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公开(公告)号：US20100170696A1
公开(公告)日：2010-07-08
申请号：US12065405
申请日：2006-08-30
申请人： Koki Yano , Kazuyoshi Inoue , Nobuo Tanaka , Tokie Tanaka , Akira Kaijo , Satoshi Umeno
发明人： Koki Yano , Kazuyoshi Inoue , Nobuo Tanaka , Tokie Tanaka , Akira Kaijo , Satoshi Umeno
CPC分类号： H01B1/02 , C03C17/3644 , C03C2217/94 , C03C2218/33 , C03C2218/34 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/32 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B13/00 , Y10T428/24777
摘要： A sputtering target which is composed of a sintered body of an oxide which contains at least indium, tin, and zinc and includes a spinel structure compound of Zn2SnO4 and a bixbyite structure compound of In2O3. A sputtering target includes indium, tin, zinc, and oxygen with only a peak ascribed to a bixbyite structure compound being substantially observed by X-ray diffraction (XRD).
摘要翻译： 一种溅射靶，其由至少含有铟，锡和锌的氧化物的烧结体构成，并且包括Zn2SnO4的尖晶石结构化合物和In 2 O 3的菱沸石结构化合物。 溅射靶包括铟，锡，锌和氧，只有通过X射线衍射（XRD）基本观察到由比克比结构化合物引起的峰。
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公开(公告)号：US08524123B2
公开(公告)日：2013-09-03
申请号：US12065405
申请日：2006-08-30
申请人： Koki Yano , Kazuyoshi Inoue , Akira Kaijo , Satoshi Umeno , Tokie Tanaka
发明人： Koki Yano , Kazuyoshi Inoue , Nobuo Tanaka , Akira Kaijo , Satoshi Umeno
IPC分类号： H01B1/02
CPC分类号： H01B1/02 , C03C17/3644 , C03C2217/94 , C03C2218/33 , C03C2218/34 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B2235/32 , C04B2235/3232 , C04B2235/3241 , C04B2235/3272 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/664 , C04B2235/72 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/96 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01B13/00 , Y10T428/24777
摘要： A sputtering target which is composed of a sintered body of an oxide which contains at least indium, tin, and zinc and includes a spinel structure compound of Zn2SnO4 and a bixbyite structure compound of In2O3. A sputtering target includes indium, tin, zinc, and oxygen with only a peak ascribed to a bixbyite structure compound being substantially observed by X-ray diffraction (XRD).
摘要翻译： 一种溅射靶，其由至少含有铟，锡和锌的氧化物的烧结体构成，并且包括Zn2SnO4的尖晶石结构化合物和In 2 O 3的菱沸石结构化合物。 溅射靶包括铟，锡，锌和氧，只有通过X射线衍射（XRD）基本观察到由比克比结构化合物引起的峰。
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3.发明申请TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM, AND SUBSTRATE, ELECTRONIC DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY USING THE SAME 有权透明导电膜和基板，电子器件和使用其的液晶显示器公开(公告)号：US20100053523A1
公开(公告)日：2010-03-04
申请号：US12094337
申请日：2006-10-31
申请人： Satoshi Umeno , Akira Kaijo , Kazuyoshi Inoue , Nobuo Tanaka , Tokie Tanaka
发明人： Satoshi Umeno , Akira Kaijo , Kazuyoshi Inoue , Nobuo Tanaka , Tokie Tanaka
IPC分类号： G02F1/1333 , H01B1/08 , H05K1/09 , B05D5/12
CPC分类号： C01G15/00 , C01G19/006 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , G02F1/13439
摘要： A transparent conductive film including an indium oxide, a tin oxide and at least one lanthanoid metal oxide, the film including a portion connected to a conductor, and at least the connection portion having crystallinity.
摘要翻译： 包括氧化铟，氧化锡和至少一种镧系金属氧化物的透明导电膜，该膜包括连接到导体的部分，以及至少具有结晶度的连接部分。
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4.发明授权Transparent conductive film, and substrate, electronic device and liquid crystal display using the same 有权透明导电膜和基板，电子器件和使用其的液晶显示器公开(公告)号：US07889298B2
公开(公告)日：2011-02-15
申请号：US12094337
申请日：2006-10-31
申请人： Satoshi Umeno , Akira Kaijo , Kazuyoshi Inoue , Nobuo Tanaka , Tokie Tanaka, legal representative
发明人： Satoshi Umeno , Akira Kaijo , Kazuyoshi Inoue , Nobuo Tanaka
IPC分类号： G02F1/1333 , H01B1/08 , H05K1/09 , B05D5/12
CPC分类号： C01G15/00 , C01G19/006 , C01P2002/72 , C01P2002/82 , C01P2002/84 , C01P2006/40 , G02F1/13439
摘要： A transparent conductive film including an indium oxide, a tin oxide and at least one lanthanoid metal oxide, the film including a portion connected to a conductor, and at least the connection portion having crystallinity.
摘要翻译： 包括氧化铟，氧化锡和至少一种镧系元素金属氧化物的透明导电膜，该膜包括连接到导体的部分，以及至少具有结晶性的连接部分。
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公开(公告)号：US20090104379A1
公开(公告)日：2009-04-23
申请号：US12159153
申请日：2006-12-11
申请人： Satoshi Umeno , Kazuyoshi Inoue , Koki Yano , Katsunori Honda , Masato Matsubara
发明人： Satoshi Umeno , Kazuyoshi Inoue , Koki Yano , Katsunori Honda , Masato Matsubara
IPC分类号： C09K19/00 , G02F1/1343
CPC分类号： G02F1/13439 , G02F2203/01 , Y10T428/1064
摘要： A transparent electrode film including an oxide containing indium, zinc and tin and having a thickness of 25 nm or less. A transparent electrode film including an oxide containing indium and zinc and having a thickness of 30 nm or less.
