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公开(公告)号：CN108663638A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：CN201810223955.1
申请日：2018-03-19
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01R33/091 , G01R33/098 , H01L43/08
Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、沿着该第一面扩展的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在沿着第一面的第一方向上与第一轭重叠的位置。第一端面以在与第一面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一面倾斜的倒锥形面。磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小。
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公开(公告)号：CN114325512B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210048813.2
申请日：2018-03-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、与第一主面平行且不同于第一主面的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在与第一主面平行的第一方向上与第一轭重叠的位置，第一端面以在与第一主面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一主面倾斜的倒锥形面，磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小，磁化自由层具有沿着与第一方向和第二方向正交的第三方向的易磁化轴。
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公开(公告)号：CN109507618B
公开(公告)日：2021-06-04
申请号：CN201811074434.0
申请日：2018-09-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种电流传感器，其包含磁传感器装置。磁传感器装置包含磁传感器、第一磁性层、以及不与第一磁性层接触的第二磁性层。磁传感器、第一磁性层以及第二磁性层以与假想的直线交叉且在与假想的直线平行的方向上依次排列的方式配置。在磁传感器、第一磁性层和第二磁性层中，通过检测对象电流产生的磁通中的相互不同的一部分通过。
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公开(公告)号：CN106019182A
公开(公告)日：2016-10-12
申请号：CN201610108432.3
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01R1/00 , G01R33/0052 , G01R33/093 , H01L21/00 , H01L2221/00
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器，具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件，能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器1具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41)，第一及第二磁阻效应元件分别至少包含磁化方向随着外部磁场而变化的磁化方向变化层(315,415)，第一磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(315)的宽度W1、和第二磁阻效应元件的磁化方向变化层的初始磁化方向上的磁化方向变化层(415)的宽度W2具有下式(1)的关系，第一磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度比第二磁阻效应元件相对于外部磁场的灵敏度高。W1＞W2…(1)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106019183B
公开(公告)日：2019-08-09
申请号：CN201610108583.9
申请日：2016-02-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01R33/09
CPC classification number: G01R33/09 , G01D5/2455 , G01R33/093 , G01R33/098
Abstract: 本发明提供一种磁传感器及磁性编码器，其具有被要求各不相同的响应特性的两种磁阻效应元件，能够一同提高各磁阻效应元件所要求的不同的响应特性。磁传感器(1)具备可检测外部磁场的第一及第二磁阻效应元件(31,41)，第一及第二磁阻效应元件是包含磁化方向根据外部磁场而变化的自由层(315,415)的多层的层叠体，从层叠方向上方分别观察第一及第二磁阻效应元件时的形状各不相同，第一磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第一磁阻效应元件的输出的斜率增大的形状，第二磁阻效应元件具有可使相对于外部磁场的变化的第二磁阻效应元件的输出的斜率比第一磁阻效应元件的输出的斜率小的形状。
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公开(公告)号：CN114325512A
公开(公告)日：2022-04-12
申请号：CN202210048813.2
申请日：2018-03-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、与第一主面平行且不同于第一主面的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在与第一主面平行的第一方向上与第一轭重叠的位置，第一端面以在与第一主面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一主面倾斜的倒锥形面，磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小，磁化自由层具有沿着与第一方向和第二方向正交的第三方向的易磁化轴。
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公开(公告)号：CN108663638B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201810223955.1
申请日：2018-03-19
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、沿着该第一面扩展的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在沿着第一面的第一方向上与第一轭重叠的位置。第一端面以在与第一面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一面倾斜的倒锥形面。磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小。
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公开(公告)号：CN109507618A
公开(公告)日：2019-03-22
申请号：CN201811074434.0
申请日：2018-09-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种电流传感器，其包含磁传感器装置。磁传感器装置包含磁传感器、第一磁性层、以及不与第一磁性层接触的第二磁性层。磁传感器、第一磁性层以及第二磁性层以与假想的直线交叉且在与假想的直线平行的方向上依次排列的方式配置。在磁传感器、第一磁性层和第二磁性层中，通过检测对象电流产生的磁通中的相互不同的一部分通过。
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公开(公告)号：CN108695432A
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201810223951.3
申请日：2018-03-19
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L43/08
CPC classification number: G01R33/093 , G01R33/072 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L43/08
Abstract: 本发明的磁阻效应元件具备：磁化自由层，沿着第一面延伸；介入层，沿着第一面延伸，并且层叠在磁化自由层上；以及磁化固定层，沿着第一面延伸，并且隔着介入层设置在磁化自由层的相反侧。磁化自由层包括对第一面的最大倾斜角度小于等于42°的端面。
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