公开(公告)号：CN117809980A

公开(公告)日：2024-04-02

申请号：CN202311263275.X

申请日：2023-09-27

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡边笃 ,  奥井保弘 ,  永岛义崇 ,  斋藤真也 ,  渡边康夫

IPC: H01G4/38 ,  H01G4/005

Abstract: 电子部件具备：素体，具有在第一方向相对的第一及第二主面、在第二方向相对的第一及第二端面、在第三方向相对的第一及第二侧面；第一端子电极，形成于第一端面；第二端子电极，形成于第二端面；第一内部电极，设置在素体内，在第一端面与第一端子电极连接；第二内部电极，设置在素体内，在第二端面与第二端子电极连接；第三内部电极，设置在素体内，向第一侧面引出；第四内部电极，设置在素体内，向第二侧面引出，第三和第四内部电极至少经由形成于第一及第二侧面的外部连结导体电连接，在第一方向，第一内部电极不与第二及第四内部电极相对，与第三内部电极相对，在第一方向，第二内部电极不与第一及第三内部电极相对，与第四内部电极相对。

公开(公告)号：CN100449662C

公开(公告)日：2009-01-07

申请号：CN200410001482.9

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49

CPC classification number: C04B35/465 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00，所述组成通式中y满足0≤y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式{(Sr1-xCax)O}m’·(Ti1-yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’＜m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容—温度特性。

公开(公告)号：CN101034599A

公开(公告)日：2007-09-12

申请号：CN200710086089.8

申请日：2007-03-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 原治也 ,  渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C01G23/006 ,  B82Y30/00 ,  C01P2002/34 ,  C01P2002/72 ,  C01P2002/77 ,  C01P2004/62 ,  C01P2004/64 ,  C01P2006/12 ,  C01P2006/40 ,  C04B35/4682 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/5409 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/6025 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/761 ,  C04B2235/762 ,  C04B2235/765 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 本发明的目的为对于层积陶瓷电子部件，实现比介电常数的提高和介电损耗的下降，并且在进行所构成电介质陶瓷层的薄层化时也能够维持充分的容量温度特性。本发明提供一种电介质陶瓷层和内部电极层交互层积的层积陶瓷电子部件，其中，作为用来形成所述电介质陶瓷层的陶瓷粉末，使用具有钙钛矿型晶体结构，并且将正方晶相的含量Wt与立方晶相的含量Wc的重量比Wt/Wc记为X时，X≥3的陶瓷粉末。这里，正方晶相与立方晶相的重量比Wt/Wc是由利用Rietveld法的多相解析来求出。陶瓷粉末是例如钛酸钡粉末。陶瓷粉末的比表面积为4～10m2/g。

公开(公告)号：CN1152842C

公开(公告)日：2004-06-09

申请号：CN01117885.X

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/465 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00，所述组成通式中y满足0≤y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式{(Sr1-xCax)O}m，·(Ti1-yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’＜m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容-温度特性。

公开(公告)号：CN100473626C

公开(公告)日：2009-04-01

申请号：CN01814363.6

申请日：2001-06-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: C04B35/49 ,  H01B3/12

CPC classification number: H01G4/1245 ,  C04B35/49 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/96 ,  H01B3/12 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其包含含有由组成分子式{(Ca1-xMex)O}·(Zr1-yTiy)O2表示的介电氧化物的主成分和包含选自V、Nb、W、Ta、Mo和Cr的氧化物以及在烧成后变成这些金属氧化物的化合物中的至少一种的第一辅助成分，其中，在所述主成分中包含的分子式中的符号Me是Sr、Mg和Ba的至少之一，符号m、x和y表示在所述主成分中包含的分子式中的组成摩尔比，其为0.8≤m≤1.3、0≤x≤1.00和0.1≤y≤0.8，并且第一辅助成分与100摩尔主成分的比例用氧化物中的金属元素表示满足0.01原子%≤第一辅助成分＜5原子%。

公开(公告)号：CN100440392C

公开(公告)日：2008-12-03

申请号：CN200410086126.1

申请日：2001-02-09

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明涉及一种具有介电层的电子器件及其生产方法。所述介电层由如下的介电陶瓷组合物组成，其至少含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分，在主要组分表达式中：0.94＜m＜1.02，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，以R计，第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。

