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公开(公告)号：CN106019183A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610108583.9
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/2455 , G01R33/093 , G01R33/098 , G01R33/091
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器，其具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件，能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器(1)具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41)，第一及第二磁阻效应元件是包含磁化方向根据外部磁场而变化的自由层(315,415)的多层的层叠体，从层叠方向上方分别观察第一及第二磁阻效应元件时的形状各不相同，第一磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第一磁阻效应元件的输出的斜率增大的形状，第二磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第二磁阻效应元件的输出的斜率比第一磁阻效应元件的输出的斜率小的形状。
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公开(公告)号：CN106443063A
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201610653505.7
申请日：2016-08-10
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01P13/04
Abstract: 即使在旋转体中的多个检测对象的间隔存在偏差的情况、特别是这样的旋转体高速旋转的情况下也能够正确地检测旋转方向的旋转检测装置，具备：第1～第N传感器元件，与在正转方向以及反转方向上能够旋转的旋转体相对且沿着该能够旋转方向按顺序被并排设置并且根据旋转体的旋转分别输出第1～第N(N≥3)传感器信号；旋转方向检测部，根据从各个传感器元件输出的各个传感器信号检测旋转体的旋转方向；旋转方向检测部根据从第1传感器信号以及第M(3≤M≤N)传感器信号获得的第1差动信号、以及从第1传感器信号以及第L(2≤L≤M-1)传感器信号获得的第2差动信号检测旋转体的旋转方向。
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公开(公告)号：CN107101653A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710061295.7
申请日：2017-01-25
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01D5/165 , G01D5/147 , G01D5/244 , G01D5/2451 , G01P3/44 , G01P3/481 , G01D5/24476
Abstract: 本发明的位移检测装置具备：第一传感器；第二传感器；物体，包含周期排列在第一方向上的第一区域和第二区域，并且在第一方向上相对于第一传感器和第二传感器位移；以及运算单元。第一传感器检测伴随物体的位移的第一磁场变化，并且将检测出的第一磁场变化作为第一信号输出；第二传感器检测伴随物体的位移的第二磁场变化，并且将检测出的第二磁场变化作为第二信号输出，第二信号与第一信号相位不同；运算单元根据第一信号和第二信号，在将物体发生相当于连续的第一区域与第二区域的合计的物体的位移量的位移所需的时间作为1周期时，在每个该1周期中多次算出物体在第一方向上的位移量。
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公开(公告)号：CN106482756A
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201610797388.1
申请日：2016-08-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01D5/16 , G01D5/147 , G01R33/091
Abstract: 本发明涉及磁场检测装置和旋转检测装置。磁场检测装置具有第一磁传感器和与第一磁传感器相对设置的偏置磁铁。偏置磁铁具有与第一磁传感器相对并对第一磁传感器施加偏磁场的磁极面。第一磁传感器检测与磁极面平行的第一方向上的磁场。偏置磁铁的磁极面具有排列于第一方向的多个槽。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106019182A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610108432.3
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01R1/00 , G01R33/0052 , G01R33/093 , H01L21/00 , H01L2221/00
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器，具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件，能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器1具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41)，第一及第二磁阻效应元件分别至少包含磁化方向随着外部磁场而变化的磁化方向变化层(315,415)，第一磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(315)的宽度W1、和第二磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(415)的宽度W2具有下式(1)的关系，第一磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度比第二磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度高。W1＞W2…(1)。
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公开(公告)号：CN106482756B
公开(公告)日：2019-06-25
申请号：CN201610797388.1
申请日：2016-08-31
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及磁场检测装置和旋转检测装置。磁场检测装置具有第一磁传感器和与第一磁传感器相对设置的偏置磁铁。偏置磁铁具有与第一磁传感器相对并对第一磁传感器施加偏磁场的磁极面。第一磁传感器检测与磁极面平行的第一方向上的磁场。偏置磁铁的磁极面具有排列于第一方向的多个槽。
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公开(公告)号：CN106469782B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201610698390.3
申请日：2016-08-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种即使应力由于工作时的发热等而相对于磁传感器芯片被施加的时候也能够防止检测误差增大的磁传感器装置(1)，其具备：俯视图为方形状的磁传感器芯片(2)、具有搭载磁传感器芯片(2)的搭载面(41)的裸片垫(die pad)(4)；在裸片垫(4)上，在与搭载于搭载面(41)的磁传感器芯片(2)的4个角部(21)分别重叠的位置上形成有开口部(43)，相对于裸片垫(4)面积的开口部(43)面积之比为20％以上，在裸片垫(4)的俯视图中磁传感器芯片(2)与开口部(43)的重叠部分的面积相对于开口部(43)面积为40％以上。
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公开(公告)号：CN106469782A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201610698390.3
申请日：2016-08-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/091 , G01R33/093 , G01R33/098 , H01L2224/32245 , H01L2224/48247 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L43/08 , G01R33/02
Abstract: 本发明提供一种即使应力由于工作时的发热等而相对于磁传感器芯片被施加的时候也能够防止检测误差增大的磁传感器装置(1)，其具备：俯视图为方形状的磁传感器芯片(2)、具有搭载磁传感器芯片(2)的搭载面(41)的裸片垫(die pad)(4)；在裸片垫(4)上，在与搭载于搭载面叠的位置上形成有开口部(43)，相对于裸片垫(4)面积的开口部(43)面积之比为20％以上，在裸片垫(4)的俯视图中磁传感器芯片(2)与开口部(43)的重叠部分的面积相对于开口部(43)面积为40％以上。(41)的磁传感器芯片(2)的4个角部(21)分别重
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