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公开(公告)号：CN111048468B
公开(公告)日：2023-09-05
申请号：CN201910962486.X
申请日：2019-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L25/065
Abstract: 一种电子元件的层叠件，包括：第一电子元件，其具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及位于第一表面和第二表面之间的侧面；第二电子元件，其具有第三表面，所述第一电子元件安装在所述第三表面上，所述第三表面面对所述第二表面，并且在所述第三表面和所述侧面之间形成角部；粘接层，用于将第一电子元件结合到第二电子元件，其中粘接层具有位于第二表面和第三表面之间的第一部分和填充角部的弯曲的第二部分；以及导电层，其在所述侧面的一侧上延伸，沿所述第二部分弯曲并延伸到所述第三表面。
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公开(公告)号：CN106019182A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610108432.3
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01R1/00 , G01R33/0052 , G01R33/093 , H01L21/00 , H01L2221/00
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器，具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件，能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器1具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41)，第一及第二磁阻效应元件分别至少包含磁化方向随着外部磁场而变化的磁化方向变化层(315,415)，第一磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(315)的宽度W1、和第二磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(415)的宽度W2具有下式(1)的关系，第一磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度比第二磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度高。W1＞W2…(1)。
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公开(公告)号：CN111048468A
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：CN201910962486.X
申请日：2019-10-11
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/768 , H01L25/065
Abstract: 一种电子元件的层叠件，包括：第一电子元件，其具有第一表面、与第一表面相对的第二表面以及位于第一表面和第二表面之间的侧面；第二电子元件，其具有第三表面，所述第一电子元件安装在所述第三表面上，所述第三表面面对所述第二表面，并且在所述第三表面和所述侧面之间形成角部；粘接层，用于将第一电子元件结合到第二电子元件，其中粘接层具有位于第二表面和第三表面之间的第一部分和填充角部的弯曲的第二部分；以及导电层，其在所述侧面的一侧上延伸，沿所述第二部分弯曲并延伸到所述第三表面。
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公开(公告)号：CN1881639A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610058368.9
申请日：2006-03-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/22 , H01L41/083
Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN106019183A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610108583.9
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/2455 , G01R33/093 , G01R33/098 , G01R33/091
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器，其具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件，能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器(1)具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41)，第一及第二磁阻效应元件是包含磁化方向根据外部磁场而变化的自由层(315,415)的多层的层叠体，从层叠方向上方分别观察第一及第二磁阻效应元件时的形状各不相同，第一磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第一磁阻效应元件的输出的斜率增大的形状，第二磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第二磁阻效应元件的输出的斜率比第一磁阻效应元件的输出的斜率小的形状。
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公开(公告)号：CN1312697C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN200410073719.4
申请日：2004-09-02
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G11B5/6005 , G11B5/4853 , G11B5/486 , G11B5/4873 , G11B5/5552
Abstract: 本发明提供弯体、悬架和磁头万向架装置，其中弯体(1)具有主体(2)，为磁头浮动块(20)通电的导线被布置在主体(2)上。磁头浮动块(20)安装在弯体(1)的前端。两个压电层单元(3)中的每个都包括分层压电元件(6a)、(6b)，其布置使得两个单元(3)将从磁头浮动块(20)延伸到臂状构件(11)基部的线(C)夹于其间。电压可以被单独地加到每一个压电元件(6a)、(6b)上。通过调整加到压电元件(6a)、(6b)中的每一个上的电压，压电层单元(3)的形状被改变，从而自由移动磁头浮动块(20)。
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公开(公告)号：CN106019183B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610108583.9
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/2455 , G01R33/093 , G01R33/098
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器，其具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件，能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器(1)具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41)，第一及第二磁阻效应元件是包含磁化方向根据外部磁场而变化的自由层(315,415)的多层的层叠体，从层叠方向上方分别观察第一及第二磁阻效应元件时的形状各不相同，第一磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第一磁阻效应元件的输出的斜率增大的形状，第二磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第二磁阻效应元件的输出的斜率比第一磁阻效应元件的输出的斜率小的形状。
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公开(公告)号：CN100495754C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610058368.9
申请日：2006-03-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/22 , H01L41/083
Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。
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