公开(公告)号：CN108663638A

公开(公告)日：2018-10-16

申请号：CN201810223955.1

申请日：2018-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中良明 ,  平木哲也 ,  渡部司也 ,  渡边克

IPC: G01R33/10 ,  G01R33/09

CPC classification number: G01R33/091 ,  G01R33/098 ,  H01L43/08

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、沿着该第一面扩展的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在沿着第一面的第一方向上与第一轭重叠的位置。第一端面以在与第一面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一面倾斜的倒锥形面。磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小。

公开(公告)号：CN114325512B

公开(公告)日：2024-05-28

申请号：CN202210048813.2

申请日：2018-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中良明 ,  平木哲也 ,  渡部司也 ,  渡边克

IPC: G01R33/10 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、与第一主面平行且不同于第一主面的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在与第一主面平行的第一方向上与第一轭重叠的位置，第一端面以在与第一主面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一主面倾斜的倒锥形面，磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小，磁化自由层具有沿着与第一方向和第二方向正交的第三方向的易磁化轴。

公开(公告)号：CN115840171A

公开(公告)日：2023-03-24

申请号：CN202211150239.8

申请日：2022-09-21

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  渡部司也

IPC: G01R33/09

Abstract: 磁传感器具备配置于第一～第四区域的多个MR元件。第一～第四区域各自具有位于第一基准方向上的两端的第一端缘及第二端缘、和位于第二基准方向上的两端的第三端缘及第四端缘。第一及第二端缘各自沿着第二基准方向延伸。第三及第四端缘各自沿着第三基准方向延伸。多个MR元件各自具有在与第一基准方向、第二基准方向及第三基准方向均不同的方向上较长的形状。

公开(公告)号：CN114325512A

公开(公告)日：2022-04-12

申请号：CN202210048813.2

申请日：2018-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中良明 ,  平木哲也 ,  渡部司也 ,  渡边克

IPC: G01R33/10 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、与第一主面平行且不同于第一主面的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在与第一主面平行的第一方向上与第一轭重叠的位置，第一端面以在与第一主面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一主面倾斜的倒锥形面，磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小，磁化自由层具有沿着与第一方向和第二方向正交的第三方向的易磁化轴。

公开(公告)号：CN108663638B

公开(公告)日：2022-02-08

申请号：CN201810223955.1

申请日：2018-03-19

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 田中良明 ,  平木哲也 ,  渡部司也 ,  渡边克

IPC: G01R33/10 ,  G01R33/09

Abstract: 本发明的磁场检测装置具备：基体；第一轭，设置在基体上，包括沿着第一面扩展的第一主面、沿着该第一面扩展的第二主面和连接第一主面与第二主面的第一端面；以及磁阻效应元件，设置在基体上，包括磁化自由层，该磁化自由层配置于在沿着第一面的第一方向上与第一轭重叠的位置。第一端面以在与第一面正交的第二方向上越远离基体越接近磁化自由层的中心点的方式延伸，并且包括对第一面倾斜的倒锥形面。磁化自由层的中心点、与第一主面和第一端面交叉的第一边线的距离，比磁化自由层的中心点、与第二主面和第一端面交叉的第二边线的距离小。

公开(公告)号：CN115734702A

公开(公告)日：2023-03-03

申请号：CN202211041792.8

申请日：2022-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  牧野健三 ,  太田尚城

IPC: H10N50/10 ,  H10N59/00 ,  G01B7/00

Abstract: 磁传感器包含第1路径和第2路径、多个构造物及多个第1电极和多个第2电极。第1路径包含至少1个第1阵列。第2路径包含至少1个第2阵列。至少1个第1阵列和至少1个第2阵列以在第1方向上排列的方式配置。至少1个第1阵列和至少1个第2阵列各自包含以在第2方向上排列的方式配置的奇数个构造物。

公开(公告)号：CN108574039B

公开(公告)日：2022-02-11

申请号：CN201711463839.9

申请日：2017-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  太田尚城 ,  平林启 ,  田中良明

IPC: H01L41/12 ,  H01L41/06

Abstract: 本发明提供了一种磁传感器，其可以在不缩小布线间距的情况下提高磁阻效应元件的密度。多个元件阵列层(10)彼此层叠，元件阵列层中的每个包括在平面内方向上并列配置的多个磁阻效应元件(1)，并且多个元件阵列层(10)中的磁阻效应元件(1)彼此串联连接。

公开(公告)号：CN108574039A

公开(公告)日：2018-09-25

申请号：CN201711463839.9

申请日：2017-12-28

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 平木哲也 ,  太田尚城 ,  平林启 ,  田中良明

IPC: H01L41/12 ,  H01L41/06

Abstract: 本发明提供了一种磁传感器，其可以在不缩小布线间距的情况下提高磁阻效应元件的密度。多个元件阵列层(10)彼此层叠，元件阵列层中的每个包括在平面内方向上并列配置的多个磁阻效应元件(1)，并且多个元件阵列层(10)中的磁阻效应元件(1)彼此串联连接。