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公开(公告)号：CN117192223A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311157092.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子领域，具体涉及一种磁光薄膜介电常数全张量表征方法。本发明基于转移矩阵法和椭圆偏振仪改装，依据转移矩阵法的表征原理，通过椭圆偏振仪测量得到正磁场和负磁场下磁光薄膜的差分Mueller矩阵，依据结构模型和色散模型拟合椭偏参数得到介电常数张量对角线元，通过转移矩阵法参数反演得到介电张量非对角线元。本发明首次结合转移矩阵法和4×4Mueller矩阵，通过椭圆偏振仪在施加磁场条件下的进行非接触性椭偏光谱测量，可以在不破坏晶圆或进行切样处理的条件下，实现了对晶圆级磁光薄膜无损、快速地介电常数全张量表征，填补了晶圆级磁光薄膜介电常数全张量无损表征的空缺，对磁光薄膜进一步工业应用具有较大意义。
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公开(公告)号：CN115494589A
公开(公告)日：2022-12-20
申请号：CN202211135557.7
申请日：2022-09-19
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子学领域，具体涉及一种氮化硅平台的SMF‑28光纤到芯片超低损端面耦合器。本发明基于端面耦合的模式耦合理论，通过采用具有不同折射率氮氧化硅和SiN两种材料的三层结构，再配合倒锥结构，通过将低折射率的氮氧化硅材料做成扁平层以大幅度扩大模场，使其电场分布与光纤电场分布更接近，提高了波导端面模式与SMF‑28光纤模式的重叠效率，从而有效提高了端面耦合效率，实现芯片与SMF‑28光纤的高效耦合。本发明对于硅基集成光学系统中的光通信、光互连、光传感和激光探测等模块具有重大意义。
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公开(公告)号：CN113671630B
公开(公告)日：2022-11-08
申请号：CN202110794542.0
申请日：2021-07-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种基于硅基集成的平面超透镜结构非互易光路由器。本发明通过对每一路输入波导进行相位设计，使其形成特定的相位差，在平面超透镜中所需方向上进行相长干涉并输出；同时磁光波导带来的非互易移相效应能够使得反向传输信号在不同于输入端口的其他端口进行传输，从而实现了在多端口间同时进行正反向非互易光传输的功能。并且通过透镜聚焦进行端口选择的方法使得端口拓展不再需要器件的级联。最终本发明大大拓展了传输状态，有效避免了因多端口器件级联导致的器件尺寸大等问题。
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公开(公告)号：CN115047654A
公开(公告)日：2022-09-13
申请号：CN202210757802.1
申请日：2022-06-29
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/01 , H01L27/146
Abstract: 本发明涉及偏振光学控制和纳米光学领域，具体涉及一种全固态可调控偏振成像器件。本发明通过制备VO2相变材料的光栅结构，配合光栅结构两侧的电极通过电调控的方式实现CCD强度成像和偏振成像间的切换，从而实现器件的全固态、小型化、集成化、高可靠性和高速电切换。并易于光电集成封装，解决了现有技术机械旋转方式带来的体积大、重量重、抗负载能力差、切换速度慢等问题。可应用于机载、星载和弹载等成像系统，具有着重要的应用前景和意义。
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公开(公告)号：CN110941109B
公开(公告)日：2021-03-30
申请号：CN201911410056.3
申请日：2019-12-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种硅基集成基于拓扑保护机理的光隔离器件。本发明通过调整线缺陷光子晶体模块和拓扑非平庸低群速度光子晶体模块的边界态，实现对低群速度边界态的激发和耦合调控。本发明采用具有低群速度的线缺陷光子晶体波导作为过渡耦合结构，以在降低耦合损耗的同时匹配群速度。本发明在光子晶体中传播的边界态具有较小的群速度，具有良好的局域性，从而大大降低器件尺寸，具有较小的损耗；可以较为便捷的获得TE偏振的隔离器；并且可以通过设计获得陡峭的弯折传输。本发明提供了光隔离器件的新机理；可以显著提高加工容差，具有良好的稳定性和可拓展性；可利用半导体工艺对该设计进行片上集成。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109440071B
公开(公告)日：2020-12-29
申请号：CN201811597481.3
