公开(公告)号：CN108205119B

公开(公告)日：2020-06-16

申请号：CN201710961421.4

申请日：2017-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高桥宏和 ,  三浦聪

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供能够高精度地检测三轴方位的磁场的三轴磁传感器及其制造方法。三轴磁传感器(1)具备：具有第一面(21)及与其相对的第二面(22)的基板(2)、和设置于第一面(21)上的磁传感器元件组(3)。磁传感器元件组(3)包含X轴方向的磁力检测用的第一磁传感器元件(31)、Y轴方向的磁力检测用的第二磁传感器元件(32)和Z轴方向的磁力检测用的第三磁传感器元件(33)。第一～第三磁传感器元件(31～33)分别包含由至少含有磁化固定层(42)及自由层(44)的层叠体构成的第一～第三磁阻效应元件(4)，第一～第三磁阻效应元件(4)的各磁化固定层(42)的磁化方向M42被固定在相对于第一面(21)以规定的角度θM42倾斜的方向。

公开(公告)号：CN109786545A

公开(公告)日：2019-05-21

申请号：CN201811348219.5

申请日：2018-11-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 本间康平 ,  三浦聪

IPC: H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  G01R33/09 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明提供一种磁阻元件，其具有：磁化方向在外部磁场中改变的磁化自由层；磁化方向在外部磁场中固定的磁化固定层；以及设置在磁化自由层和磁化固定层之间且表现出磁阻效应的势垒层。势垒层为包含Mg和Al的合金的氧化物，且所述势垒层包括结晶区和非结晶区。

公开(公告)号：CN109786545B

公开(公告)日：2023-08-01

申请号：CN201811348219.5

申请日：2018-11-13

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 本间康平 ,  三浦聪

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/85 ,  H10N50/01 ,  G01R33/09 ,  G01R33/00

Abstract: 本发明提供一种磁阻元件，其具有：磁化方向在外部磁场中改变的磁化自由层；磁化方向在外部磁场中固定的磁化固定层；以及设置在磁化自由层和磁化固定层之间且表现出磁阻效应的势垒层。势垒层为包含Mg和Al的合金的氧化物，且所述势垒层包括结晶区和非结晶区。

公开(公告)号：CN114487947A

公开(公告)日：2022-05-13

申请号：CN202110960882.6

申请日：2021-08-20

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  山崎宽史 ,  三浦聪 ,  穴川贤吉 ,  驹崎洋亮

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供一种磁传感器，其具备：树脂层，其具有第1面和与该第1面相对的第2面；和检测规定方向的磁场的磁阻效应部，磁阻效应部至少包含检测第1方向的磁场的第1磁阻效应部，第1方向是与树脂层的第1面正交的方向，在树脂层的第1面形成相对于第1面以规定的角度倾斜的倾斜面，第1磁阻效应部设置于倾斜面。

公开(公告)号：CN108205119A

公开(公告)日：2018-06-26

申请号：CN201710961421.4

申请日：2017-10-16

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 太田尚城 ,  高桥宏和 ,  三浦聪

IPC: G01R33/09

Abstract: 本发明提供能够高精度地检测三轴方位的磁场的三轴磁传感器及其制造方法。三轴磁传感器(1)具备：具有第一面(21)及与其相对的第二面(22)的基板(2)、和设置于第一面(21)上的磁传感器元件组(3)。磁传感器元件组(3)包含X轴方向的磁力检测用的第一磁传感器元件(31)、Y轴方向的磁力检测用的第二磁传感器元件(32)和Z轴方向的磁力检测用的第三磁传感器元件(33)。第一～第三磁传感器元件(31～33)分别包含由至少含有磁化固定层(42)及自由层(44)的层叠体构成的第一～第三磁阻效应元件(4)，第一～第三磁阻效应元件(4)的各磁化固定层(42)的磁化方向M42被固定在相对于第一面(21)以规定的角度θM42倾斜的方向。

公开(公告)号：CN101478028A

公开(公告)日：2009-07-08

申请号：CN200810185252.0

申请日：2008-12-24

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 土屋芳弘 ,  原晋治 ,  水野友人 ,  三浦聪 ,  柳泽卓己

IPC: H01L43/08 ,  G11B5/31 ,  G11B5/39

CPC classification number: H01L43/10 ,  B82Y10/00 ,  B82Y25/00 ,  G11B5/3909 ,  G11B5/3929 ,  G11B2005/3996

Abstract: 本发明提供磁阻效应元件，薄膜磁头，滑触头，晶片，磁头万向节组件和硬盘驱动器。磁阻效应元件包含：一对磁性层，在所述磁性层的磁化方向之间形成根据外磁场变化的相对角；以及结晶隔体层，所述结晶隔体层夹在所述一对磁性层之间；其中感应电流可以在垂直于所述一对磁性层和所述隔体层的膜平面的方向上流动；其中所述隔体层包含结晶氧化物；并且磁化方向根据外磁场变化的磁性层的一个或两个具有层结构，其中CoFeB层夹在CoFe层和NiFe层之间，并且位于所述隔体层和所述NiFe层之间。