公开(公告)号：CN101093749A

公开(公告)日：2007-12-26

申请号：CN200710137992.2

申请日：2007-06-12

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 小岛畅 ,  M·柳田 ,  细野雅和 ,  渡边康夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12 ,  C04B35/468 ,  C04B35/622

CPC classification number: C04B35/4682 ,  B82Y30/00 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/638 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3241 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3409 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/3436 ,  C04B2235/3454 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/5445 ,  C04B2235/5454 ,  C04B2235/6562 ,  C04B2235/6565 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/785 ,  C04B2235/79 ,  H01G4/1227 ,  H01G4/30

Abstract: 一种电介质陶瓷组合物的制造方法，该电介质陶瓷组合物具有：含有钛酸钡的主成分，所述钛酸钡组成式BamTiO2+m中的m为0.990＜m＜1.010；含有R氧化物(其中，R为选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少1种)的第4副成分；至少含有BaO的其它副成分。该方法具有使主成分原料和第4副成分的原料的至少一部分预先反应，准备反应过的原料的工序，并且当相对于主成分100摩尔，其它副成分中的BaO为n摩尔时，组成式Bam+n/100TiO2+m+n/100中的m和n满足0.994＜m+n/100＜1.014。根据本发明，可以提供在不使容量温度特性、IR、IR加速寿命等变差的条件下，能够提高相对介电常数的电介质陶瓷组合物及其制造方法。

公开(公告)号：CN1506987A

公开(公告)日：2004-06-23

申请号：CN200410001482.9

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 福井隆史 ,  渡边康夫 ,  高桥三喜夫 ,  佐藤阳

IPC: H01G4/12 ,  H01G4/30 ,  H01B3/12 ,  C04B35/465 ,  C04B35/48 ,  C04B35/49

CPC classification number: C04B35/465 ,  C01G23/002 ,  C01G23/006 ,  C04B35/47 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中X满足0≤x≤1.00，所述组成通式中Y满足0≤Y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’

公开(公告)号：CN1317458A

公开(公告)日：2001-10-17

申请号：CN01119630.0

申请日：2001-03-30

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 佐藤阳 ,  渡边康夫 ,  福井隆史 ,  高桥三喜夫

IPC: C04B35/462 ,  C04B35/49 ,  H01B3/12 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: C04B35/49 ,  B32B2311/22 ,  C01G23/006 ,  C01G25/006 ,  C01P2002/50 ,  C04B35/465 ,  C04B35/47 ,  C04B35/6262 ,  C04B35/62685 ,  C04B35/6303 ,  C04B35/632 ,  C04B35/638 ,  C04B35/64 ,  C04B2235/3203 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3208 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3229 ,  C04B2235/3239 ,  C04B2235/3251 ,  C04B2235/3256 ,  C04B2235/3258 ,  C04B2235/3262 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/656 ,  C04B2235/6582 ,  C04B2235/6583 ,  C04B2235/6584 ,  C04B2235/6588 ,  C04B2235/663 ,  C04B2235/79 ,  C04B2235/96 ,  C04B2237/346 ,  C04B2237/405 ,  H01G4/1227

Abstract: 一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr1－xCax)O}m·(Ti1－yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容－温度特性的诸如片状电容器的电子器件。

公开(公告)号：CN101419865A

公开(公告)日：2009-04-29

申请号：CN200810175631.1

申请日：2008-09-26

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 高桥哲弘 ,  渡边康夫 ,  兼子俊彦 ,  细野雅和 ,  石井辰也 ,  武田早织 ,  益子泰辅

IPC: H01G4/12 ,  C04B35/46

Abstract: 本发明涉及电介质陶瓷组合物及电子部件。本发明提供一种电介质陶瓷组合物，其作为主成分具有BaTiO3，相对于主成分100摩尔，作为副成分，以各氧化物或复合氧化物换算，含有：MgO：0.50～3.0摩尔、MnO：0.05～0.5摩尔、选自Sm、Eu、Gd中的元素的氧化物(RE12O3)、选自Tb、Dy中的元素的氧化物(RE22O3)、选自Y、Ho、Er、Yb、Tm、Lu中的元素的氧化物(RE32O3)、BaZrO3：0.20～1.0摩尔、及选自V、Ta、Mo、Nb、W中的元素的氧化物：0.05～0.25摩尔，上述RE12O3、RE22O3和RE32O3的含量满足：RE12O3＜RE22O3，及(RE12O3+RE22O3)≤RE32O3。