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公开(公告)号：CN119967308A
公开(公告)日：2025-05-09
申请号：CN202411575646.2
申请日：2024-11-06
Applicant: TDK株式会社
IPC: H04N25/441 , H04N25/70
Abstract: 本发明涉及一种阵列传感器，从Z方向观察，其具有：多个第一配线(6X)，其分别在X方向上延伸，并在与X方向不同的Y方向上彼此相邻；多个第二配线(6Y)，其分别在Y方向上延伸，并在X方向上彼此相邻；多个热敏电阻元件(5)，其分别连接于多个第一配线(6X)中的一个和多个第二配线(6Y)中的一个的双方；读取电路(13)，其读取多个热敏电阻元件(5)的输出信号；以及多个第一端子(7X)，其与读取电路(13)电连接。多个第一端子(7X)构成至少一部分第一端子(7X)在Y方向上排列配置的至少一个第一端子列(8X‑1)。多个第一端子(7X)的数量比多个第一配线(6X)的数量多，多个第一端子(7X)的仅一部分与多个第一配线(6X)电连接。
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公开(公告)号：CN111886483B
公开(公告)日：2023-05-16
申请号：CN201880090884.0
申请日：2018-03-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J1/02
Abstract: 本发明提供一种电磁波传感器，其能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。电磁波传感器(1)具有：第一基板(2)；与第一基板(2)相对设置的透射红外线的第二基板(3)，在第二基板(3)与第一基板(2)之间形成内部空间(7)；设置在内部空间(7)中的、由第二基板(3)支承的多个辐射热计膜(8)；形成于第一基板(2)的局部热源(9)；将第一基板(2)与第二基板(3)连接的第一电连接部件(5)；和在第二基板(3)上或第二基板(3)内延伸的引线(10)，其将第一电连接部件(5)与辐射热计膜(8)连接。
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公开(公告)号：CN111886483A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201880090884.0
申请日：2018-03-07
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J1/02
Abstract: 本发明提供一种电磁波传感器，其能够抑制来自局部热源的热对辐射热计膜造成的影响。电磁波传感器(1)具有：第一基板(2)；与第一基板(2)相对设置的透射红外线的第二基板(3)，在第二基板(3)与第一基板(2)之间形成内部空间(7)；设置在内部空间(7)中的、由第二基板(3)支承的多个辐射热计膜(8)；形成于第一基板(2)的局部热源(9)；将第一基板(2)与第二基板(3)连接的第一电连接部件(5)；和在第二基板(3)上或第二基板(3)内延伸的引线(10)，其将第一电连接部件(5)与辐射热计膜(8)连接。
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公开(公告)号：CN101335325B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200810129328.8
申请日：2008-06-26
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/08 , B82Y25/00 , G01R33/093 , G11B5/3906 , G11B5/3967 , H01L43/10
Abstract: 本发明涉及一种具备间隔层和包夹上述间隔层而层叠形成的磁化固定层和自由层、在该层叠方向上施加了检测电流而成的CPP(CurrentPerpendicular to Plane)结构的巨磁阻效应元件(CPP-GMR元件)，自由层以磁化方向相应于外部磁场而变化的方式发挥作用，间隔层具有：由非磁性金属材料形成的第一非磁性金属层和第二非磁性金属层、以及介于该第一非磁性金属层和第二非磁性金属层之间的半导体氧化物层，构成间隔层的半导体氧化物层由从氧化锌、氧化锡、氧化铟和氧化铟锡(ITO：Indium Tin Oxide)的组中选择的至少一种构成，第一非磁性金属层由Cu构成，第二非磁性金属层实质上由Zn构成，因此，可以进一步提高MR变化率和耐热性。
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公开(公告)号：CN101478028A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200810185252.0
申请日：2008-12-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: H01L43/10 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/3909 , G11B5/3929 , G11B2005/3996
Abstract: 本发明提供磁阻效应元件，薄膜磁头，滑触头，晶片，磁头万向节组件和硬盘驱动器。磁阻效应元件包含：一对磁性层，在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角；以及结晶隔体层，所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间；其中感应电流可以在垂直于所述一对磁性层和所述隔体层的膜平面的方向上流动；其中所述隔体层包含结晶氧化物；并且磁化方向根据外磁场变化的磁性层的一个或两个具有层结构，其中CoFeB层夹在CoFe层和NiFe层之间，并且位于所述隔体层和所述NiFe层之间。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118533299A