摘要翻译： 一种透明电极膜，其包含含有铟，锌和锡的氧化物，其厚度为25nm以下。 一种透明电极膜，其包含含有铟和锌的氧化物，其厚度为30nm以下。
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公开(公告)号：US08957313B2
公开(公告)日：2015-02-17
申请号：US12162028
申请日：2007-01-16
IPC分类号： H01B13/00 , C23C14/08 , G02F1/1343 , H01J9/02 , G02F1/1362 , H01L51/52
CPC分类号： C23C14/086 , G02F1/13439 , G02F2001/13629 , H01J9/02 , H01L51/5206 , H01L51/5209
摘要： A multilayer structure including a transparent conductive thin film and a molybdenum metal thin film, the transparent conductive thin film having a thickness of 35 nm or less.
摘要翻译： 包括透明导电薄膜和钼金属薄膜的多层结构，该透明导电薄膜的厚度为35nm以下。
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7.发明申请MULTILAYER STRUCTURE, ELECTRODE FOR ELECTRICAL CURCUIT USING THE SAME, AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME 有权多层结构，使用该电极的电极的电极及其制造方法公开(公告)号：US20100224390A1
公开(公告)日：2010-09-09
申请号：US12161435
申请日：2007-01-15
申请人： Satoshi Umeno , Kazuyoshi Inoue
发明人： Satoshi Umeno , Kazuyoshi Inoue
CPC分类号： C23C14/086 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3642 , C03C17/3655 , C03C17/3671 , C03C2217/94 , C03C2217/944 , C03C2217/948 , C03C2218/156 , C23C14/14 , C23C28/322 , C23C28/345 , G02F2001/13629
摘要： A multilayer structure including a transparent conductive thin film and a molybdenum metal thin film wherein difference of internal stress between the transparent conductive thin film and the molybdenum metal thin film is 1600 MPa or less.
摘要翻译： 包括透明导电薄膜和钼金属薄膜的多层结构，其中透明导电薄膜和钼金属薄膜之间的内应力差为1600MPa以下。
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8.发明授权Multilayer structure, electrode for electrical circuit using the same, and method for producing the same 有权多层结构，使用该电极的电路用电极及其制造方法公开(公告)号：US08017868B2
公开(公告)日：2011-09-13
申请号：US12161435
申请日：2007-01-15
申请人： Satoshi Umeno , Katsunori Honda , Kazuyoshi Inoue
发明人： Satoshi Umeno , Katsunori Honda , Kazuyoshi Inoue
IPC分类号： H01B5/00
CPC分类号： C23C14/086 , C03C17/36 , C03C17/3607 , C03C17/3642 , C03C17/3655 , C03C17/3671 , C03C2217/94 , C03C2217/944 , C03C2217/948 , C03C2218/156 , C23C14/14 , C23C28/322 , C23C28/345 , G02F2001/13629
摘要： A multilayer structure including a transparent conductive thin film and a molybdenum metal thin film wherein difference of internal stress between the transparent conductive thin film and the molybdenum metal thin film is 1600 MPa or less.
摘要翻译： 包括透明导电薄膜和钼金属薄膜的多层结构，其中透明导电薄膜和钼金属薄膜之间的内应力差为1600MPa以下。
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9.发明申请公开(公告)号：US20090008124A1
公开(公告)日：2009-01-08
申请号：US12162028
申请日：2007-01-16
IPC分类号： H01B5/00
CPC分类号： C23C14/086 , G02F1/13439 , G02F2001/13629 , H01J9/02 , H01L51/5206 , H01L51/5209
摘要： A multilayer structure including a transparent conductive thin film and a molybdenum metal thin film, the transparent conductive thin film having a thickness of 35 nm or less.
摘要翻译： 包括透明导电薄膜和钼金属薄膜的多层结构，该透明导电薄膜的厚度为35nm以下。
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公开(公告)号：US20090114886A1
公开(公告)日：2009-05-07
申请号：US12094323
申请日：2006-11-17
申请人： Shigekazu Tomai , Satoshi Umeno
发明人： Shigekazu Tomai , Satoshi Umeno
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B35/6262 , C04B35/62655 , C04B2235/3201 , C04B2235/3203 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/442 , C04B2235/444 , C04B2235/445 , C04B2235/5436 , C04B2235/604 , C04B2235/6581 , C04B2235/6582 , C04B2235/664 , C23C14/08 , C23C14/086 , H01L51/0021 , H01L51/5221 , H05B33/28
摘要： A fired material including at least one metal atom selected from indium, zinc and tin, at least one alkali metal atom selected from cesium, potassium and lithium, and an oxygen atom, wherein the atomic ratio (alkali metal atom)/(metal atom+alkali metal atom) is 0.1 to 80 at. %.
摘要翻译： 包括选自铟，锌和锡中的至少一种金属原子，至少一种选自铯，钾和锂的碱金属原子和氧原子的烧制材料，其中原子比（碱金属原子）/（金属原子+ 碱金属原子）为0.1〜80at。 ％。
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