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1.发明授权Sputtering target comprising an oxide sintered body comprising In, Ga, and Zn 有权包含由In，Ga和Zn组成的氧化物烧结体的溅射靶公开(公告)号：US09054196B2
公开(公告)日：2015-06-09
申请号：US14116328
申请日：2012-05-01
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Hirokazu Kawashima , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Hirokazu Kawashima , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
IPC分类号： H01L29/10 , H01L29/786 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/645 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/26 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/786 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/62675 , C04B35/6455 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/40 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/26 , H01L29/7869
摘要： A thin film transistor including an active layer, and has a field-effect mobility of 25 cm2/Vs or more, the active layer being formed of an oxide that includes In, Ga, and Zn in an atomic ratio that falls within the following region 1, region 2, or region 3, the region 1 being defined by 0.58≦In/(In+Ga+Zn)≦0.68 and 0.15
摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括有源层，并具有25cm 2 / Vs以上的场效应迁移率，所述有源层由包含In，Ga和Zn的氧化物以原子比落在下述区域内 1，区域2或区域3，区域1由0.58和n1E定义; In /（In + Ga + Zn）＆nlE; 0.68和0.15
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公开(公告)号：US20140103268A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：US14116322
申请日：2012-05-07
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
CPC分类号： H01L29/242 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： A sputtering target including indium (In), tin (Sn) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) to (4): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85 (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40 (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70 (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99 (4)
摘要翻译： 包括铟（In），锡（Sn）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自下列X族的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）至（4）的元素的原子比 ）：组X：Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.10＆nlE; In /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.85（1）0.01＆ /(In + Sn+Zn）≤nlE;0.40（2）0.10＆nlE; Zn /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.70（3）0.70＆lt; In /（In + X）＆nlE; 0.99（4）
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3.发明申请In-Ga-Sn OXIDE SINTER, TARGET, OXIDE SEMICONDUCTOR FILM, AND SEMICONDUCTOR ELEMENT 有权In-Ga-Sn氧化物锡，靶，氧化物半导体膜和半导体元件公开(公告)号：US20120313057A1
公开(公告)日：2012-12-13
申请号：US13580355
申请日：2011-02-22
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami , Koki Yano
CPC分类号： C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B37/026 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2237/02 , C04B2237/10 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： An oxide sintered body including indium element (In), gallium element (Ga) and tin element (Sn) in atomic ratios represented by the following formulas (1) to (3): 0.10≦In/(In+Ga+Sn)≦0.60 (1) 0.10≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.55 (2) 0.0001
摘要翻译： 包含由下式（1）〜（3）表示的原子比的铟元素（In），镓元素（Ga）和锡元素（Sn）的氧化物烧结体：0.10＆nlE; In /（In + Ga + Sn） ＆nlE; 0.60（1）0.10＆nlE; Ga /（In + Ga + Sn）＆nlE; 0.55（2）0.0001
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公开(公告)号：US09214519B2
公开(公告)日：2015-12-15
申请号：US14116322
申请日：2012-05-07
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
IPC分类号： H01B1/02 , H01L29/24 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L21/02
CPC分类号： H01L29/242 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/457 , C04B2235/3206 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3407 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631
摘要： A sputtering target including indium (In), tin (Sn) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) to (4): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.10≦In/(In+Sn+Zn)≦0.85 (1) 0.01≦Sn/(In+Sn+Zn)≦0.40 (2) 0.10≦Zn/(In+Sn+Zn)≦0.70 (3) 0.70≦In/(In+X)≦0.99 (4).
摘要翻译： 包括铟（In），锡（Sn）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自下列X族的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）至（4）的元素的原子比 ）：组X：Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.10＆nlE; In /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.85（1）0.01＆ /(In+Sn+Zn)≦̸0.40（2）0.10＆nlE; Zn /（In + Sn + Zn）＆nlE; 0.70（3）0.70＆lt; In /（In + X）＆nlE; 0.99（4）。
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5.发明授权In-Ga-Sn oxide sinter, target, oxide semiconductor film, and semiconductor element 有权In-Ga-Sn氧化物烧结体，靶，氧化物半导体膜和半导体元件公开(公告)号：US08999208B2
公开(公告)日：2015-04-07
申请号：US13580355
申请日：2011-02-22
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami , Koki Yano
IPC分类号： H01B1/02 , C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/626 , C04B37/02 , C23C14/08 , C23C14/34 , H01L29/786 , H01L29/66 , H01L21/02
CPC分类号： C04B35/01 , C04B35/457 , C04B35/6261 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/62695 , C04B37/026 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/656 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/6585 , C04B2235/76 , C04B2235/77 , C04B2235/95 , C04B2237/02 , C04B2237/10 , C04B2237/34 , C04B2237/407 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78693
摘要： An oxide sintered body including indium element (In), gallium element (Ga) and tin element (Sn) in atomic ratios represented by the following formulas (1) to (3): 0.10≦In/(In+Ga+Sn)≦0.60 (1) 0.10≦Ga/(In+Ga+Sn)≦0.55 (2) 0.0001
摘要翻译： 包含由下式（1）〜（3）表示的原子比的铟元素（In），镓元素（Ga）和锡元素（Sn）的氧化物烧结体：0.10＆nlE; In /（In + Ga + Sn） ＆nlE; 0.60（1）0.10＆nlE; Ga /（In + Ga + Sn）＆nlE; 0.55（2）0.0001
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公开(公告)号：US20140102892A1
公开(公告)日：2014-04-17
申请号：US14116285
申请日：2012-05-08
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
IPC分类号： C23C14/34
CPC分类号： C23C14/3414 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B2235/3206 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C23C14/086 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869 , H01L29/78693
摘要： A sputtering target including indium (In) and zinc (Zn) and an oxide including one or more elements X selected from the following group X, the atomic ratio of the elements satisfying the following formulas (1) and (2): Group X: Mg, Si, Al, Sc, Ti, Y, Zr, Hf, Ta, La, Nd, Sm 0.30≦In/(In+Zn)≦0.90 (1) 0.70≦In/(In+X)≦0.99 (2).