公开(公告)日：2024-08-23
申请号：CN202410187308.5
申请日：2024-02-20
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的电磁波探测元件(11)具有：电磁波探测部(12)、与电磁波探测部(12)电连接的导电层(15)、以及导电性支柱(17)。导电性支柱(17)具备与导电层(15)电连接的端面(31)，端面(31)具有：与导电层(15)相接的内侧区域(33)、和位于内侧区域(33)的外侧的外侧区域(34)。电磁波探测元件(11)具有：位于外侧区域(34)的至少一部分和导电层(15)之间的电介质层。
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公开(公告)号：CN117473942A
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN202310934854.6
申请日：2023-07-27
Applicant: TDK株式会社
IPC: G06F30/394 , H03K19/003 , H03K17/06
Abstract: 本发明的元件阵列电路具备1根以上的第一布线、多根第二布线、多个阻抗元件、1个以上的运算放大器、1个以上的转换元件和1个以上的切换部。多根第二布线各自在分别与1根以上的第一布线不同的方向上延伸。多个阻抗元件各自连接于1根以上的第一布线中的1根和多根第二布线中的1根的双方。1个以上的运算放大器各自具有正输入端子、可以连接于多根第二布线中的1根的负输入端子和输出端子。1个以上的转换元件各自与负输入端子和输出端子连接，并且各自将流经连接于负输入端子的多根第二布线中的1根的电流转换成电压。1个以上的切换部各自在负输入端子和输出端子之间与1个以上的转换元件中的1个并联，可以处于导通状态与非导通状态。
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公开(公告)号：CN102456355B
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201110310014.X
申请日：2011-10-13
Applicant: TDK株式会社
IPC: G11B5/127
CPC classification number: G11B5/314 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , G11B5/1278 , G11B5/3967 , G11B5/6088 , G11B2005/001 , G11B2005/0021 , G11B2005/3996 , Y10T29/49021 , Y10T29/49032 , Y10T29/5313 , Y10T29/53191
Abstract: 本发明提供了一种热辅助磁性记录头的制造方法，热辅助磁性记录头包括具有光源的光源单元和具有光学系统的滑块。所述制造方法包括以下步骤：通过抽吸，将单元单元与后保持模具粘合；移动后保持模具，然后在滑块后表面内的方向上，将光源的光发射中心与光学系统的光接收端面对准；使光源单元与滑块后表面相接触，其中，后保持模具的抽吸表面相对于滑块后表面的法线而倾斜；利用加负荷装置向单元基板的负荷施加表面施加负荷，以使光源单元的联接表面与滑块后表面一致；以及将光源单元和滑块接合。该方法可以提高一致性，从而实现充分强的联接以及充分高的位置精度。
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公开(公告)号：CN101667427B
公开(公告)日：2012-02-29
申请号：CN200910139071.9
申请日：2009-05-15
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/093 , B82Y25/00 , G11B5/3912 , H01L43/08
Abstract: 本发明提供了具有一对由屏蔽层控制其磁化的磁性层的薄膜磁头。薄膜磁头包含由第一和第二MR磁性层组成的MR层压体、第一和第二屏蔽层以及偏磁场施加层，所述偏磁场施加层被设置在MR层压体的气垫表面(ABS)的相对侧上，以施加垂直于ABS的偏磁场。第一屏蔽层包含第一交换耦合磁场施加层和第一反铁磁性层，并且第二屏蔽层包含第二交换耦合磁场施加层和第二反铁磁性层。将第一反铁磁性层设置为在第一交换耦合磁场施加层的背面与第一交换耦合磁场施加层接触，并且所述第一反铁磁性层与第一交换耦合磁场施加层反磁性地耦合。第二屏蔽层具有与第一屏蔽层相同的构造。
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公开(公告)号：CN110873608A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910821807.4
申请日：2019-08-30
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01J5/24
Abstract: 本发明的电阻元件阵列电路具备多根字线、多根位线、多个电阻元件、选择部、差分放大器和接地端子。多根字线与电源连接。多个电阻元件分别配置在多根字线与多根位线的多个交叉点上。选择部选择任何一根字线，并且选择任何一根位线。差分放大器包括正输入端子、负输入端子和输出端子，正输入端子与多根位线中的被选择部选择的一根选择位线连接，负输入端子与多根位线中的没有被选择部选择的非选择位线和多根字线中的没有被选择部选择的非选择字线的双方连接，输出端子与负输入端子连接。接地端子与正输入端子连接。
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