公开(公告)号：CN105934282A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：CN201580005883.8

申请日：2015-03-18

申请人： 三菱综合材料株式会社

发明人： 藤井顺 ,  樱井英章 ,  曽山信幸

IPC分类号： B05D7/24 ,  B05D7/00

CPC分类号： B05D3/0209 ,  B05D3/0218 ,  B05D3/0413 ,  B05D5/00 ,  C01G53/70 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443 ,  H01G4/008 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/187 ,  H01L41/317 ,  H01L41/318 ,  H01L41/319

摘要： 本发明的LaNiO3薄膜的形成方法包括：在被Pt电极包覆的基板中，在将吸附于每1cm2的所述基板表面的H2量、H2O量及CO量分别设为1.0×10‑10g以下、2.7×10‑10g以下、4.2×10‑10g以下的状态下，将LaNiO3薄膜形成用液体组合物涂布于所述基板表面并进行干燥而形成涂膜的工序；临时烧结所述涂膜的工序；及烧成所述临时烧结后的涂膜而形成LaNiO3薄膜的工序。

公开(公告)号：CN105845438A

公开(公告)日：2016-08-10

申请号：CN201610069480.6

申请日：2016-02-01

申请人： TDK株式会社

发明人： 远藤诚 ,  石田庆介 ,  山口孝一 ,  田边新平

IPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC分类号： H01G4/12 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30 ,  H01G4/1272

摘要： 本发明提供一种即使介电层薄也具有优异的可靠性以及抗热冲击性的层叠型陶瓷电子部件。所述层叠型陶瓷电子部件的结构的特征在于：具备：长方体形状的素体主体，其具有沿着长度方向和宽度方向延伸的第1主面和第2主面、沿着长度方向和高度方向延伸的第1侧面和第2侧面、沿着宽度方向和高度方向延伸的第1端面和第2端面；和一对内部电极层，其以露出于所述第1端面或者所述第2端面的方式在所述陶瓷素体的内部夹着介电层在高度方向上相互相对，所述介电层的厚度从中央部向着所述第1侧面和第2侧面变大。

公开(公告)号：CN1295710C

公开(公告)日：2007-01-17

申请号：CN02821471.4

申请日：2002-08-26

申请人： TDK株式会社

发明人： 坂下幸雄 ,  舟洼浩

IPC分类号： H01B3/12 ,  H01G4/33 ,  C01G29/00 ,  C04B35/00

CPC分类号： C04B35/475 ,  B32B18/00 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/963 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： 本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。

公开(公告)号：CN1009873B

公开(公告)日：1990-10-03

申请号：CN87105843

申请日：1987-08-11

申请人： TDK株式会社

发明人： 小野秀一 ,  矢作正博 ,  板垣秋一 ,  菊地信明

IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/46 ,  H01G4/12

CPC分类号： H01G4/1272 ,  C04B35/4682

摘要： 用于还原再氧化型半导体陶瓷电容器的半导体陶瓷组合物，这组合物能提高电容器的电容，绝缘强度并能改善电容器的温度特性，组合物包括BaTiO3基体组分和包含Nb和Ce的少量组分Nb和Ce的含量分别按Nb2O5和CeO2计算为0.1到3.0%(摩尔)。用添加Co等元素的方法来提高电容器的绝缘电阻和直流击穿电压并进一步改善电容器的温度特性。

公开(公告)号：CN104637675B

公开(公告)日：2017-08-25

申请号：CN201410612861.5

申请日：2014-11-04

申请人： TDK株式会社

发明人： 武田早织 ,  兼子俊彦 ,  山下由贵 ,  瀬在勇司

IPC分类号： H01G4/12 ,  C01G29/00 ,  H01G4/33

CPC分类号： C04B35/453 ,  C04B35/16 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/80 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L28/55

摘要： 本发明涉及介电组合物，提供一种维持高的相对介电常数并且显示良好的温度特性的介电组合物。所述介电组合物含有通式Bi12SiO20所表示的结晶相和通式Bi2SiO5所表示的结晶相作为主要成分。优选所述介电组合物含有Bi2SiO5结晶相5质量％～99质量％，进一步优选为30质量％～99质量％。

公开(公告)号：CN103430294A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201180069251.X