摘要翻译： 包含铟（In）和锌（Zn）的溅射靶和包含选自以下X组的一种或多种元素X的氧化物，满足下式（1）和（2）的元素的原子比：组X： Mg，Si，Al，Sc，Ti，Y，Zr，Hf，Ta，La，Nd，Sm 0.30和nlE; In /（In + Zn）＆nlE; 0.90（1）0.70和nlE; In /（In + X） ; 0.99（2）。
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公开(公告)号：US20140084289A1
公开(公告)日：2014-03-27
申请号：US14116328
申请日：2012-05-01
申请人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Hirokazu Kawashima , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
发明人： Masayuki Itose , Mami Nishimura , Hirokazu Kawashima , Misa Sunagawa , Masashi Kasami , Koki Yano
IPC分类号： H01L29/786 , H01L29/26
CPC分类号： H01L29/786 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/62675 , C04B35/6455 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/40 , C04B2235/5409 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6585 , C04B2235/664 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C04B2235/963 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/26 , H01L29/7869
摘要： A thin film transistor including an active layer, and has a field-effect mobility of 25 cm2/Vs or more, the active layer being formed of an oxide that includes In, Ga, and Zn in an atomic ratio that falls within the following region 1, region 2, or region 3, the region 1 being defined by 0.58≦In/(In+Ga+Zn)≦0.68 and 0.15
摘要翻译： 一种薄膜晶体管，包括有源层，并具有25cm 2 / Vs以上的场效应迁移率，所述有源层由包含In，Ga和Zn的氧化物以原子比落在下述区域内 1，区域2或区域3，区域1由0.58和n1E定义; In /（In + Ga + Zn）＆nlE; 0.68和0.15
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公开(公告)号：US09206502B2
公开(公告)日：2015-12-08
申请号：US14116299
申请日：2012-04-27
申请人： Misa Sunagawa , Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami
发明人： Misa Sunagawa , Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami
IPC分类号： H01B1/02 , C23C14/08 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/626 , C04B35/645 , C23C14/34 , H01B1/08 , H01L29/24 , H01L21/02
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/62675 , C04B35/6455 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/40 , C04B2235/44 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24
摘要： A sputtering target including an oxide A and InGaZnO4, the oxide A having a diffraction peak in regions A to K at 2θ=7.0° to 8.4°, 30.6° to 32.0°, 33.8° to 35.8°, 53.5° to 56.5°, 56.5° to 59.5°, 14.8° to 16.2°, 22.3° to 24.3°, 32.2° to 34.2°, 43.1° to 46.1°, 46.2° to 49.2°, and 62.7° to 66.7°.
摘要翻译： 包括氧化物A和InGaZnO4的溅射靶，在A区域中的衍射峰为2θ= 7.0°至8.4°，30.6°至32.0°，33.8°至35.8°，53.5°至56.5°的氧化物A， 56.5°〜59.5°，14.8°〜16.2°，22.3°〜24.3°，32.2°〜34.2°，43.1°〜46.1°，46.2°〜49.2°，62.7°〜66.7°。
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公开(公告)号：US20140145124A1
公开(公告)日：2014-05-29
申请号：US14116299
申请日：2012-04-27
申请人： Misa Sunagawa , Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami
发明人： Misa Sunagawa , Masayuki Itose , Mami Nishimura , Masashi Kasami
CPC分类号： C23C14/086 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/62675 , C04B35/6455 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/40 , C04B2235/44 , C04B2235/5409 , C04B2235/604 , C04B2235/652 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/658 , C04B2235/763 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01B1/08 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/24
摘要： A sputtering target including an oxide A and InGaZnO4, the oxide A having a diffraction peak in regions A to K at 2θ=7.0° to 8.4°, 30.6° to 32.0°, 33.8° to 35.8°, 53.5° to 56.5°, 56.5° to 59.5°, 14.8° to 16.2°, 22.3° to 24.3°, 32.2° to 34.2°, 43.1° to 46.1°, 46.2° to 49.2°, and 62.7° to 66.7°.
摘要翻译： 包括氧化物A和InGaZnO4的溅射靶，在A区域中的衍射峰为2θ= 7.0°至8.4°，30.6°至32.0°，33.8°至35.8°，53.5°至56.5°的氧化物A， 56.5°〜59.5°，14.8°〜16.2°，22.3°〜24.3°，32.2°〜34.2°，43.1°〜46.1°，46.2°〜49.2°，62.7°〜66.7°。
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10.发明申请SEMICONDUCTOR THIN FILM, THIN FILM TRANSISTOR AND PRODUCTION METHOD THEREFOR 审中-公开半导体薄膜，薄膜晶体管及其生产方法公开(公告)号：US20130264565A1
公开(公告)日：2013-10-10
申请号：US13878937
申请日：2011-10-11
IPC分类号： H01L29/24 , H01L29/66 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/247 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/78606 , H01L29/78693
摘要： A semiconductor thin film includes one or more amorphous metal oxides, an OH group being bonded to at least some of the metal atoms of the amorphous metal oxides.
摘要翻译： 半导体薄膜包括一种或多种非晶金属氧化物，OH基团键合到非晶金属氧化物的至少一些金属原子。
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