公开(公告)号：US09214519B2

公开(公告)日：2015-12-15

申请号：US14116322

申请日：2012-05-07

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： H01B1/02 ,  H01L29/24 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L29/242 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3407 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： A sputtering target including indium (In), tin (Sn) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) to (4): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85  (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40  (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70  (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99  (4).

摘要翻译： 包括铟（In），锡（Sn）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自下列X族的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）至（4）的元素的原子比 ）：组X：Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.10＆nlE; In /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.85（1）0.01＆ /(In+Sn+Zn)≦̸0.40（2）0.10＆nlE; Zn /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.70（3）0.70＆lt; In /（In + X）＆nlE; 0.99（4）。

公开(公告)号：US08999208B2

公开(公告)日：2015-04-07

申请号：US13580355

申请日：2011-02-22

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： H01B1/02 ,  C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/626 ,  C04B37/02 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01L29/786 ,  H01L29/66 ,  H01L21/02

CPC分类号： C04B35/01 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B35/62655 ,  C04B35/62675 ,  C04B35/62695 ,  C04B37/026 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/658 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2237/02 ,  C04B2237/10 ,  C04B2237/34 ,  C04B2237/407 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78693

摘要： An oxide sintered body including indium element (In), gallium element (Ga) and tin element (Sn) in atomic ratios represented by the following formulas (1) to (3): 0.10≦In/(In+Ga+Sn)≦0.60  (1) 0.10≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.55  (2) 0.0001

摘要翻译： 包含由下式（1）〜（3）表示的原子比的铟元素（In），镓元素（Ga）和锡元素（Sn）的氧化物烧结体：0.10＆nlE; In /（In + Ga + Sn） ＆nlE; 0.60（1）0.10＆nlE; Ga /（In + Ga + Sn）＆nlE; 0.55（2）0.0001

公开(公告)号：US20140102892A1

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：US14116285

申请日：2012-05-08

申请人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

发明人： Masayuki Itose ,  Mami Nishimura ,  Misa Sunagawa ,  Masashi Kasami ,  Koki Yano

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/786 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78693

摘要： A sputtering target including indium (In) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) and (2): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.30≦In/(In+Zn)≦0.90  (1) 0.70≦In/(In+X)≦0.99  (2).

摘要翻译： 包含铟（In）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自以下X组的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）和（2）的元素的原子比：组X： Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.30和nlE; In /（In + Zn）＆nlE; 0.90（1）0.70和nlE; In /（In + X） ; 0.99（2）。

公开(公告)号：US08642402B2

公开(公告)日：2014-02-04

申请号：US12526304

申请日：2008-02-06

申请人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami

发明人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Futoshi Utsuno ,  Masashi Kasami

IPC分类号： H01L21/335 ,  H01L21/8232 ,  H01L29/04 ,  H01L29/10 ,  H01L31/036 ,  H01L31/00 ,  H01L29/76 ,  H01L31/112

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C23C14/086 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： To provide a method for producing a thin film transistor improved in stability, uniformity, reproducibility, heat resistance, durability or the like, a thin film transistor, a thin film transistor substrate, an image display apparatus, an image display apparatus and a semiconductor device.In the semiconductor device, a crystalline oxide is used as an N-type transistor and the electron carrier concentration of the crystalline oxide is less than 2×1017/cm3. Furthermore, the crystalline oxide is a polycrystalline oxide containing In and one or more positive divalent elements selected from Zn, Mg, Cu, Ni, Co and Ca, and the atomic ratio In [In] and the positive divalent element [X][X]/([X]+[In]) is 0.0001 to 0.13.

摘要翻译： 为了提供一种提高稳定性，均匀性，再现性，耐热性，耐久性等的薄膜晶体管的制造方法，薄膜晶体管，薄膜晶体管基板，图像显示装置，图像显示装置和半导体装置 。 在半导体装置中，结晶性氧化物用作N型晶体管，结晶性氧化物的电子载流子浓度小于2×1017 / cm3。 此外，结晶性氧化物是含有In的一种或多种选自Zn，Mg，Cu，Ni，Co和Ca中的一种或多种正的二价元素的多晶氧化物，并且原子比In [In]和正的二价元素[X] [X ] /（[X] + [In]）为0.0001〜0.13。

公开(公告)号：US20140014500A1

公开(公告)日：2014-01-16

申请号：US14006851

申请日：2012-03-26

申请人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

发明人： Shigekazu Tomai ,  Shigeo Matsuzaki ,  Koki Yano ,  Makoto Ando ,  Kazuaki Ebata ,  Masayuki Itose

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/76 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/95 ,  C04B2235/96 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： A sintered body which includes at least indium oxide and gallium oxide and comprises voids each having a volume of 14000 μm3 or more in an amount of 0.03 vol % or less.