申请日：2011-03-18

申请人： 富士通株式会社

发明人： 今田忠纮

IPC分类号： H01L21/338 ,  H01G7/00 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC分类号： H01L29/778 ,  H01G4/1272 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

摘要： 本发明的化合物半导体装置设有第1电极（3）、在第1电极（3）的上方形成的本征第1化合物半导体层（1）、在第1化合物半导体层（1）上形成且带隙比第1化合物半导体层（1）小的第2化合物半导体层（2）以及在第2化合物半导体层（2）的上方形成的第2电极（4）。

公开(公告)号：CN101416314B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200780012344.2

申请日：2007-02-16

申请人： 首尔大学校产学协力团

发明人： 卢泰元 ,  尹钟杰 ,  李桢赫

IPC分类号： H01L27/105

CPC分类号： H01L21/02194 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  H01F1/407 ,  H01F10/002 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01G7/06 ,  H01L21/02192 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L41/16 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/325

摘要： 本发明涉及将下述式(1)表示的材料形成具有六方晶体结构的层，其不同于该材料体相的斜方晶体结构，因此通过获得增强的多重铁性，该材料比传统的多重铁性材料可更有效地用于要求多重铁性的各种领域。RMnO3，(R代表镧系元素)...(1)。

公开(公告)号：CN1974472B

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200610160562.8

申请日：2002-08-26

申请人： TDK株式会社

发明人： 坂下幸雄 ,  舟洼浩

IPC分类号： C04B35/00 ,  H01B3/12 ,  H01G4/33 ,  C01G29/00

CPC分类号： C04B35/475 ,  B32B18/00 ,  C04B35/01 ,  C04B2235/3201 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3289 ,  C04B2235/963 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/55

摘要： 本发明是在基板(4)上依次形成下部电极(6)、电介质薄膜(8)和上部电极(10)的薄膜电容器(2)。电介质薄膜(8)由薄膜电容元件用组合物构成，该薄膜电容元件用组合物具有c轴相对于基板面垂直取向的铋层状化合物，该铋层状化合物用组成式：(Bi2O2)2+(Am-1BmO3m+1)2-或Bi2Am-1BmO3m+3表示，上述组成式中的符号m为偶数，符号A为选自Na、K、Pb、Ba、Sr、Ca和Bi的至少1种元素，符号B为选自Fe、Co、Cr、Ga、Ti、Nb、Ta、Sb、V、Mo和W的至少1种元素。电容率的温度特性优良，同时即使变薄也具有较高的电容率且损耗低，漏电特性优良，耐电压提高，表面平滑性也优良。

公开(公告)号：CN103946937B

公开(公告)日：2017-03-15

申请号：CN201280056056.8

申请日：2012-11-14

申请人： M·A·斯图尔特 ,  S·L·坎宁安

发明人： M·A·斯图尔特 ,  S·L·坎宁安

IPC分类号： H01G4/018 ,  H01G4/228

CPC分类号： H01G4/30 ,  H01G4/012 ,  H01G4/018 ,  H01G4/1218 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/129 ,  H01G4/258 ,  H01L28/55 ,  H01L28/56 ,  Y02T10/7022

摘要： 一种用于提供高比能量密度的电能存储的装置和方法。所述装置包含夹在由多种可能导电材料制成的电极层之间的多个高介电常数材料(如钛酸钡或六方晶系钛酸钡)层。所述装置包括介于电极之间、提供非常高的击穿电压的另外的绝缘层，如类金刚石碳涂层。层由多种方法形成并且被组装以形成所述装置、即高能量密度存储装置。

公开(公告)号：CN103677463B

公开(公告)日：2016-12-28

申请号：CN201310232465.5

申请日：2013-06-07

申请人： 元太科技工业股份有限公司

发明人： 陈蔚宗 ,  辛哲宏 ,  蔡娟娟 ,  唐文忠 ,  杨智翔

IPC分类号： G06F3/044 ,  H01G4/33

CPC分类号： H01G4/1272 ,  G06F3/044 ,  H01L28/40

摘要： 本发明是有关于一种电容式触控面板的电容结构，包括第一电极层、第一材料层、第二材料层以及第二电极层。第一材料层配置于第一电极层上，其材料选自半导体材料及绝缘材料两者其中之一。第二材料层配置于第一材料层上，其材料选自半导体材料及绝缘材料两者其中的另一种。第二电极层配置于第二材料层上。