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公开(公告)号：CN1606109A
公开(公告)日：2005-04-13
申请号：CN200410086126.1
申请日：2001-02-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , H01G4/1227 , Y10T428/24926
Abstract: 本发明涉及一种具有介电层的电子器件及其生产方法。所述介电层由如下的介电陶瓷组合物组成，其至少含有式{(Sr1－xCax)O}m·(Ti1－yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分，在主要组分表达式中：0.94＜m＜1.02，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，以R计，第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容－温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。
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公开(公告)号：CN1179912C
公开(公告)日：2004-12-15
申请号：CN01117382.3
申请日：2001-02-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C01G23/002 , C01G23/006 , C01P2004/04 , C01P2004/84 , H01G4/1227 , Y10T428/24926
Abstract: 一种介电陶瓷组合物，其至少含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分，在主要组分表达式中：0.94＜m＜1.02，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，以R计，第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。
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公开(公告)号：CN100449662C
公开(公告)日：2009-01-07
申请号：CN200410001482.9
申请日：2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C01G23/002 , C01G23/006 , C04B35/47 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00，所述组成通式中y满足0≤y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式{(Sr1-xCax)O}m’·(Ti1-yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’＜m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容—温度特性。
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公开(公告)号：CN1152842C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN01117885.X
申请日：2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C01G23/002 , C01G23/006 , C04B35/47 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00，所述组成通式中y满足0≤y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式{(Sr1-xCax)O}m，·(Ti1-yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’＜m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容-温度特性。
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公开(公告)号：CN1154624C
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN01119630.0
申请日：2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/49 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/49 , B32B2311/22 , C01G23/006 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/6303 , C04B35/632 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6583 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/79 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容-温度特性的诸如片状电容器的电子器件。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1316401A
公开(公告)日：2001-10-10
申请号：CN01117885.X
申请日：2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C01G23/002 , C01G23/006 , C04B35/47 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式{(Sr1－xCax)O}m·(Ti1－yZry)O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中x满足0≤x≤1.00，所述组成通式中y满足0≤y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式{(Sr1－xCax)O}m，·(Ti1－yZry)O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’＜m。该方法制成的电容器具有优异的抗还原性、优异的电容－温度特性。
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公开(公告)号：CN100440392C
公开(公告)日：2008-12-03
申请号：CN200410086126.1
申请日：2001-02-09
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及一种具有介电层的电子器件及其生产方法。所述介电层由如下的介电陶瓷组合物组成，其至少含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物组合物的主要组分和含有R选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu中的至少一种元素的氧化物的第四次要组分，在主要组分表达式中：0.94＜m＜1.02，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，以R计，第四次要组分的摩尔比为0.02摩尔≤第四次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。
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公开(公告)号：CN1506987A
公开(公告)日：2004-06-23
申请号：CN200410001482.9
申请日：2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/465 , C01G23/002 , C01G23/006 , C04B35/47 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含介电层的电子器件的方法，该介电层包括含有以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的主成分的介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中X满足0≤x≤1.00，所述组成通式中Y满足0≤Y≤0.20，其特征为通过采用以组成通式（Sr1－xCax）O}m·（Ti1－YZry）O2表示的起始材料制备所述介电陶瓷组合物，其中所述组成通式中的摩尔比值m’满足m’
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公开(公告)号：CN1317458A
公开(公告)日：2001-10-17
申请号：CN01119630.0
申请日：2001-03-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/49 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
CPC classification number: C04B35/49 , B32B2311/22 , C01G23/006 , C01G25/006 , C01P2002/50 , C04B35/465 , C04B35/47 , C04B35/6262 , C04B35/62685 , C04B35/6303 , C04B35/632 , C04B35/638 , C04B35/64 , C04B2235/3203 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3239 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3258 , C04B2235/3262 , C04B2235/3418 , C04B2235/656 , C04B2235/6582 , C04B2235/6583 , C04B2235/6584 , C04B2235/6588 , C04B2235/663 , C04B2235/79 , C04B2235/96 , C04B2237/346 , C04B2237/405 , H01G4/1227
Abstract: 一种制备包含由介电陶瓷组合物组成的介电层的电子器件的方法，所述介电陶瓷组合物含有用组成通式{(Sr1－xCax)O}m·(Ti1－yZry)O2表示的主成分，其中摩尔比m满足0.94＜m＜1.08，x满足0≤x≤1.00，y满足0≤y≤0.20；和包括R的氧化物的第四副成分(R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb和Lu的至少一种)；根据该方法能制备具有优异的抗还原性、优异的电容－温度特性的诸如片状电容器的电子器件。
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公开(公告)号：CN1206661C
公开(公告)日：2005-06-15
申请号：CN01116498.0
申请日：2001-02-09
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C04B35/47 , C01G23/006 , C01P2002/50 , C01P2004/61 , C04B35/465 , H01G4/1227 , Y10T428/24917
Abstract: 一种至少由含有式{(Sr1-xCax)O}m·(Ti1-yZry)O2的介电氧化物的主要组分和一种含有选自V、Nb、W、Ta和Mo的至少一种氧化物的第一次要组分所组成的介电陶瓷组合物，式中m、x和y表示成分的摩尔比并0.94＜m＜1.08，0≤x≤1.00，和0≤y≤0.20，以及基于100摩尔的主要组分，换算为氧化物中的金属元素，第一次要组分的摩尔比为0.01摩尔≤第一次要组分＜2摩尔。这种介电陶瓷组合物，在烧结时可以获得优异的抗还原性、在烧结后可获得优异的电容-温度特性，并改善绝缘电阻的加速寿命。
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