摘要翻译： 至少包含氧化铟和氧化镓的烧结体，其含有0.03体积％以下的体积为14000m 3以上的空隙。

公开(公告)号：US08524123B2

公开(公告)日：2013-09-03

申请号：US12065405

申请日：2006-08-30

申请人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Akira Kaijo ,  Satoshi Umeno ,  Tokie Tanaka

发明人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Nobuo Tanaka ,  Akira Kaijo ,  Satoshi Umeno

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： H01B1/02 ,  C03C17/3644 ,  C03C2217/94 ,  C03C2218/33 ,  C03C2218/34 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6261 ,  C04B2235/32 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3272 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/786 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/96 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  H01B13/00 ,  Y10T428/24777

摘要： A sputtering target which is composed of a sintered body of an oxide which contains at least indium, tin, and zinc and includes a spinel structure compound of Zn2SnO4 and a bixbyite structure compound of In2O3. A sputtering target includes indium, tin, zinc, and oxygen with only a peak ascribed to a bixbyite structure compound being substantially observed by X-ray diffraction (XRD).

摘要翻译： 一种溅射靶，其由至少含有铟，锡和锌的氧化物的烧结体构成，并且包括Zn2SnO4的尖晶石结构化合物和In 2 O 3的菱沸石结构化合物。 溅射靶包括铟，锡，锌和氧，只有通过X射线衍射（XRD）基本观察到由比克比结构化合物引起的峰。

公开(公告)号：US08383019B2

公开(公告)日：2013-02-26

申请号：US12067465

申请日：2006-09-14

申请人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Tokie Tanaka

发明人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue ,  Nobuo Tanaka

IPC分类号： H01B1/08 ,  C23C14/34 ,  H01B5/14

CPC分类号： H01B1/08 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B35/6262 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/664 ,  C04B2235/763 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  Y10T428/24777

摘要： A sputtering target including indium, tin, zinc and oxygen, and including a hexagonal layered compound, a spinel structure compound and a bixbyite structure compound.

公开(公告)号：US08333913B2

公开(公告)日：2012-12-18

申请号：US12532247

申请日：2008-02-28

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Masashi Kasami

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Masashi Kasami

IPC分类号： H01B1/08 ,  C23C30/00

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3217 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3275 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3287 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/72 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/81 ,  C23C14/086 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/7869

摘要： A sputtering target including an oxide sintered body, the oxide sintered body containing indium (In) and at least one element selected from gadolinium (Gd), dysprosium (Dy), holmium (Ho), erbium (Er) and ytterbium (Yb), and the oxide sintered body substantially being of a bixbyite structure.

摘要翻译： 包含氧化物烧结体的溅射靶，含有铟（In）的氧化物烧结体和选自钆（Gd），镝（Dy），钬（Ho），铒（Er）和镱（Yb）中的至少一种元素， 并且氧化物烧结体基本上是菱形结构。

公开(公告)号：US08153031B2

公开(公告)日：2012-04-10

申请号：US12599548

申请日：2007-11-30

申请人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue

发明人： Koki Yano ,  Kazuyoshi Inoue

IPC分类号： H01B1/02

CPC分类号： C23C14/3414 ,  C04B35/01 ,  C04B35/453 ,  C04B35/457 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/3293 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5436 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6585 ,  C04B2235/77 ,  C04B2235/80 ,  C04B2235/963 ,  C23C14/08 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631

摘要： An oxide sintered body including an indium element (In), a gallium element (Ga), a zinc element (Zn) and a tin element (Sn), and including a compound shown by Ga2In6Sn2O16 or (Ga,In)2O3.

摘要翻译： 包含铟元素（In），镓元素（Ga），锌元素（Zn）和锡元素（Sn）的氧化物烧结体，并且包含Ga 2 In 6 Sn 2 O 16或（Ga，In）2 O 3所示的化合物。

公开(公告)号：US08062777B2

公开(公告)日：2011-11-22

申请号：US12090731

申请日：2006-08-07

申请人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Nobuo Tanaka ,  Tokie Tanaka, legal representative

发明人： Kazuyoshi Inoue ,  Koki Yano ,  Nobuo Tanaka

IPC分类号： B32B19/00

CPC分类号： C30B29/06 ,  C01G15/00 ,  C01G15/006 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3286 ,  C04B2235/6567 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3414 ,  C30B29/16 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L21/02667

摘要： This invention provides a transparent oxide semiconductor, which comprises an oxide comprising indium oxide as a main component and cerium oxide as an additive and has such properties that light-derived malfunction does not occur, there is no variation in specific resistance of a thin film caused by heating and the like, and the mobility is high, and a process for producing the same. A semiconductor thin film characterized by comprising indium oxide and cerium oxide and being crystalline and having a specific resistance of 10+1 to 10+8 Ωcm is used. This semiconductor thin film has no significant change in specific resistance and has high mobility. Accordingly, an element having improved switching properties can be provided by constructing a switching element using this semiconductor thin film.

摘要翻译： 本发明提供了一种透明氧化物半导体，其包括以氧化铟为主要成分的氧化物和氧化铈作为添加剂，并且具有不发生光衍生的故障的特性，因此薄膜的电阻率没有变化 通过加热等，迁移率高，以及其制造方法。 使用特征在于包含氧化铟和氧化铈并且是结晶并具有10 + 1至10 + 8＆OHgr cm的电阻率的半导体薄膜。 该半导体薄膜的电阻率没有显着变化，迁移率高。 因此，可以通过构造使用该半导体薄膜的开关元件来提供具有改善的开关特性的元件。