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公开(公告)号：CN1273850C
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN03121663.3
申请日：2003-03-14
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/093 , G02B1/02 , G02B27/286
Abstract: 本发明提供一种便利性优良的光学器件的制造方法，特别是一种稳定地制造高性能光学器件的技术。在获得构成法拉第旋转器的、实质上能呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜之后，在此单晶膜装于光隔离器等光学器件的状态下对单晶膜进行磁化。通过在法拉第旋转器装入光器件之后进行磁化工序，能完全不需要区别单晶膜的内外面，并且能改善光学器件的特性。
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公开(公告)号：CN100350300C
公开(公告)日：2007-11-21
申请号：CN03105491.9
申请日：2003-02-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , G02F1/09 , H01F10/24 , H01F10/265 , H01F41/28
Abstract: 提出即使采用LPE法也可得到光吸收特性的劣化度低的磁性石榴石材料的手法。用Au构成用于LPE法的坩埚(10)。使用Au制的坩埚(10)制成的单晶体中所进入的Au量比使用Pt制的坩埚10制成的单晶体中所进入的Pt量少。Au与Pt比，其使插入损失劣化的程度小。
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公开(公告)号：CN1428629A
公开(公告)日：2003-07-09
申请号：CN02157156.2
申请日：2002-12-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/09 , G02F1/0036 , H01F1/10
Abstract: 本发明的目的是提供法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料。化学组成为(Bi3－a－b－cGdaTbbYbc)Fe(5－w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
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公开(公告)号：CN100549767C
公开(公告)日：2009-10-14
申请号：CN200610101571.X
申请日：2002-12-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明的目的是提供使用了法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料的法拉第旋转子。化学组成为(Bi3-a-b-cGdaTbbYbc)Fe(5-w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
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公开(公告)号：CN1271454C
公开(公告)日：2006-08-23
申请号：CN02157156.2
申请日：2002-12-17
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: G02F1/09 , G02F1/0036 , H01F1/10
Abstract: 本发明的目的是提供法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料。化学组成为(Bi3-a-b-cGdaTbbYbc)Fe(5-w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5，必需含有稀土类元素Gd、Tb和Yb)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101187063B
公开(公告)日：2011-06-15
申请号：CN200710154332.5
申请日：2003-02-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , G02F1/09 , H01F10/24 , H01F10/265 , H01F41/28
Abstract: 本发明涉及用于光通信系统的磁性石榴石材料、光器件、铋置换稀土类的铁榴石单晶体膜及其制造方法以及其所使用的坩埚。
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公开(公告)号：CN100437214C
公开(公告)日：2008-11-26
申请号：CN200610002540.9
申请日：2003-03-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种便利性优良的光学器件的制造方法，特别是一种稳定地制造高性能光学器件的技术。在获得构成法拉第旋转器的、实质上能呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜之后，在此单晶膜装于光隔离器等光学器件的状态下对单晶膜进行磁化。通过在法拉第旋转器装入光器件之后进行磁化工序，能完全不需要区别单晶膜的内外面，并且能改善光学器件的特性。
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公开(公告)号：CN101187063A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710154332.5
申请日：2003-02-24
Applicant: TDK株式会社
CPC classification number: C30B19/02 , C30B29/28 , G02F1/0036 , G02F1/09 , H01F10/24 , H01F10/265 , H01F41/28
Abstract: 本发明涉及用于光通信系统的磁性石榴石材料、光器件、铋置换稀土类的铁榴石单晶体膜及其制造方法以及其所使用的坩埚。
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公开(公告)号：CN1936652A
公开(公告)日：2007-03-28
申请号：CN200610101571.X
申请日：2002-12-17
Applicant: TDK株式会社
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明的目的是提供使用了法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失优良的硬磁性铋取代型稀土类铁柘榴石材料的法拉第旋转子。化学组成为(Bi3－a－b－cGdaTbbYbc)Fe(5－w)MwO12(其中，M＝Ga、Al、Ge、Sc、In、Si和Ti的一种或两种以上、0.5≤a+b+c≤2.5，0.2≤w≤2.5)的一种铋取代型稀土类铁柘榴石材料，具有硬磁性，同时可具有优良的法拉第旋转能、温度特性、波长特性、插入损失。
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公开(公告)号：CN1815302A
公开(公告)日：2006-08-09
申请号：CN200610002540.9
申请日：2003-03-14
Applicant: TDK株式会社
Abstract: 本发明提供一种便利性优良的光学器件的制造方法，特别是一种稳定地制造高性能光学器件的技术。在获得构成法拉第旋转器的、实质上能呈现矩形磁滞特性的铋置换型稀土铁柘榴石单晶膜之后，在此单晶膜装于光隔离器等光学器件的状态下对单晶膜进行磁化。通过在法拉第旋转器装入光器件之后进行磁化工序，能完全不需要区别单晶膜的内外面，并且能改善光学器件的特性。
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