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公开(公告)号:CN105541299A
公开(公告)日:2016-05-04
申请号:CN201510684123.6
申请日:2015-10-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/495
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , H01B3/10 , H01B3/12
Abstract: 本发明提供一种即使在小型化了的情况下也相对介电常数高并且介电损耗小,即Q值高的介电组合物以及使用该介电组合物的电子部件。本发明所涉及的介电组合物的特征在于:作为主成分包含由通式xAO-yB’O-zB”2O5(式中A为选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素,B’为选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素,B”为选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素)所表示的复合氧化物,其中,x、y、z的关系为x+y+z=1.000;0.375≤x≤0.563;0.250≤y≤0.500;x/3≤z≤x/3+1/9。
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公开(公告)号:CN105541299B
公开(公告)日:2018-04-27
申请号:CN201510684123.6
申请日:2015-10-20
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01B3/12
CPC classification number: C04B35/495 , C04B35/01 , C04B35/453 , C04B35/62685 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3213 , C04B2235/3215 , C04B2235/3251 , C04B2235/3279 , C04B2235/3284 , H01B3/10 , H01B3/12
Abstract: 本发明提供一种即使在小型化了的情况下也相对介电常数高并且介电损耗小,即Q值高的介电组合物以及使用该介电组合物的电子部件。本发明所涉及的介电组合物的特征在于:作为主成分包含由通式xAO‑yB’O‑zB”2O5(式中A为选自Ba、Ca、Sr中的至少一种以上的元素,B’为选自Mg、Zn、Ni中的至少一种以上的元素,B”为选自Nb、Ta中的至少一种以上的元素)所表示的复合氧化物,其中,x、y、z的关系为x+y+z=1.000;0.375≤x≤0.563;0.250≤y≤0.500;x/3≤z≤x/3+1/9。
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