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公开(公告)号：CN117724207B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202410179273.0
申请日：2024-02-18
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及半导体技术领域，公开了一种非晶硅光波导的制作方法及非晶硅光波导，该方法，采用微米级光刻机和干法刻蚀产生深亚微米高度的介质台阶，并采用深亚微米厚度的非晶硅沉积和无掩模干法回刻蚀，获得深亚微米宽度的非晶硅光波导。本发明解决了现有技术存在的制作亚微米非晶硅光波导时对先进光刻机的依赖太大等问题。
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公开(公告)号：CN115842241B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN202211661899.2
申请日：2022-12-23
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种基于倏逝波调控的波导光栅天线及制造方法，该波导光栅天线包括由下至上的体硅衬底、第一氧化层、器件层和第二氧化层；其中，所述器件层设有间隔预设距离的光栅结构和波导结构，所述波导结构配置为在接收到输入光时，将所述输入光耦合至光栅结构，所述光栅结构配置为将接收的耦合光发射至自由空间。本发明通过在单个器件层中实现光栅结构和波导结构的制备，降低了工艺的复杂度，不需要将光栅刻蚀深度控制到几个纳米，降低了工艺的难度，可轻松实现毫米量级的有效发射长度，解决了目前在单个器件层中制作毫米量级有效发射长度的波导光栅天线的制造难度大的技术问题。
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公开(公告)号：CN117092752B
公开(公告)日：2024-03-26
申请号：CN202311036275.6
申请日：2023-08-16
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明提供了一种锗波导的制备方法，包括:S1、在硅衬底上外延生长锗，再在锗上沉积掩膜层，并图形化光阻掩膜；S2、干法蚀刻掩膜层，并去除光阻掩膜；S3、对锗进行蚀刻，整个表面形成一层氯化锗聚合物；S4、采用包含氟和氧的自由基去除氯化锗聚合物，并采用稀氢氟酸溶液清洗；S5、去除掩膜层，形成锗波导。本发明通过在锗波导刻蚀阶段控制聚合物的生成以及刻蚀后灰化过程中的特殊处理，后续通过现有常规的DHF清洗就可以去除反应副产物，不需采购新设备新材料，降低了成本，同时扩展现有工艺能力。
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公开(公告)号：CN115903401B
公开(公告)日：2024-03-12
申请号：CN202211653660.0
申请日：2022-12-22
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
IPC: G03F7/20 , H01L21/027
Abstract: 本发明公开了一种基于刻蚀与双重光刻的超分辨率图案实现方法及装置，其中方法包括：第一次光刻：在衬底上涂覆正性光刻胶或负性光刻胶，基于第一光学掩膜版对所述衬底进行曝光，再进行显影形成第一图案；刻蚀：对所述第一图案的光刻胶进行刻蚀，使所述第一图案中的线宽细化；第二次光刻：在所述刻蚀后的所述衬底上涂覆非光敏性光刻胶或负性光刻胶，直接对所述衬底进行曝光，或使用第二光学掩膜版对所述衬底进行曝光，所述第二光学掩膜版包括部分露出或全部露出所述第一次光刻形成的图案的光学掩膜版；再对所述衬底进行显影并热烘焙固化，得到最终的超分辨率图案。本发明可简单快速实现超过光刻机分辨率的图案。
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公开(公告)号：CN117170032A
公开(公告)日：2023-12-05
申请号：CN202311141620.2
申请日：2023-09-05
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及光通信技术领域，具体涉及一种降低AWG串扰的方法及其波分复用器件，使用级联1×2任意分光比分束器作为AWG的分束器。可以灵活的调控不同阵列波导内的光功率及阵列波导数量，可以轻松的通过控制1×2任意分光比分束器的分光比增大中心阵列波导与边缘阵列波导中光功率的比值。可以灵活的调控不同阵列波导内的光功率及阵列波导数量，从而达到降低串扰的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN116661059B
公开(公告)日：2023-09-26
申请号：CN202310891631.6
申请日：2023-07-20
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光电子器件技术领域，具体涉及一种高方向性的波导光栅天线及其制备方法，包括上层和下层，所述下层为晶圆层，所述上层为光栅层，所述晶圆层顶面设置有波导图形，所述光栅层顶面设置有光栅。相比于交错刻蚀不同深度的光栅槽，以及在波导上下表面形成光栅图形并在光栅延伸方向上错开的方法，本发明可以节省一层光刻掩模版和降低制造成本。
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公开(公告)号：CN116666499A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310905207.2
申请日：2023-07-24
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
IPC: H01L31/18 , H01L31/0368 , H01L31/028 , H01L31/105
Abstract: 本发明提供一种锗光电探测器及通过应力记忆提高其长波响应的方法，属于锗光电探测器技术领域，包括以下步骤：在单晶硅衬底上以氧化硅开窗定义位置，选择性外延生长单晶锗层，然后沉积多晶硅层并刻蚀成覆盖锗层的图形，再沉积氮化硅，所述氮化硅将所述多晶硅层上方和四周全部包围；在高温下对此结构进行快速热退火；退火完成后去除氮化硅，再制成探测器。
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公开(公告)号：CN116661059A
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202310891631.6
申请日：2023-07-20
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明涉及集成光电子器件技术领域，具体涉及一种高方向性的波导光栅天线及其制备方法，包括上层和下层，所述下层为晶圆层，所述上层为光栅层，所述晶圆层顶面设置有波导图形，所述光栅层顶面设置有光栅。相比于交错刻蚀不同深度的光栅槽，以及在波导上下表面形成光栅图形并在光栅延伸方向上错开的方法，本发明可以节省一层光刻掩模版和降低制造成本。
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公开(公告)号：CN116171055A
公开(公告)日：2023-05-26
申请号：CN202310184802.1
申请日：2023-02-28
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯探测器及其制备方法，涉及石墨烯探测器技术领域，包括以下步骤：S1.在Si衬底上线沉积SiO2/SiN DBR(分布式布拉格反射镜)层，在560‑680nm波长范围内，实现全反射；S2：在SiO2/SiN DBR层上再依次沉积一层SiO2层和一层较厚的SiN层；S3：在步骤S2中较厚的SiN层上沉积石墨烯层，即获得了转移后的石墨烯样品；S4：在光刻胶的保护下，在石墨烯层两端沉积金属电极；S 5：将胶体量子点涂附在石墨烯上，再通过有机物交联反应生成致密的胶体量子点层，所述致密的胶体量子点层为光吸收层。
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公开(公告)号：CN116031265A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211661699.7
申请日：2022-12-23
Applicant: 上海铭锟半导体有限公司
IPC: H01L27/144 , H01L27/142 , H01L27/04 , H01L31/18
Abstract: 本发明公开了一种集成太阳能电池和CMOS电路的光电探测器及制造方法，该光电探测器包括由下至上的硅衬底和氧化层；其中，所述硅衬底和所述氧化层包括CMOS集成电路区域、探测器区域和硅太阳能电池区域。本发明通过修改硅衬底上浅沟槽隔离的成熟CMOS工艺流程，嵌入选择性硅、锗外延制作硅、锗探测器，并利用CMOS源漏区掺杂充当晶硅太阳能电池的电极接触区掺杂，通过金属连线连接电极。硅太阳能电池为探测器和CMOS电路提供电源，探测器将吸收的光信号转变为电信号，经过CMOS电路放大和处理信号，实现完整的光接收器功能，并独立于外部电源工作。本发明解决了目前集成太阳能电池和/或CMOS电路的光电探测器制造难度大、成本高的问题。
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