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公开(公告)号：CN101419865A
公开(公告)日：2009-04-29
申请号：CN200810175631.1
申请日：2008-09-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其作为主成分具有BaTiO3，相对于主成分100摩尔，作为副成分，以各氧化物或复合氧化物换算，含有：MgO：0.50～3.0摩尔、MnO：0.05～0.5摩尔、选自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE12O3)、选自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE22O3)、选自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE32O3)、BaZrO3：0.20～1.0摩尔、及选自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物：0.05～0.25摩尔，上述RE12O3、RE22O3和RE32O3的含量满足：RE12O3＜RE22O3，及(RE12O3+RE22O3)≤RE32O3。
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公开(公告)号：CN104637675B
公开(公告)日：2017-08-25
申请号：CN201410612861.5
申请日：2014-11-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/16 , C04B2235/3298 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/80 , H01G4/085 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L28/55
Abstract: 本发明涉及介电组合物，提供一种维持高的相对介电常数并且显示良好的温度特性的介电组合物。所述介电组合物含有通式Bi12SiO20所表示的结晶相和通式Bi2SiO5所表示的结晶相作为主要成分。优选所述介电组合物含有Bi2SiO5结晶相5质量％～99质量％，进一步优选为30质量％～99质量％。
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公开(公告)号：CN104952617A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201510111765.7
申请日：2015-03-13
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/49 , C04B35/47 , C04B35/48 , C04B35/486 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/6562 , C04B2235/79 , C04B2235/80 , H01B3/12
Abstract: 本发明提供一种介电组合物和使用了该介电组合物的电子部件，即使在将介电膜进一步薄膜化的情况下，所述介电组合物也具有高耐受电压和高相对介电常数。所述介电组合物其特征在于，所述介电组合物以A组和B组作为主成分，A组以从Ba、Ca、Sr的至少两种以上中选择的元素作为主成分，B组以从Zr和Ti中选择的元素作为主成分并且至少包含Zr，所述介电组合物包含：含有所述A组和所述B组的非晶体、和含有所述A组和所述B组的晶体，所述介电组合物中的所述A组与所述B组的摩尔比α为0.5≤α≤1.5。
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公开(公告)号：CN104240942A
公开(公告)日：2014-12-24
申请号：CN201410281264.9
申请日：2014-06-20
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/6562 , H01L28/40
Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是在进一步对电介质膜实施薄膜化的情况下，也能够既维持相对介电常数和温度特性又提高耐电压的非晶电介质膜以及电子部件。本发明所涉及的非晶电介质膜的特征在于：是一种由将A-B-O作为主成分的非晶组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(BaxCaySrz)α-B-O时，x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，x、y、z中的至少任意两种为0.1以上，在将A/B表示为α时，0.5≤α≤1.5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104240942B
公开(公告)日：2017-09-05
申请号：CN201410281264.9
申请日：2014-06-20
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/6562 , H01L28/40
Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是在进一步对电介质膜实施薄膜化的情况下，也能够既维持相对介电常数和温度特性又提高耐电压的非晶电介质膜以及电子部件。本发明所涉及的非晶电介质膜的特征在于：是一种由将A‑B‑O作为主成分的非晶组合物构成的电介质膜，A包含选自Ba、Ca、Sr中的至少两种以上元素，B包含Zr元素，在将所述电介质膜的主成分表示为(BaxCaySrz)α‑B‑O时，x、y、z分别为0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1，x、y、z中的至少任意两种为0.1以上，在将A/B表示为α时，0.5≤α≤1.5。
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公开(公告)号：CN102557615A
公开(公告)日：2012-07-11
申请号：CN201110292195.8
申请日：2011-09-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/468 , C04B35/622 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: H01G4/1227 , C04B35/4682 , C04B35/632 , C04B35/6342 , C04B35/638 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3225 , C04B2235/3236 , C04B2235/3248 , C04B2235/3262 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C04B2235/6588 , C04B2235/662 , C04B2235/761 , C04B2235/768 , C04B2235/785 , C04B2235/79 , C04B2235/80
Abstract: 电介质陶瓷组合物，其含有以通式ABO3表示且具有钙钛矿型结晶结构的化合物以及Y的氧化物，“A”为Ba一种、或者Ba与选自Ca和Sr的至少1种的组合，“B”为Ti一种、或者Ti与Zr的组合。该电介质陶瓷组合物含有以上述化合物为主成分的电介质粒子。在使用表示上述化合物的原料粉末的平均粒径的d[nm]和表示该原料粉末的钙钛矿型结晶结构中c轴的晶格常数与a轴的晶格常数的比值的c/a，并定义α＝1000×（c/a）/d时，α为11.0以下。
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公开(公告)号：CN104952617B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201510111765.7
申请日：2015-03-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种介电组合物和使用了该介电组合物的电子部件，即使在将介电膜进一步薄膜化的情况下，所述介电组合物也具有高耐受电压和高相对介电常数。所述介电组合物其特征在于，所述介电组合物以A组和B组作为主成分，A组以从Ba、Ca、Sr的至少两种以上中选择的元素作为主成分，B组以从Zr和Ti中选择的元素作为主成分并且至少包含Zr，所述介电组合物包含：含有所述A组和所述B组的非晶体、和含有所述A组和所述B组的晶体，所述介电组合物中的所述A组与所述B组的摩尔比α为0.5≤α≤1.5。
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公开(公告)号：CN104637675A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201410612861.5
申请日：2014-11-04
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/453 , C04B35/16 , C04B2235/3298 , C04B2235/3427 , C04B2235/604 , C04B2235/6567 , C04B2235/80 , H01G4/085 , H01G4/1209 , H01G4/1272 , H01G4/33 , H01L28/55
Abstract: 本发明涉及介电组合物，提供一种维持高的相对介电常数并且显示良好的温度特性的介电组合物。所述介电组合物含有通式Bi12SiO20所表示的结晶相和通式Bi2SiO5所表示的结晶相作为主要成分。优选所述介电组合物含有Bi2SiO5结晶相5质量％～99质量％，进一步优选为30质量％～99质量％。
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公开(公告)号：CN101419865B
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200810175631.1
申请日：2008-09-26
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其作为主成分具有BaTiO3，相对于主成分100摩尔，作为副成分，以各氧化物或复合氧化物换算，含有：MgO：0.50～3.0摩尔、MnO：0.05～0.5摩尔、选自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE12O3)、选自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE22O3)、选自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE32O3)、BaZrO3：0.20～1.0摩尔、及选自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物：0.05～0.25摩尔，上述RE12O3、RE22O3和RE32O3的含量满足：RE12O3
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