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公开(公告)号：CN119200263A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411489858.9
申请日：2024-10-24
Applicant: 南京大学
Abstract: 本发明公开一种利用旋磁光子晶体实现拓扑边界态开关的方法。该方法包括以下步骤：(1)获取由圆柱形的旋磁柱排列构成的旋磁光子晶体，调节旋磁柱的半径和施加的外磁场，得到米氏共振的反转，实现拓扑相变，获得三种不同的拓扑相；(2)基于步骤(1)获得的三种不同的拓扑相，将其中两种具有不同拓扑特性的旋磁光子晶体拼接得到异质光子结构，异质界面处具有单向传输的手性边界态；(3)对于异质光子结构通过磁场调控方法调节多重米氏共振反转，实现拓扑边界态的开关控制。本发明在旋磁光子晶体中实现了可开关的拓扑边界态，为拓扑光子器件的设计与应用提供新的思路和指导意义。
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公开(公告)号：CN118837803A
公开(公告)日：2024-10-25
申请号：CN202410852598.0
申请日：2024-06-27
Applicant: 浙江大学
Abstract: 本发明公开了一种低频弱磁场光纤传感信号相位解调方法与装置，将载波信号经相位调制器调制到光域上，通过传感光路将磁通量为B的待测低频弱磁场信号对经过磁光晶体光信号的偏振旋转角变化转换为光信号相位变化，与经过参考光路的信号干涉后输出含有载波信号和磁通量为B的待测低频弱磁场信号的调制信号，由采集卡进行数据接收采集；采集后的数字信号通过希尔伯特变换得到待解调信号的解析信号，经过相位提取，载波信号拟合相减，经验模态分解后即可解调出磁通量为B的待测低频弱磁场信号。本发明对低频弱磁场信号解调具有有效性和实用性。
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公开(公告)号：CN108828798B
公开(公告)日：2024-08-02
申请号：CN201810986596.5
申请日：2018-08-28
Applicant: 腾景科技股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种高功率反射型光纤激光隔离器。包括沿光正向传输路径上依次设置的准直器、第一分束器、第一反射镜、法拉第旋光器、第二反射镜、第三反射镜、22.5度二分之一波片/石英旋光片、第二分束器、以及由凹透镜与凸透镜组成的扩束系统，还包括用于对法拉第旋光器施加外部磁场的磁环组件。本发明的高功率反射型光纤激光隔离器仅需现有设计一半的长度即可实现原功能，大大减小外观尺寸，且由于尺寸缩小，成本也可只有现有设计的一半，另外由于使用了反射镜，在光路管理上更容易操作光路设计。
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公开(公告)号：CN118151421A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202410271136.X
申请日：2024-03-11
Applicant: 宁波大学
Abstract: 本发明公开了一种低损耗大带宽的光学隔离器，通过一根总线波导、两个环形跑道形波导、YIG种子层及磁光薄膜构成光学隔离器主体结构，每个环形跑道形波导均包括两个半圆形波导和两个直波导，两个半圆形波导和两个直波导依次连接形成环形，将两个环形跑道形波导分别称为第一环形跑道形波导和第二环形跑道形波导，YIG种子层附着在第二环形跑道形波导中位于后侧的直波导的上端面上，且将其完全覆盖住，磁光薄膜附着在YIG种子层上且将其完全覆盖住；优点是在可融入半导体工业生产线，能够适用于工业大规模生产的同时，采用较小的尺寸同时实现较低损耗和较大隔离带宽。
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公开(公告)号：CN118112828A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410533995.1
申请日：2024-04-30
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种磁光效应驱动的非易失性光开关及其制备方法，该非易失性开关包括SOI衬底和钆镓石榴石衬底；所述SOI衬底包括自下而上的硅衬底、埋氧层和顶层硅；所述钆镓石榴石衬底上生长有铈掺杂的钇铁石榴石铁氧体；所述埋氧层通过刻蚀形成两个并列的凹槽，所述顶层硅通过刻蚀形成硅波导；每个凹槽内部设有导电金属层，所述导电金属层上表面包括CoFeB阵列；所述钆镓石榴石衬底下表面键合在硅波导上表面。本发明成功规避了由于晶相差异以及生长温度过高导致的无法将高质量的Ce:YIG材料与硅光集成光路实现单片集成的问题，从而提供了在硅基上实现非易失性光开关的一种技术方案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117706812A