申请日：2018-12-26
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于磁性氧化物薄膜的生长技术领域，具体涉及一种硅集成低光学损耗磁光薄膜及其制备方法。本发明通过在基片上沉积一层SiO2扩散阻挡层，以阻止随后生长的YIG和Ce:YIG薄膜与基片的Si相互扩散，同时不影响YIG,Ce：YIG材料的结晶性能和器件的模场分布；并且通过选择50‑60nm厚的YIG薄膜，以降低损耗。最终制备的硅集成YIG/Ce:YIG薄膜材料，YIG薄膜损耗为100‑150dB/cm，Ce:YIG薄膜的损耗为50‑80dB/cm。对于提高材料磁光优值，发展低损耗硅基光隔离器件提供了极大的帮助。
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公开(公告)号：CN111982823A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010777122.7
申请日：2020-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/19
Abstract: 本发明涉及磁光表面等离子共振纳米光学器件以及手性分子传感的交叉领域，具体为一种磁场偏置的手性分子传感器件。本发明采用高磁光效应和低损耗的磁性氧化物材料结合顶层贵金属等离子共振结构层的表面等离子共振或腔体谐振的设计，实现磁性氧化物层的磁圆二色性大于等于顶层贵金属等离子共振结构层的结构手性，从而可以通过外加磁场偏置简单、有效地消除结构手性，精确的获得手性分子的信号，且依然保持强的光学手性近场增强，解决结构加工误差问题；并且由于器件是亚波长结构，利于器件的小型化和集成化，可应用于生物制药领域的手性药物分子的检测。
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公开(公告)号：CN109136858B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201810858211.7
申请日：2018-07-31
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及用脉冲激光沉积法在亲水性刚性基底上高温生长氧化物薄膜如Y3Fe5O12、VO2、Fe3O4等，利用二维材料范德华异质结将其剥离并转移到任意基底上的方法。本发明通过在二维过渡金属上溅射一层具有亲水性的保护层，一方面防止氧化物薄膜沉积时二维过渡金属被氧化；另一方面在与极性溶液接触浸润后，二维过渡金属层的疏水性以及保护层的亲水性将导致二维过渡金属层与保护层极易分离，剥离后二维过渡金属层继续保留在衬底上，实现了将毫米级尺寸的氧化物薄膜的快速、完整地转移到柔性基底上，且因为选择的是无污染的极性溶液如去离子水，不存在刻蚀液损坏氧化物薄膜的情况。
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公开(公告)号：CN107678190B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201710933019.5
申请日：2017-10-10
Applicant: 电子科技大学
IPC: G02F1/09
Abstract: 本发明属于磁光器件技术领域，具体为一种全固态的电场可重构磁光器件。本发明采用全固态的结构，使其更易与半导体工艺兼容；利用电场非易失地操控了磁性薄膜的磁光效应，降低了器件的静态功耗；利用可调材料层离子迁移的均匀性，实现了数百微米级范围内的磁光效应的一致操控，解决了基于离子导电细丝机制器件难以等比例缩小的问题；采用分离开来的可调材料层与磁性介质层，实现了电场操控一大类磁性绝缘体或半导体的磁光效应。最终本发明在一种器件中同时实现了：全固态的结构；电场非易失地操控磁光效应；大面积操控磁性薄膜的磁光效应；普适化操控多种磁性绝缘体或半导体的磁光效应。
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公开(公告)号：CN109597222A
公开(公告)日：2019-04-09
申请号：CN201811391158.0
申请日：2018-11-21
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于集成光学领域，具体涉及一种平面硅波导器件中集成TE型光隔离器的制备方法。本发明采用两种方式沉积总厚度在500纳米以上的包层材料，第一层SiO2包层的厚度大于硅波导的高度并且低于450纳米，通过步骤2旋涂的方式，将步骤1制得基片的图案平面化，退火后不产生开裂现象和影响波导的透光性能；还采用CHF3和Ar混合的方式刻蚀SiO2包层，利用CHF3在刻蚀SiO2的过程中由于化学反应产生的有机物附着在硅波导表面，阻止了CHF3对硅波导的刻蚀，对部分暴露的硅波导表面起保护作用。本发明制备的隔离器，与微环结构相比，提高了器件的带宽，并解决了用晶元键合无法制备TE器件的难题。
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