公开(公告)号：CN109564363A

公开(公告)日：2019-04-02

申请号：CN201780046699.7

申请日：2017-07-28

申请人： 英特尔公司

发明人： W·金 ,  J·赫克 ,  H·荣 ,  J·B·德里斯科尔 ,  K·N·阮

IPC分类号： G02F1/025 ,  G02F1/00 ,  G02B6/12

CPC分类号： G02F1/0955 ,  G02B6/12002 ,  G02B6/12004 ,  G02B6/125 ,  G02B6/126 ,  G02B6/30 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/092

摘要： 此处公开了与光学iso调制器相关联的装置、方法以及存储介质。在实施例中，一种装置可以包括形成在诸如隔离层和处理层的一个或多个层上的光波导。调制器驱动器可以耦合到一个或多个层的第一侧。磁光(MO)管芯可以耦合到一个或多个层的与第一侧相对的第二侧。可以公开和/或要求保护其它实施例。

公开(公告)号：CN108803089A

公开(公告)日：2018-11-13

申请号：CN201810586273.7

申请日：2018-06-08

申请人： 苏州大学

发明人： 何乐 ,  李海 ,  李超然

IPC分类号： G02F1/00 ,  G02F1/09

CPC分类号： G02F1/0036 ,  G02F1/09

摘要： 本发明提供了一种智能光学材料，包括磁性物质和溶剂，所述磁性物质为包覆了二氧化硅层的磁性纳米颗粒，所述磁性纳米颗粒为非球形的磁性纳米颗粒。本发明提供的智能光学材料的明亮变化由其外部磁场控制，不同的磁场角度显示不同的透光率。本发明提供的具有核壳纳米结构的磁性颗粒胶体溶液具有磁场可控的光学特性，受静电势的最小化所驱动，这些磁性纳米颗粒组装成晶体胶体阵列，表现出各向异性的光学性质，双折射的性质取决于磁性纳米颗粒的取向。通过外加磁场控制双折射颗粒产生周期性变化，从而改变制作的智能玻璃的透光率，并且透光率连续可调，变化范围广，将打开智能光学材料在智能窗户领域的新应用。

公开(公告)号：CN104950481B

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201510131954.0

申请日：2015-03-24

申请人： 阿迪达斯股份公司

发明人： 米歇尔·雷金纳德·皮埃尔·约瑟夫·卢西尔

IPC分类号： G02F1/09 ,  G02F1/23 ,  G02B1/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： G02F1/092 ,  A41D27/08 ,  A41D31/00 ,  A41D31/02 ,  A43B1/0027 ,  A43B1/0054 ,  A43D3/02 ,  B01J13/0047 ,  B29B13/08 ,  B29C71/04 ,  B29K2995/002 ,  B29L2031/48 ,  B82Y20/00 ,  C01G49/02 ,  C01P2006/60 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/0072 ,  G02F2202/32 ,  H01F7/06 ,  H01F7/20 ,  Y10S977/834 ,  Y10S977/932

摘要： 描述了一种操纵穿戴物所显示颜色的系统和方法，所述穿戴物包括配置于链内的氧化铁胶体纳米晶体。步骤可以包括，由原材料形成穿戴物，其中原材料包括纳米晶体链；将磁场施加于原材料；将能量施加于至少一部分纳米晶体链以软化紧邻被施加能量的纳米晶体链周围的原材料内的材料，调整磁场强度以控制由原材料所显示的颜色；移除能量以允许紧邻纳米晶体链周围的原材料内的材料硬化并固定链内纳米晶体的位置；以及移除磁场。

公开(公告)号：CN103282556B

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201180061324.0

申请日：2011-12-23

申请人： 并木精密宝石株式会社

发明人： 白木健一 ,  福原贵志 ,  成田宪士

IPC分类号： C30B29/28 ,  C30B19/02 ,  G02B27/28 ,  G02F1/09

CPC分类号： G02B1/02 ,  C30B9/12 ,  C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  C30B29/34 ,  G02F1/0036

摘要： 本发明提供一种使用铂制坩埚制成且不含有铅，也不会发生质量恶化且批量生产率高，并且IL(插入损耗)在0.10dB以下的石榴石单晶；在具有以R3-xBixFe5-wAwO12(R是选自由Tb、Y、Eu、Gd、Ho、Yb、Lu、Nd、Tm、La、Sm、Dy、Er、Ce、Pr组成的组中的一种或两种以上的稀土类元素且一定包含Tb，A是选自由Ga、Al、In、Sc、Co、Ni、Cr、V、Ti、Si、Ge、Mg、Zn、Nb、Ta、Sn、Zr、Hf、Pt、Rh、Te、Os、Ce、Lu组成的组中的一种或两种以上的元素，x为0.7＜x≤1.5、w为0＜w≤1.5)表示的组成的Bi置换稀土类铁石榴石单晶中，不含有Pb而含有Pt，进而含有Mn或第二族元素中的至少一种元素，在将Mn或第二族元素中的至少一种元素表示为M、将Bi置换稀土类铁石榴石单晶中的M浓度(atppm)表示为[M]、Pt浓度(atppm)表示为[Pt]、且将[M]与[Pt]的关系式Δ表示为Δ＝[M]-(α×[Pt])时，将系数α设定为0.91±0.05的数值范围内的任意值，且将Δ值设定为-7.23atppm以上1.64atppm以下。