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202311718044.3
申请日：2023-12-14
Applicant: 湖州学院
Abstract: 本发明公开了一种YIG‑硫化砷薄膜片上磁光隔离器及其制备方法，所述磁光隔离器包括：设置在基片上的YIG‑硫化砷异质层，所述YIG‑硫化砷异质层呈异质波导结构，所述YIG‑硫化砷异质层包括位于基片上的YIG膜层以及位于YIG膜层上异质集成的硫化砷层，所述YIG‑硫化砷异质层上依次设置有二氧化硅保护层和提供外加磁场的金属微电路。本发明综合利用了YIG磁光材料优异的磁光特性和硫化砷折射率大的特性，采用在基片上自下而上一次集成的制备办法，避免了无法大规模生产的键合工艺，解决了片上磁光隔离器无法集成的问题，明显的提升了隔离器的非互易相移，并减小了器件尺寸；该方案的提出将会填补基于YIG的片上可集成、低成本的磁光隔离器技术空白。
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公开(公告)号：CN117590629A
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202311704491.3
申请日：2023-12-12
Applicant: 深圳市飞宇光纤股份有限公司
IPC: G02F1/095
Abstract: 本发明涉及一种光学器件结构，具体是一种反射型在线光隔离器,包括依次配合的光输入输出模块、光路准直模块、分光隔离模块、结构辅助模块；光输入输出模块设置在一侧，激光设备信号于该侧输入，并在同侧接收；分光隔离模块对正向光信号传输，反向光信号隔离，光路准直模块为一组。通过将光信号输入和输出设置在同侧，减少了一组光路准直模块，从而减小整个隔离器产品的尺寸，在长度上减小一半。此外，本发明中的分光隔离模块，实现正向传输方向隔离功能，实现同样性能情况下，达到产品尺寸小型化效果，有利于减少光纤放大器内部空间，实现紧凑型光纤放大器制作；更容易拓展成带PD监视功能小型化器件，实现光旁路系统集成化。
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公开(公告)号：CN112198681B
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202011083032.4
申请日：2020-10-12
Applicant: 安徽大学
Abstract: 本发明提供一种基于四波混频调控的光隔离器，包括原子团气池，以及设置于所述原子团气池周侧的第一至第四光路组件；所述第一至第四光路组件分别用于产生入射至所述原子团气池的第一至第四偏振光；其中，所述第一偏振光、所述第三偏振光及所述第四偏振光和所述原子团气池的能级跃迁满足四波混频过程中的相位匹配条件，所述第一偏振光不被所述原子团气池吸收，可以透过该光隔离器；所述第二偏振光、所述第三偏振光及所述第四偏振光和所述原子团气池的能级跃迁不满足四波混频过程中的相位匹配条件，所述第二偏振光被所述原子团气池吸收，无法通过该光隔离器，从而实现第一偏振光的透光和第二偏振光的隔离。
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公开(公告)号：CN111458910B
公开(公告)日：2024-01-30
申请号：CN201910107485.7
申请日：2019-01-18
Applicant: 福州高意光学有限公司
Abstract: 本发明公开了微型集成化自由空间环行器及其应用，其包括依序贴合设置的第一偏振分光组件、第一法拉第旋转片、第一半波片、第二偏振分光组件；所述第一偏振分光组件和第二偏振分光组件内均设有偏振分光膜；其还包括组合棱镜，所述的组合棱镜与第一偏振分光组件、第一法拉第旋转片、第一半波片、第二偏振分光组件的上端面相贴；本发明方案的光学组件之间采用胶合或深化光胶或光胶工艺集成在一起，具有体积小、结构紧凑且集成化、成本低、易加工和量产和可靠性高等优点；并且，本发明的隔离度、差损、灵敏度等主要性能指标完全满足行业内标准。
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公开(公告)号：CN117089931A
公开(公告)日：2023-11-21
申请号：CN202310874744.5
申请日：2023-07-17
Applicant: 山东大学
Abstract: 本发明提供一种基于掺杂的纯相Y3Fe5O12单晶光纤及其制备方法与应用。本发明基于掺杂的纯相YIG单晶光纤，所述单晶光纤为Gd3+离子掺杂的石榴石结构的纯相YIG；通式为：(GdGd3+x，Y并调控掺杂离子浓度1‑x)3Fe5O12，其中，0.01，结合特定的制备方法可以实现大长＜x≤0.10。本发明通过掺杂离子径比YIG单晶光纤的纯相调控和可控制备，具有方法简单、实验重复性强、成本低、制备周期短、晶体纯度高和结晶质量优的综合优势。
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