：2002-10-15

申请号：US09270998

申请日：1999-03-17

申请人： Boris L. Druz ,  Kurt E. Williams ,  Alan V. Hayes

发明人： Boris L. Druz ,  Kurt E. Williams ,  Alan V. Hayes

IPC分类号： B44C122

CPC分类号： C23C14/221 ,  C23C14/0605 ,  C23C14/564 ,  H01J37/321 ,  H01L21/67069

摘要： A method is provided for a repetitive deposition and etch of a substrate using a carbon containing ion beam in a gridded ion source. The method includes the actual ion beam processing step combined with the thermal and chemical conditioning of the ion source and a special cleaning step(s). The special cleaning step(s) effect robust removal of the precipitates accumulated in the operating source due to the decomposition of carbon containing gases such as hydrocarbons and halocarbons Precipitate removal is achieved by employing ions and radicals formed in an inert gas plasma or a mixture of inert gas and oxygen to reactively etch or bombard the precipitates.

摘要翻译： 提供了一种用于在网格离子源中使用含碳离子束重复沉积和蚀刻基底的方法。 该方法包括与离子源的热和化学调节结合的实际离子束处理步骤和特殊的清洁步骤。 由于碳氢化合物和卤代烃等含碳气体的分解，特殊的清洗步骤可以有效地除去积聚在操作源中的沉淀物。通过使用在惰性气体等离子体中形成的离子和自由基 惰性气体和氧气以反应性蚀刻或轰击沉淀物。