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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117192223A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202311157092.X
申请日：2023-09-08
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于硅基光电子领域，具体涉及一种磁光薄膜介电常数全张量表征方法。本发明基于转移矩阵法和椭圆偏振仪改装，依据转移矩阵法的表征原理，通过椭圆偏振仪测量得到正磁场和负磁场下磁光薄膜的差分Mueller矩阵，依据结构模型和色散模型拟合椭偏参数得到介电常数张量对角线元，通过转移矩阵法参数反演得到介电张量非对角线元。本发明首次结合转移矩阵法和4×4Mueller矩阵，通过椭圆偏振仪在施加磁场条件下的进行非接触性椭偏光谱测量，可以在不破坏晶圆或进行切样处理的条件下，实现了对晶圆级磁光薄膜无损、快速地介电常数全张量表征，填补了晶圆级磁光薄膜介电常数全张量无损表征的空缺，对磁光薄膜进一步工业应用具有较大意义。
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公开(公告)号：CN111982823A
公开(公告)日：2020-11-24
申请号：CN202010777122.7
申请日：2020-08-05
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N21/19
Abstract: 本发明涉及磁光表面等离子共振纳米光学器件以及手性分子传感的交叉领域，具体为一种磁场偏置的手性分子传感器件。本发明采用高磁光效应和低损耗的磁性氧化物材料结合顶层贵金属等离子共振结构层的表面等离子共振或腔体谐振的设计，实现磁性氧化物层的磁圆二色性大于等于顶层贵金属等离子共振结构层的结构手性，从而可以通过外加磁场偏置简单、有效地消除结构手性，精确的获得手性分子的信号，且依然保持强的光学手性近场增强，解决结构加工误差问题；并且由于器件是亚波长结构，利于器件的小型化和集成化，可应用于生物制药领域的手性药物分子的检测。
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公开(公告)号：CN115015249A
公开(公告)日：2022-09-06
申请号：CN202210599197.X
申请日：2022-05-30
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明属于纳米光学领域，具体涉及一种基于非手性纳米结构的手性分子传感器。本发明通过将纳米结构周期性地排列在透明衬底上。通过改变入射线偏振光的偏振方向与纳米结构长轴方向的夹角θ来实现对近场超手性场的调控，进而传感手性分子，工作在近红外波段。本发明采用非手性结构，可有效避免结构手性对手性分子信号的影响，在生物制药和生物医学等领域具备潜在的应用前景。并且本发明结构简单，制备方便；为亚波长结构，利于器件的小型化与集成化；采用线偏振光，光路简单，设备成本低。
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公开(公告)号：CN111198414A
公开(公告)日：2020-05-26
申请号：CN202010031484.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及非互易超构表面，具体涉及一种自偏置的磁光非互易超构表面器件。本发明通过将亚波长尺寸的硬磁材料结构层按矩阵周期排列在微波频段折射率为1～5的材料层上，通过改变结构层的结构单元的长宽高实现对电磁波的相位和振幅的调控，只需一次磁化，无需持续外加磁场。最终本发明基于磁光效应通过高矫顽力的硬磁材料实现了自偏置的磁光效应非互易器件；且采用亚波长尺寸的结构，利于器件的小型化和集成化。在雷达屏蔽(单向透射)、自由空间隔离器、非互易透镜、非互易全息成像等领域有着重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN111198414B
公开(公告)日：2021-06-01
申请号：CN202010031484.1
申请日：2020-01-13
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明涉及非互易超构表面，具体涉及一种自偏置的磁光非互易超构表面器件。本发明通过将亚波长尺寸的硬磁材料结构层按矩阵周期排列在微波频段折射率为1～5的材料层上，通过改变结构层的结构单元的长宽高实现对电磁波的相位和振幅的调控，只需一次磁化，无需持续外加磁场。最终本发明基于磁光效应通过高矫顽力的硬磁材料实现了自偏置的磁光效应非互易器件；且采用亚波长尺寸的结构，利于器件的小型化和集成化。在雷达屏蔽(单向透射)、自由空间隔离器、非互易透镜、非互易全息成像等领域有着重要的应用前景。
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