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公开(公告)号：CN100495754C
公开(公告)日：2009-06-03
申请号：CN200610058368.9
申请日：2006-03-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/22 , H01L41/083
Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。
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公开(公告)号：CN105318866A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510274848.8
申请日：2015-05-26
Applicant: TDK株式会社
IPC: G01C19/56
CPC classification number: H01L41/047 , G01C19/56 , G01C19/5607
Abstract: 本发明所涉及角速度传感器，其中，在压电元件中，压电体膜、设置在压电体膜的一个面的第1电极膜以及设置在压电体膜的另一个面的第2电极膜成为层叠结构，第1电极膜的外轮廓和第2电极膜的外轮廓位于从层叠方向看比压电体膜的外轮廓更靠外侧的位置，有机树脂膜接触于压电体膜，抑制了噪声的产生。
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公开(公告)号：CN101853916A
公开(公告)日：2010-10-06
申请号：CN201010155013.8
申请日：2010-03-31
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G01C19/5607 , H01L41/0815 , H01L41/1876 , H01L41/316
Abstract: 本发明的技术问题是提供具有在无应力状态下能够对压电体膜进行成膜的压电体元件和陀螺仪传感器。压电体膜包含a轴取向晶体和c轴取向晶体，a轴取向晶体的晶格常数和c轴取向晶体的晶格常数之差为0.06以内。本发明人新发现了：在满足a轴取向晶体的晶格常数和c轴取向晶体的晶格常数之差为0.06以内的条件的时候，能够将压电特性维持在良好的特性值，并且能够减少积蓄在压电体膜内部的应力。可以认为：在满足上述条件的情况下，由于对c轴取向晶体和a轴取向晶体作适度平衡，因而压电体膜的晶体颗粒在理想的状态下被最密地填充于基底上，这有助于应力的降低。
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公开(公告)号：CN101826473B
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：CN201010128069.4
申请日：2010-03-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。
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公开(公告)号：CN1818743A
公开(公告)日：2006-08-16
申请号：CN200610019815.X
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100399111C
公开(公告)日：2008-07-02
申请号：CN200610019815.X
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
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公开(公告)号：CN1434327A
公开(公告)日：2003-08-06
申请号：CN03101284.1
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/09 , G02F1/0036
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的极化面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
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公开(公告)号：CN101826473A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010128069.4
申请日：2010-03-05
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L21/60 , H01L23/485
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2924/10253 , H01L2924/1461 , H01L2924/15311 , H01L2924/16251 , H01L2924/00
Abstract: 本发明的课题在于提供一种贯通电极的形成方法，其中，可不必在维持高温气氛的状态对熔融金属进行处理，简化工序和装置，另外与采用导电膏的场合相比较，可高密度地将金属填充于贯通孔内。形成在Si基板(10)的外面具有开口的第1非贯通孔(21)；在第1非贯通孔(21)的底部具有小于第1非贯通孔(21)的开口的第2非贯通孔(22)，在第1非贯通孔(21)的底部放置固体金属(50)。将Si基板(10)放置于减压气氛下，将其加热到固体金属(50)的软化点附近。维持加热状态，从减压气氛转移到加压气氛，将已软化或熔融的金属(50)填充于第2非贯通孔(22)中。
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公开(公告)号：CN1308739C
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN03101284.1
申请日：2003-01-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/09 , G02F1/0036
Abstract: 本发明涉及如同光衰减器和光开关或极化波控制器等使法拉第旋转角变化，控制光的偏振面的光部件，其目的在于提供可采用小型的耗电低的磁路，而且可把法拉第转子的插入损失抑制至较低程度的光部件。按照具有由石榴石单晶形成的法拉第转子、把小于法拉第转子的饱和磁场Hs的外部磁场H施加到法拉第转子的磁路的原则构成。
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公开(公告)号：CN1881639A
公开(公告)日：2006-12-20
申请号：CN200610058368.9
申请日：2006-03-03
Applicant: TDK株式会社
IPC: H01L41/22 , H01L41/083
Abstract: 本发明提供一种能提高性能的电子设备及其制造方法。在电子设备(压电设备)(74)的制造方法中，在层积体(60)的电极膜(46A)上形成的压电体膜(52A)的外缘(R1)与电极膜(46A)的外缘(R2)相比为内侧。因此在从层积基板(61)去除单晶硅基板(14)时，在蚀刻液浸入聚酰亚胺(72)与层积体(60)之间的情况下，该蚀刻液到达压电体膜(52A)前会绕电极膜(46A)迂回。即，蚀刻液到达压电体膜(52A)的路径(A)因电极膜(46A)而有意延长。所以，在压电设备(74)的制造方法中，蚀刻液难以到达压电体膜(52A)。由此能够有意抑制压电体膜(52A)溶解，提高制作的压电设备(74)的性能。
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