知搜-全球专利检索

  1. Login
  2. Sign Up

Search Results

15 records (took 0.029 seconds)

    电介质膜及电子部件
    1.
    发明公开
    电介质膜及电子部件 审中-实审

    公开(公告)号：CN111747730A

    公开(公告)日：2020-10-09

    申请号：CN202010218573.7

    申请日：2020-03-25

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 大庭悠辅 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

    IPC: C04B35/01 ,  C04B35/057 ,  C04B35/622 ,  C23C14/08 ,  C23C14/34 ,  H01G4/12

    Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000、0.375≤x≤0.563、0.250≤y≤0.500、x/3≤z≤(x/3)+1/9的关系，电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(110)面的衍射峰的半峰全宽为0.40°以上。由此，能够提供即使是薄膜，绝缘破坏电压也较高的电介质膜。

    电介质膜及电子部件
    2.
    发明公开
    电介质膜及电子部件 有权

    公开(公告)号：CN111747729A

    公开(公告)日：2020-10-09

    申请号：CN202010217663.4

    申请日：2020-03-25

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  大庭悠辅

    IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

    Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。由此，能够提供相对介电常数在高频段中较高的电介质膜。

    电磁波传感器
    3.
    发明公开
    电磁波传感器 审中-实审

    公开(公告)号：CN114593829A

    公开(公告)日：2022-06-07

    申请号：CN202111453388.7

    申请日：2021-12-01

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 原晋治 ,  太田尚城 ,  青木进 ,  小村英嗣 ,  城川真生子

    IPC: G01J5/20

    Abstract: 本发明提供一种提高了热敏电阻元件对电磁波的检测精度的电磁波传感器。其包括：对某特定波长的电磁波(IR)具有透过性的基板(2)；设置于基板(2)的一个面侧的绝缘体层(8)；以与基板(2)的一个面之间具有空间(G)的方式配置的热敏电阻膜(5)；和设置于绝缘体层(8)的内部或表面，并且与热敏电阻膜(5)电连接的配线部(9)，在设置有绝缘体层(8)的层(T)中，与热敏电阻膜(5)相对的部分的电磁波(IR)的透过率相对高于设置了配线部(9)的部分的电磁波(IR)的透过率。

    电介质膜及电子部件
    4.
    发明授权
    电介质膜及电子部件 有权

    公开(公告)号：CN111747729B

    公开(公告)日：2022-08-05

    申请号：CN202010217663.4

    申请日：2020-03-25

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  大庭悠辅

    IPC: C04B35/01 ,  C04B35/622 ,  H01G4/12

    Abstract: 本发明提供一种电介质膜，作为其主成分，含有以通式xAO－yBO－zC2O5表示的复合氧化物，A为选自由钡、钙和锶构成的组中的至少一者，B为选自由镁和锌构成的组中的至少一者，C为选自由铌和钽构成的组中的至少一者，x、y和z满足以下关系：x+y+z＝1.000，0.375≤x≤0.563，0.250≤y≤0.500，x/3≤z≤(x/3)+1/9，在电介质膜的X射线衍射图中，复合氧化物的(211)面的衍射峰强度或复合氧化物的(222)面的衍射峰强度比复合氧化物的(110)面的衍射峰强度大。由此，能够提供相对介电常数在高频段中较高的电介质膜。

    电介质组合物以及电子元件
    5.
    发明授权
    电介质组合物以及电子元件 有权

    公开(公告)号：CN106960726B

    公开(公告)日：2018-11-02

    申请号：CN201610855620.2

    申请日：2016-09-27

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 藤井祥平 ,  政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  城川真生子

    IPC: H01G4/12 ,  H01B3/12

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种即使是在以高频(2GHz)进行使用的情况下相对介电常数也高且介电损耗小即Q值高而且绝缘破坏电压高的电介质组合物以及使用了该电介质组合物的电子元件。本发明所涉及的电介质组合物的特征在于：作为主成分含有由化学式AαBβC2γOα+β+5γ(A为Ba元素，B为选自Ca或者Sr中的至少一种元素，C为选自Ta或者Nb当中至少一种元素)表示的复合氧化物，α、β、γ的关系满足α+β+γ＝1.000；0.000＜α≤0.375；0.625≤β＜1.000；0.000≤γ≤0.375。

    电介质膜和电子部件
    7.
    发明授权
    电介质膜和电子部件 有权

    公开(公告)号：CN107221430B

    公开(公告)日：2019-12-06

    申请号：CN201710169473.8

    申请日：2017-03-21

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 内山弘基 ,  政冈雷太郎 ,  藤井祥平 ,  城川真生子

    IPC: H01G4/12 ,  C04B35/495 ,  H01B3/12

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种具有高的相对介电常数、Q值以及绝缘击穿电压的电介质膜以及使用该电介质组合物的电子部件。所述电介质膜其特征在于，所述电介质膜以具有NaCl型晶体结构的碱土金属氧化物为主成分，所述电介质膜在法线方向具有(111)取向的柱状结构，在所述电介质膜的Cu‑KαX射线衍射图中，(111)的衍射峰的半峰宽为0.3°～2.0°。

    电介质薄膜和电子部件
    8.
    发明授权
    电介质薄膜和电子部件 有权

    公开(公告)号：CN107221429B

    公开(公告)日：2018-11-09

    申请号：CN201710169275.1

    申请日：2017-03-21

    Applicant: TDK株式会社

    Inventor： 城川真生子 ,  政冈雷太郎 ,  内山弘基 ,  藤井祥平

    IPC: H01G4/10 ,  H01G4/33

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种维持低介电损耗、即高的Q值而对应于急剧的温度变化具有高的耐热冲击性的以MgO为主成分的电介质薄膜以及具备该电介质薄膜的电子部件。所述电介质薄膜其特征在于，所述电介质薄膜以MgO为主成分，所述电介质薄膜由含有分别至少1个以上的由单晶构成的柱状结构A和由多晶构成的柱状结构B的柱状结构群构成，在将所述电介质薄膜的垂直方向的截面中所述柱状结构A所占的面积记为CA，并且将所述柱状结构B所占的面积记为CB的情况下，所述CA与CB的关系为0.4≤CB/CA≤1.1。

Patent Agency Ranking