公开(公告)号：CN103502179B

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201280021224.X

申请日：2012-03-15

申请人： 信越化学工业株式会社

发明人： 岛田忠克

IPC分类号： G02B27/28 ,  C04B35/50 ,  C01F17/00 ,  G02F1/09

CPC分类号： G02B1/00 ,  C01F17/0043 ,  C01P2002/50 ,  C01P2006/60 ,  C04B35/50 ,  C04B35/505 ,  C04B35/6455 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3232 ,  C04B2235/3244 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/85 ,  C04B2235/9653 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/093

摘要： 本发明涉及一种陶瓷磁光材料，其特征在于，其包含以下述式(1)所示的氧化物为主成分的氧化物陶瓷，且25℃下的所述氧化物陶瓷晶体的晶界的折射率与主相的折射率之差为0.004以下，(TbxRe1-x)2O3(1)(式中，Re表示选自钪、钇、镧、铕、钆、镱、钬、镥中的至少一种元素，0.4≤x≤1.0)。根据本发明，能够可靠提供偏振光状态良好且消光比大的用于光隔离器的法拉第旋光器等的陶瓷磁光材料，能够提供用于加工机械用光纤维激光器的光隔离器的小型化。

公开(公告)号：CN104965319A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510359310.7

申请日：2015-06-25

申请人： 南京邮电大学

发明人： 陈鹤鸣 ,  周雯 ,  季珂

IPC分类号： G02F1/09

CPC分类号： G02F1/09 ,  G02F1/0036

摘要： 本发明是一种平行磁控等离子体光子晶体太赫兹波调制器，其特征在于该光子晶体太赫兹波调制器包括二维三角晶格结构硅光子晶体(1)、波导区(2)、点缺陷谐振腔(3)；其中，二维三角晶格结构光子晶体(1)是沿X—Z平面周期性分布的介质柱型硅光子晶体；在二维三角晶格结构硅光子晶体(1)的两端引入对称的线缺陷构成波导区(2)，然后在二维三角晶格结构硅光子晶体(1)的中心处采用磁控可调谐材料锑化铟构造圆形介质柱，形成点缺陷谐振腔(3)，太赫兹波沿X夹角60度方向从波导区(2)的左端输入，波导区(2)的右端输出；外加磁场在X—Z平面内沿X夹角60度方向施加到圆形点缺陷谐振腔(3)上，其方向与太赫兹波传输方向平行。

公开(公告)号：CN100350300C

公开(公告)日：2007-11-21

申请号：CN03105491.9

申请日：2003-02-24

申请人： TDK株式会社

发明人： 大井户敦 ,  菅原保 ,  山泽和人 ,  笕真一朗 ,  嶋川和也 ,  细矢克宣

IPC分类号： G02F1/09 ,  C30B29/28

CPC分类号： C30B19/02 ,  C30B29/28 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/09 ,  H01F10/24 ,  H01F10/265 ,  H01F41/28

摘要： 提出即使采用LPE法也可得到光吸收特性的劣化度低的磁性石榴石材料的手法。用Au构成用于LPE法的坩埚(10)。使用Au制的坩埚(10)制成的单晶体中所进入的Au量比使用Pt制的坩埚10制成的单晶体中所进入的Pt量少。Au与Pt比，其使插入损失劣化的程度小。

公开(公告)号：CN101054726A

公开(公告)日：2007-10-17

申请号：CN200710084170.2

申请日：2007-02-17

申请人： TDK株式会社

发明人： 大井户敦

IPC分类号： C30B29/28 ,  H01F10/24

CPC分类号： H01F1/346 ,  C04B35/2675 ,  C04B35/653 ,  C04B2235/3206 ,  C04B2235/3224 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/3281 ,  C04B2235/3284 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/764 ,  C30B19/04 ,  C30B29/28 ,  G02F1/0036 ,  G02F1/09

摘要： 本发明涉及磁性石榴石单晶及使用其的光学元件，其目的在于提供削减了Pb的含有量的磁性石榴石单晶及使用其的光学元件。一种磁性石榴石单晶，其特征在于，用化学式BiαM13－αFe5－β－γM2βM3γO12(M1是选自Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的至少1种元素，M2是Si，M3是选自Zn、Ni、Cu、Mg中的至少1种元素，0.5＜α≤2.0、0＜β、0＜γ)表示。

公开(公告)号：CN1428629A

公开(公告)日：2003-07-09

申请号：CN02157156.2

申请日：2002-12-17

申请人： TDK株式会社

发明人： 菅原保 ,  大井户敦 ,  山泽和人

IPC分类号： G02F1/09 ,  G02B6/27 ,  H04B10/12

CPC分类号： G02F1/09 ,  G02F1/0036 ,  H01F1/10

摘要： 本发明的目的是提供法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料。化学组成为(Bi3－a－b－cGdaTbbYbc)Fe(5－w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。

公开(公告)号：CN106756787A

公开(公告)日：2017-05-31

申请号：CN201611041955.7

申请日：2016-11-24

申请人： 电子科技大学

发明人： 毕磊 ,  李萌 ,  张燕 ,  秦俊 ,  梁潇 ,  王闯堂 ,  邓龙江

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  G02F1/00

CPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  G02F1/0036

摘要： 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种可调控磁光光谱的磁光材料及其制备方法。本发明通过改变钴掺杂氧化铈和氧化铪成分比例、生长过程中的激光能量密度、薄膜沉积温度以及薄膜沉积气压，制备了一种基于钴掺杂氧化铈和/或氧化铪的可调控磁光光谱的薄膜，获得了高磁光优值的新型可调谐磁光光谱材料。室温铁磁性的可调磁光性质和光学性质材料可应用于设计最佳磁光优值的可调波长的光学器件。