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公开(公告)号：CN111747729B
公开(公告)日：2022-08-05
申请号：CN202010217663.4
申请日：2020-03-25
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/622 , H01G4/12
Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。由此，能够提供相对介电常数在高频段中较高的电介质膜。
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公开(公告)号：CN106960726B
公开(公告)日：2018-11-02
申请号：CN201610855620.2
申请日：2016-09-27
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是在以高频(2GHz)进行使用的情况下相对介电常数也高且介电损耗小即Q值高而且绝缘破坏电压高的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。本发明所涉及的电介质组合物的特征在于：作为主成分含有由化学式AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr中的至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)表示的复合氧化物，α、β、γ的关系满足α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375。
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公开(公告)号：CN105541299B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510684123.6
申请日：2015-10-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , H01B3/10 , H01B3/12
Abstract: 本发明提供一种即使在小型化了的情况下也相对介电常数高并且介电损耗小，即Q值高的介电组合物以及使用该介电组合物的电子部件。本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO‑yB’O‑zB”2O5(式中A为选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素，B’为选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素，B”为选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素)所表示的复合氧化物，其中，x、y、z的关系为x+y+z＝1.000；0.375≤x≤0.563；0.250≤y≤0.500；x/3≤z≤x/3+1/9。
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公开(公告)号：CN106297957A
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201610498509.2
申请日：2016-06-29
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/01 , C04B35/495
CPC classification number: H01B3/10 , C01G35/006 , C01P2006/40 , C04B35/495 , C04B35/62645 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/6565 , C04B2235/6567 , C23C14/08 , H01B3/12 , H01G4/10 , H01G4/1254 , H01G4/33 , C04B35/01 , C04B2235/3251
Abstract: 本发明的目的在于提供一种介电组合物以及使用了该介电组合物的电子部件，该介电组合物即使是在小型化了的情况下也能够相对介电常数高、介电损耗小、Q值高、进一步静电容量的温度变化率小。本发明所涉及的介电组合物的特征在于：作为主成分包含由通式xAO-yBO-zC2O5(式中A表示选自Ba、Ca、Sr中的至少一种元素，B表示Mg，C表示选自Nb、Ta中的至少一种元素)表示的复合氧化物，其中，x、y、z的关系为：x+y+z＝1.000；0.198≤x≤0.375；0.389≤y≤0.625；x/3≤z≤x/3+1/9。
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公开(公告)号：CN110382441B
公开(公告)日：2022-10-04
申请号：CN201880014961.4
申请日：2018-02-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , H01G4/30 , C04B35/488 , C01G25/02 , C04B35/057 , C23C14/08
Abstract: 本发明提供一种即使在高频区域也具有高的相对介电常数和高的Q值的电介质组合物和具有由其电介质组合物构成的电介质膜的电子器件。上述电介质组合物的特征在于含有通式(aCaO+bSrO)‑ZrO2所示的复合氧化物作为主成分，a和b满足a≥0、b≥0、1.50＜a+b≤4.00的关系。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110382441A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201880014961.4
申请日：2018-02-23
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/488 , C01G25/02 , C04B35/057 , C23C14/08 , H01G4/30
Abstract: 本发明提供一种即使在高频区域也具有高的相对介电常数和高的Q值的电介质组合物和具有由其电介质组合物构成的电介质膜的电子器件。上述电介质组合物的特征在于含有通式(aCaO+bSrO)-ZrO2所示的复合氧化物作为主成分，a和b满足a≥0、b≥0、1.50＜a+b≤4.00的关系。
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公开(公告)号：CN104952617B
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201510111765.7
申请日：2015-03-13
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种介电组合物和使用了该介电组合物的电子部件，即使在将介电膜进一步薄膜化的情况下，所述介电组合物也具有高耐受电压和高相对介电常数。所述介电组合物其特征在于，所述介电组合物以A组和B组作为主成分，A组以从Ba、Ca、Sr的至少两种以上中选择的元素作为主成分，B组以从Zr和Ti中选择的元素作为主成分并且至少包含Zr，所述介电组合物包含：含有所述A组和所述B组的非晶体、和含有所述A组和所述B组的晶体，所述介电组合物中的所述A组与所述B组的摩尔比α为0.5≤α≤1.5。
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公开(公告)号：CN107221430B
公开(公告)日：2019-12-06
申请号：CN201710169473.8
申请日：2017-03-21
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01G4/12 , C04B35/495 , H01B3/12
Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高的相对介电常数、Q值以及绝缘击穿电压的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。所述电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，在所述电介质膜的Cu‑KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为0.3°～2.0°。
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公开(公告)号：CN107221429B
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201710169275.1
申请日：2017-03-21
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的目的在于提供一种维持低介电损耗、即高的Q值而对应于急剧的温度变化具有高的耐热冲击性的以MgO为主成分的电介质薄膜以及具备该电介质薄膜的电子部件。所述电介质薄膜其特征在于，所述电介质薄膜以MgO为主成分，所述电介质薄膜由含有分别至少1个以上的由单晶构成的柱状结构A和由多晶构成的柱状结构B的柱状结构群构成，在将所述电介质薄膜的垂直方向的截面中所述柱状结构A所占的面积记为CA，并且将所述柱状结构B所占的面积记为CB的情况下，所述CA与CB的关系为0.4≤CB/CA≤1.1。
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